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共面双滑移取向铜单晶体的循环应力-应变响应及表面形变特征被引量：2: 1999年; 在塑性分切应变幅(γ_(pl))约为10^(-4)～10^(-2)范围内,研究了共面双滑移取向[233]和单滑移取向[4 18 41](Shimid因子Ω=0.5)铜单晶体的循环形变行为。当γ_(pl)<2×10^(-3),[233]晶体的初始硬化速率θ_(0.2)较低,几乎与应变幅大小无关。当γ_(pl)>×10^(-3),θ_(0.2)随γ_(pl)的增加而显著增大。当γ_(pl)≥3.5×10^(-3)时,[233]晶体的循环硬化曲线出现二次硬化阶段,且二次硬化的临界应变幅介于单滑移单晶体和多晶体之间,表明[233]双滑移晶体的硬化行为比单滑移晶体更接近多晶体。[233]晶体的循环应力-应变(CSS)曲线在塑性应变幅γ_(pl)=3×10^(-4)～2×10^(-3)范围内出现1个准平台区。[233]晶体试样表面形成的两类宏观形变带(DBⅠ和DBⅡ)呈严格的正交关系,并随着外加应变幅的增加而不断发展。; 李小武王中光李守新; 关键词：铜单晶体循环应力

铜双晶体的循环应力-应变响应: 2000年; 比较了铜单晶体和多晶体疲劳行为的异同，提出了研究双晶体疲劳行为的必要性．总结了具有不同晶体取向和晶界的铜双晶体的疲劳行为的最新进展．利用平行晶界铜双晶体的取向因子和晶界影响区，总结了在循环载荷作用下的晶界强化模型．分析了垂直晶界铜双晶体循环塑性变形行为的特点，讨论了组元晶体取向对垂直晶界铜双晶体循环应力－应变曲线的影响．提出了提高单晶体和双晶体疲劳强度的控制因素．; 张哲峰胡运明王中光; 关键词：铜双晶体晶界强化

铜双晶体及其组元单晶体的循环变形行为比较——Ⅰ.循环应力-应变响应: 1999年; 研究了实际生长的铜双晶体(RB),组合双晶体(CB)及其组元单晶体(G1,G2)在总应变幅控制下的循环应力-应变响应.结果表明在相同应变幅下轴向应力幅随循环进行递增顺序为G2,CB,RB及G1,而塑性应变幅则按G2,CB,RB及G1顺序递减.通过引入一个双晶体的取向因子Ω_B比较了双晶体(CB,RB)及其组元单晶体(G1,G2)的循环应力-应变曲线,其中两组元单晶体(G1,G2)的循环应力-应变曲线均存在一平台区,且平台饱和分切应力分别为30.5MPa及29.2MPa.组合双晶体CB同样也存在一平台区,其平台饱和分切应力基本与组元单晶体的饱和切应力值相等.而实际生长的双晶体RB的循环应力-应变曲线明显高于组合双晶体CB及其组元双晶体G1,G2的循环应力-应变曲线,且随应变幅升高循环饱和分切应力从31.4MPa逐渐升高到34.0MPa,没有平台区存在.; 张哲峰王中光李广义; 关键词：铜双晶体铜单晶体循环形变应力

循环变形铜双晶体晶界邻域的位错结构特征: 1999年; 用扫描电子显微镜(SEM)观察了循环应变作用下[135]同轴非对称铜双晶体中的位错结构。结果表明,双晶晶界邻域的位错结构特征不同于远离晶界的区域,一是低应变幅下晶界旁有低密度位错区的形成,二是驻留滑移带结构接近晶界时发生畸变。; 胡运明王中光; 关键词：扫描电镜铜双晶体位错结构

Cu双晶的循环饱和位错结构——Ⅱ.迷宫位错结构: 1998年; 用透射电子显微镜(TEM)研究了受循环应变载荷作用的Cu双晶中的迷宫形态位错结构。实验表明,迷宫位错结构由两组相互垂直的(001)和(210)位错墙组成。其形成不仅与外加应变幅有关,而且取决于晶体中开动的滑移系统,与一组互相垂直的Burgers矢量的位错密切相关。; 胡运明王中光; 关键词：滑移系

临界双滑移取向铜单晶体的循环形变行为: 1999年; 在塑性分切应变幅(γ_(pl))为1.2×10^(-4)～6.5×10^(-3)范围内,系统研究了临界双滑移取向[017]铜单晶体的循环形变行为,并将其与[034]临界双滑移及[001]和[011]多滑移取向单晶体的结果进行了比较。当γ_(pl)<2×10^(-3),[017]晶体的初始硬化速率θ_(0.2)几乎与应变幅大小无关。当γ_(pl)>2×10^(-3),θ_(0.2)随γ_(pl)的增加而显著增大。[017]晶体的循环应力-应变(CSS)曲线不呈现平台区,但在塑性应变幅范围(5.0×10^(-4)～1.5×10^(-3))内近似出现一准平台。[017]晶体的滞后回线形状参数V_H在γ_(pl)=9.4×10^(-4)下可用来确定驻留滑移带(PSB)的萌生应力,其萌生应力约为39MPa。而在其他一些应变幅下,V_H与PSB的形成无明显对应关系。对于取向位于标准取向三角形001/011边上的铜单晶体,由011→001方向,其初始硬化速率逐渐升高,CSS平台行为发生明显的变化,从类似单滑移晶体的结果过渡到类似多晶体的结果,即:由较宽的平台区的出现([011]晶体),到平台区的缩短([034]和[012]晶体),再到准平台区的出现([017]晶体),直至平台区的完全消失([001]晶体)。; 李小武王中光李守新; 关键词：铜单晶体循环形变应力-应变曲线

循环变形铜单晶体中宏观形变带形成机制研究的新进展: 2000年; :系统研究了循环变形铜单晶体中的宏观形变带的产生规律和特征以及相应的位错结构 ,并对其形成机制进行了综合探讨。结果表明 ,形变带的形成可能与循环加载中产生的晶体不可逆旋转和宏观应力状态密切相关。对于不同取向铜单晶体。; 王中光李守新李小武; 关键词：铜单晶体循环形变形变带位错结构

铜双晶体及其组元单晶体循环变形行为的比较——Ⅱ.晶界附近形变特征的观察及分析被引量：1: 1999年; 在铜双晶体(CB,RB)及其组元单晶体(G1,G2)循环应力-应变响应比较的基础上,观察了双晶体(CB,RB)及其组元单晶体循环变形后表面滑移形貌及疲劳裂纹萌生,结果表明实际双晶体RB晶界附近组元晶体G2中出现以次滑移为主的晶界影响区,且晶界影响区随应变幅增加而变宽.双晶体RB中疲劳裂纹首先沿晶界萌生,并且在晶界上观察到滑移台阶.讨论了晶界在循环变形中的作用.; 张哲峰王中光李广义; 关键词：铜双晶体

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国家自然科学基金(19392300-4)