国家自然科学基金(51205375)
- 作品数：7 被引量：10H指数：2
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- 电阻率对硅衬底微波传输特性影响分析被引量：2
- 2014年
- 针对传统硅衬底介质损耗大的现象,通过软件电磁仿真手段分析不同电阻率硅衬底上微带线的传输特性,系统研究电阻率变化对硅衬底微波传输特性的影响,并与基于MEMS三维加工的低阻硅衬底进行比较。在30 GHz频率范围内,当硅衬底电阻率从10Ω·cm提升至4 000Ω·cm时,微带线插入损耗从20 dB/cm降低至0.6 dB/cm。电阻率大于100Ω·cm的高阻硅衬底微波传输特性优于带MEMS空腔的10Ω·cm低阻硅衬底。结果表明提升电阻率可有效降低硅衬底微波传输损耗,结合低成本成熟工艺等优点,高阻硅衬底具有广阔的微波集成应用前景。
- 刘勇
- 关键词：电阻率硅衬底微带线插入损耗
- 埋入式集成无源元件优化设计研究
- 2023年
- 在微波电路集成中,为了满足电路小型化的需求,通常使用埋入式电感等集成无源元件。但电感模型比较复杂,寄生参数较多,在版图设计当中难以一次性建立精准的模型。针对此问题,文中以埋入式集总参数功分器为例,基于ADS仿真软件,在添加可调的理想电感、电容后对功分器进行场路联合优化设计仿真。以功分器设计指标作为优化目标进行优化计算,得出可调的理想电感、电容值,再不断修改版图并循环优化。结果表明,可调的理想电感、电容数值逼近0,3次优化后工作频段9.5~9.9 GHz内的回波损耗S11低于-22 dB,满足-20 dB以下的性能指标,说明功分器的版图符合设计要求。
- 刘勇邱宇
- 关键词：集成无源元件版图设计功分器电磁仿真
- 一种P波段微带巴伦的设计被引量：2
- 2015年
- 巴伦(Balun),是一种平衡-非平衡转变器,它在微波平衡混频器、倍频器、推挽放大器和平衡天线馈电网络等微波射频电路中具有重要作用。文章重点介绍了巴伦的工作原理,给出了其主要技术指标及设计步骤,设计了一种P波段双面微带形式巴伦,并结合实物验证了这种设计的有效性和可行性。
- 姚波安士全
- 关键词：P波段
- 高阻硅衬底集总参数功分器设计
- 2016年
- 文章介绍了高阻硅衬底集成无源器件技术,分析了功分器等效集总参数模型,并设计了一款9.5-9.9GHz的高阻硅衬底集总参数Wilkinson功分器。基于ADS软件,可对功分器版图进行仿真优化设计。该款功分器尺寸<1×0.5mm2,插损<0.5d B、隔离度>20d B、回波损耗>20d B。由于采用高阻硅衬底集成无源器件技术,功分器尺寸小、性能优越,且具有批量生产优势,应用前景广泛。
- 刘勇陈兴国王光池刘建勇
- 关键词：集总参数无源器件功分器高阻硅
- 基于波导的空间功率合成技术研究进展被引量：2
- 2015年
- 基于波导的空间功率合成技术是解决微波高频段固态大功率合成的一种有效技术。由于它具有频率高、功率大、合成效率高、可靠性高、具有适度恶化性等优点,因此成为微波高频段大功率合成系统的首选。论文介绍了基于波导的空间功率合成技术的需求,分析了基于波导的空间功率合成技术的几种方式,阐述了该技术的发展现状,并对基于波导的空间功率合成技术的发展提出了建议。
- 姚波安士全
- 关键词：波导空间功率合成微波功率
- 系统集成中的高阻硅IPD技术被引量：5
- 2014年
- 集成无源器件(IPD)技术可以将分立的无源器件集成在衬底内部,提高器件Q值及系统集成度。由于高阻硅衬底具有良好的射频特性,高阻硅IPD技术可以制备出Q值高达70以上的电感。高阻硅IPD基于薄膜技术具有高精度、高集成度等特点,可将无源器件特征尺寸缩小一个数量级。同时可利用成熟的硅工艺平台,便于批量生产降低成本。此外,高阻硅IPD技术可与硅通孔(TSV)技术兼容,可实现三维叠层封装。分析表明,高阻硅IPD技术在系统集成中具有广泛应用前景。
- 刘勇
- 关键词：IPD系统集成高阻硅无源器件滤波器
- 埋氧层内应力对微悬臂梁加工断裂的影响机理研究
- 2016年
- 研究了在Smart-cut方法下制作的SOI硅片中热应力产生的来源,以及热应力的分布、数值和范围。对微悬臂梁制作过程的几个阶段进行了建模,通过仿真,探讨了不同热应力对微悬臂梁制作过程产生的影响,并在ANSYS软件中对优化的加工工艺可行性的仿真和制作时断裂现象进行了验证。研究了SOI中埋氧层内应力影响微纳加工工艺的机理,特别针对内应力使微悬臂梁制备产率下降的副作用进行了分析。研究结果在基于SOI制造的微传感器领域中具有重要的作用。
- 仲仁赵钢陈建锋刘光丽刘杰褚家如
- 关键词：MEMS微悬臂梁ANSYS仿真
