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微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室基金: 作品数：30 被引量：47H指数：4; 相关作者：叶玉堂焦世龙陈堂胜韩平王荣华更多>>; 相关机构：南京电子器件研究所电子科技大学微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家重点基础研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

光电集成光接收机前端及限幅放大器的研制被引量：3: 2010年; 基于国内的材料生产和半导体工艺条件,研制了10 Gb/s光电集成(OEIC)光接收机前端,并采用耗尽型赝配高电子迁移晶体管(PHEMT)设计并实现了限幅放大器。光接收机前端组成形式为金属-半导体-金属(MSM)光探测器和电流模跨阻放大器,借助模拟软件SILVACO建立并优化了器件模型,探测器光敏面50μm×50μm,带宽超过10 GHz,电容约3 fF/μm。研究并改进了腐蚀自停止工艺并实际应用于OEIC器件制作,芯片面积为151Iμm×666μm。限幅放大器采用无源电感扩展带宽,并借助三维电磁仿真软件HFSS进行模拟仿真。限幅放大器芯片面积为1950μm×1910μm,在3.125 Gb/s传输速率下,分别输入信号幅度为10和500 mV,可以得到500 mV恒定输出摆幅。; 范超陈堂胜杨立杰冯欧焦世龙吴云峰叶玉堂; 关键词：集成光学限幅放大器

Ka波段硅基MEMS滤波器被引量：6: 2008年; 滤波器是微波毫米波电路中的一个重要部件,本文介绍了采用基片集成波导技术和ICP深刻蚀微机械通孔阵列的硅基MEMS滤波器。设计制作了MEMS滤波器的核心部件谐振器,测试结果显示该谐振器无载Q值大于180,频率误差控制在2%以内。以此为基础采用理论计算与实验设计相结合的方法设计了一个Ka波段硅基MEMS滤波器。滤波器中心频率为30.3GHz,插入损耗1.5dB,相对带宽5%。芯片尺寸为10.0mm×2.8mm×0.4mm。; 张勇郁元卫贾世星朱健陈辰; 关键词：基片集成波导 KA波段

MEMS层叠式毫米波天线设计被引量：1: 2008年; 为了提高天线带宽,改善天线性能,提出并设计了一种基于微机械工艺的层叠式口径耦合毫米波天线,该天线中心频点为35GHz,利用有限宽地共面波导—微带(FGCPW-MS)进行馈电。分析天线结构中的几个关键参数对天线带宽性能的影响,利用HFSS三维电磁场仿真软件进行天线模型仿真。结果表明,该天线带宽为11.8%,增益为7.8dB,天线辐射效率为71%。与传统微带天线相比,该天线在带宽、增益等方面均到改善,且易与其他有源元件进一步集成。; 侯芳朱健郁元卫吴璟陈辰; 关键词：微机械微带天线带宽

4H-SiC外延中的缺陷及其对肖特基二极管的影响: 研究了4H-SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备在偏8°的（0001）Si面4H-SiC单晶片上进行的,衬底材料来自外购,同质生长的S...; 陈刚陈雪兰柏松李哲洋韩平; 关键词：4H-SIC 肖特基二极管势垒高度; 文献传递

Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3溅射靶材的烧制和性能分析: 2008年; 介绍了BST压电陶瓷靶的烧制方法,使用添加剂改善了Ba0.6Sr0.4TiO3靶材的结构和性能,解决了BST靶材热稳定性差的问题,同时优化了BST靶材的晶化效果,提高介电性能。实验通过XRD衍射和P-E试验分析了所制BST溅射靶的微结构和铁电特性。; 张龙朱健卓敏; 关键词：BST 压电陶瓷

5Gb/s单片集成GaAs MSM/PHEMT 850nm光接收机前端被引量：3: 2007年; 采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制出了一种单片集成850nm光接收机前端,它包括金属-半导体-金属(MSM)光探测器和分布放大器.探测器光敏面积为50μm×50μm,电容为0.17pF,4V偏压下的暗电流小于17nA.分布放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz^16GHz范围内,输入、输出电压驻波比均小于2;噪声系数在3.03~6.5dB之间.光接收机前端在输入2.5和5Gb/s非归零伪随机二进制序列调制的光信号下,得到较为清晰的输出眼图.; 焦世龙陈堂胜钱峰冯欧蒋幼泉李拂晓邵凯叶玉堂; 关键词：分布放大器光接收机眼图

4H-SiC欧姆接触与测试方法研究被引量：6: 2008年; 主要针对不同金属和工艺条件下的4H-SiC欧姆接触特性进行对比研究,形成4H-SiC的优良欧姆接触的最佳条件。通过TLM方法结合四探针测量得到特征接触电阻率,测得NiCr和Ni与4H-SiC的最佳特征接触电阻率分别达到ρc=9.02×10-6Ω.cm2,ρc=2.22×10-7Ω.cm2,能够很好满足SiC器件的需要。; 陈刚柏松李哲阳韩平; 关键词：碳化硅欧姆接触退火

可调增益均衡性宽带MMIC低噪声放大器设计被引量：1: 2006年; 文章提出了一种新颖的具有可调增益均衡特性的宽带全单片低噪声放大器电路设计方法,它将用于微波功率模块(MPM)的固态功率放大器(SSPA)链前端中的两项功能独立的电路(多级单片宽带低噪声放大器LNA和单片宽带频率均衡放大器FEA)组合设计在一块单片电路芯片中。其中LNA部分采用高效率高增益宽带级联型分布放大器取代常规的行波式分布放大器,使得放大器级数显著减少;频率均衡放大器提出用一种利用FET作可调元件的嵌入式低损无源网络来取代,使得放大器的增益特性在频带中部下凹可调,补偿了行波管“山丘状”功率增益特性。在此基础上完成设计的 MMIC LNA,仅使用3个0．25μm×120μm pHEMT,在6GHz～18GHz频带内,小信号增益14．3 ±0．8 dB,输入、输出反射损耗<-10 dB,NF<5 dB;嵌入可调增益均衡网络后,在其他性能参数基本保持不变的前提下,频带中部引入的电调衰减范围超过6．5 dB,完全满足MPM要求。; 汪珍胜陈效建郑惟彬李辉; 关键词：微波单片集成电路频率均衡器微波功率模块

GaN/Al2O3（0001）上Ge薄膜的CVD外延生长: ＜正＞由于 GaN 和 Ge 之间带隙宽度相差很大（～2.7eV）,Ge/GaN 异质结可用于宽波段太阳能电池、背照式双色探测器和异质结双极性晶体管（HBT）等器件的研制。在 HBT 器件中,异质结材料较大的带宽差异可以...; 王荣华韩平曹亮王琦梅琴夏冬梅谢自力陆海陈鹏顾书林张荣郑有炓; 关键词：GAN INN CVD; 文献传递

宽带直接接触式RF MEMS开关被引量：4: 2008年; 本文提出一种静电驱动直接接触式宽带MEMS开关,包含CPW传输线、双U型金属悬臂梁、触点和锚区,兼顾了开关接触可靠、克服微结构粘连和低驱动电压三大结构可靠性设计因素。本开关为三端口开关,使用低温表面微机械工艺,制作在400μm厚的高阻硅衬底上,芯片尺寸0.8mm×0.9mm。样品在片测试结果表明,在6GHz频点,开关本征损耗0.1dB,隔离度24.8dB,等效开关接触电阻0.6Ω,关态电容6.4fF,开关时间47μs,开关驱动电压为20-60V。; 郁元卫贾世星朱健陈辰; 关键词：直接接触式宽带

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