湖北省自然科学基金(2009CDB041)
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
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- 相关机构：武汉理工大学更多>>
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- 相关领域：金属学及工艺一般工业技术电气工程更多>>
- Ho掺杂对Bi_(4-x)Ho_xTi_3O_(12)陶瓷结构与铁电性能的影响被引量：1
- 2012年
- 以Ho为掺杂元素,采用热压烧结方法制备Bi4-xHoxTi3O12陶瓷,重点研究了Ho掺杂量对其物相组成、致密度、微观结构和铁电性能的影响.首先以Bi2O3、TiO2和Ho2O3微粉为原料,利用固相反应在900℃合成出主晶相为Bi4Ti3O12的Bi4-xHoxTi3O12(x=0～0.8)粉体;然后,将合成粉体在850℃、30 MPa条件下热压烧结,当Ho掺杂量x=0～0.4得到了物相单一、整体致密(>99%)的Bi4-xHoxTi3O12陶瓷.随Ho掺杂量的增加,Bi4-xHoxTi3O12陶瓷的剩余极化强度呈现先增大后减小的趋势,主要与氧空位浓度和不同掺杂浓度引起的掺杂位置的不同有关.在Ho掺杂量x=0.4时,其剩余极化强度最大(2Pr=13.92μC/cm2),远大于未掺杂的Bi4Ti3O12陶瓷,说明适量Ho掺杂能有效改善其铁电性能.
- 王传彬傅力沈强张联盟
- 关键词：固相反应热压烧结铁电性能
- 气压对射频磁控溅射Bi4Ti3O12薄膜的影响
- 2011年
- 在不同溅射气压下，采用射频磁控溅射技术在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了钛酸铋（Bi4Ti3O12）薄膜。在较低的气压（0.45-0.8Pa）下，得到了单相的Bi4Ti3O12薄膜；在较高气压（1.0-1.8Pa）下，薄膜中出现Bi2Ti2O7焦绿石相；随着气压的增加，薄膜的沉积速率和晶粒尺寸先增大后减小，表面粗糙度也逐渐增加；在适宜的气压（0.6Pa）下，得到的Bi4Ti3O12薄膜物相单一、表面平整致密、结晶良好。
- 黄攀彭健王传彬
- 关键词：射频磁控溅射溅射气压
