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国家教育部“211”工程(S-0909)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：周科杨小飞黄秋柳彭丽萍方亮更多>>
相关机构：重庆师范大学重庆大学更多>>
发文基金：国家教育部“211”工程更多>>
相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇透明导电
  • 1篇透明导电膜
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射法
  • 1篇溅射法制备
  • 1篇光电
  • 1篇光电性
  • 1篇光电性能
  • 1篇ZNO
  • 1篇衬底
  • 1篇衬底温度
  • 1篇磁控

机构

  • 1篇重庆大学
  • 1篇重庆师范大学

作者

  • 1篇孔春阳
  • 1篇方亮
  • 1篇彭丽萍
  • 1篇黄秋柳
  • 1篇杨小飞
  • 1篇周科

传媒

  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
衬底温度对磁控溅射法制备的ZnO∶In薄膜光电性能的影响被引量：1
2009年
以粉末靶为溅射源,采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备掺铟氧化锌(ZnO∶In)透明导电膜。利用X射线衍射仪、原子力显微镜、霍尔测试仪,以及分光光度计等对不同衬底温度下生长的ZnO∶In薄膜的结构、光电性能进行表征。结果表明,所有制备的ZnO∶In薄膜均为六角纤锌矿结构的多晶膜,具有(002)择优取向。ZnO∶In薄膜的电阻率随着衬底温度的升高先减小后增大,当衬底温度为100℃时,薄膜的最低电阻率为3.18×10-3Ω.cm。制备的薄膜可见光范围内透过率均在85%以上。
杨小飞方亮彭丽萍黄秋柳周科孔春阳
关键词：光电性能透明导电膜
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共1页<1>
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