国家科技重大专项(2009ZX02035)
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
- 相关作者：骆志炯刘佳赵利川闫江更多>>
- 相关机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项中国科学院“百人计划”更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于体硅衬底制作全耗尽FinFET器件的工艺方案被引量：3
- 2013年
- 随着MOS器件缩小到纳米尺寸,为了改善器件性能,三维全耗尽FinFET器件受到广泛关注和研究。基于体硅衬底,已实现不同结构的FinFET,如双栅、三栅、环栅等结构。不同于SOI衬底FinFET,对于双栅或三栅结构,体硅衬底制作FinFET可能存在源漏穿通问题,对于环栅FinFET器件,工艺实现是一个很大的挑战。综述了目前解决源漏穿通问题的各种工艺方案,提出了全新的基于体硅衬底制作环栅FinFET的工艺方案,并展示了关键步骤的具体工艺实验结果。
- 刘佳骆志炯
- 关键词：SOI衬底
- 场效应晶体管中接触孔应力技术的研究
- 2015年
- 随着集成电路集成度的不断提高以及场效应晶体管尺寸的微缩,沟道载流子迁移率退化越来越严重,通过沟道应力技术提升载流子迁移率从而提高性能的技术被广泛应用。介绍了接触孔应力对沟道的影响,分析了接触孔与沟道间距离及源漏区外延厚度对沟道应力的影响。通过对应力传导机制的分析,提出了通过调节侧墙材料和结构来优化沟道应力的方法。
- 赵利川闫江
- 关键词：迁移率侧墙
