中央高校基本科研业务费专项资金(ZYGX2012J035)
- 作品数：10 被引量：42H指数：3
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- Zn缺位对Ba(Co_(0.6)Zn_(0.4))_(1/3)Nb_(2/3)O_3陶瓷性能的影响被引量：1
- 2016年
- 采用传统固相反应法制备了Ba(Co0.58Y0.02Zn0.4-x)1/3Nb2/3O3(x=0,0.01,0.02,0.03,0.04,0.06)陶瓷,系统研究了Zn缺位对陶瓷的物相组成、微观结构和微波介电性能的影响。X线衍射(XRD)结果表明所有配方陶瓷的主晶相均为BaZn0.33Nb0.67O3-Ba3CoNb2O9(BCZN),并存在不同量的第二相Ba8CoNb6O24,适量的Zn缺位可提高BCZN体系的有序度,x=0.02时,其有序度最大。电镜扫描(SEM)结果表明适量的Zn缺位可促进烧结致密化,但Zn缺位过多,会使第二相增多,陶瓷的致密度恶化。随着x的增加,陶瓷的介电常数(εr)基本不变,但品质因数与频率的乘积(Q×f)得到了有效的改善,谐振频率温度系数(τf)先减小后增大。当x=0.02时,BCZN体系陶瓷的εr=35.12,Q×f=52 678GHz,τf=3.28×10-6/℃。
- 张玉芹周晓华杨新石孙成礼张树人
- 关键词：微波介质陶瓷
- 热压成型温度对PTFE/SiO_2复合材料性能的影响被引量：3
- 2013年
- 采用热压工艺制备了PTFE/SiO2微波复合基板材料,研究了热压温度对PTFE/SiO2复合材料的性能及显微结构的影响。差示扫描量热法分析表明PTFE结晶度随热压成型温度上升而升高,熔限先变宽后变窄。同时通过扫描电镜观察发现,热压成型温度升高使复合材料表面出现气孔,材料内部气孔数目增多,从而导致材料密度、相对介电常数下降,吸水率A升高。由于PTFE树脂结晶度与材料显微结构共同作用,介电损耗先降低后增高,热导率Kc则先增高后降低。热压温度为370℃时,复合材料性能较好(εr=2.90,tanδ=0.001 1,A=0.58‰,Kc=0.566W/(m·℃))。
- 崔毓仁袁颖钟朝位
- 关键词：复合材料SIO2结晶度
- 石英SiO_2改性Al_2O_3陶瓷性能研究被引量：1
- 2014年
- 以高纯石英SiO2、氧化铝粉末为原料,采用传统固相反应法在1 580℃空气中烧结得到了致密的Al2O3封装陶瓷。研究了不同石英SiO2/Al2O3配比对Al2O3陶瓷的热学性能、力学性能及介电性能的影响。研究结果表明,当石英SiO2的质量分数为3.5%时,在1 580℃烧结温度下保温3h所得样品综合性能最佳。陶瓷试样密度为3.85g/cm3,抗弯强度达到517 MPa,热膨胀系数为6.6×10-6(300℃),介电常数为9.4。
- 张亭亭常耿周晓华
- 关键词：氧化铝陶瓷抗弯强度热膨胀系数介电性能
- BSNBT系微波陶瓷性能研究
- 2014年
- 通过XRD、SEM等技术对Ba4 [Sm1-x（Nd0.8 Bi0.2）x]28/3 Ti18O54 （BSNBT,x=0.15～0.9）系陶瓷的结构组成、显微形貌、烧结温度及介电性能进行综合表征和研究.当x=0.45时,在1 320℃烧结获得了高介电常数、高品质因数及近似零谐振频率温度系数的最优微波性能：εr=90.22,Q×f=7 192 GHz,τf=-1.39μ℃-1.随着x增大,即Ba（Nd,Bi）2Ti4O12 （BNBT）相增加,陶瓷烧结温度从1 450℃降低到1 300℃,烧结特性也随之改善并得到实际应用.
- 常耿张树人周晓华
- 关键词：微波介质陶瓷高介电常数品质因数
- PTFE/SiO_2复合材料的DSC分析及其结晶行为研究被引量：2
- 2013年
- 采用DSC技术,研究不同热压温度制备的PTFE/SiO2复合材料以及纳米SiO2部分取代微米SiO2的PTFE/SiO2复合材料的非等温结晶行为。DSC分析表明热压温度高于370℃时,PTFE分子聚合度下降,晶态PTFE微观形貌发生改变,其性能恶化。对复合材料非等温结晶DSC曲线应用Avrami方程分析发现,结晶过程包含了均相成核和异相成核两种成核机理。纳米SiO2取代部分微米SiO2量小于0.25%时,对PTFE成核作用有一定提升,当取代量大于0.25%时,由于偶联剂用量一定,造成SiO2颗粒团聚以及与PTFE界面相容性变差,成核效果不明显。
- 崔毓仁钟朝位袁颖
- 关键词：DSC结晶度热压温度异相成核
- 热压温度对PTFE/GF复合基板性能的影响被引量：1
- 2016年
- 采用热压工艺制备聚四氟乙烯/玻纤布微波复合介质基板。系统研究了热压温度对聚四氟乙烯/玻纤布复合基板吸水率、介电性能、热膨胀系数及显微结构的影响。采用差示扫描量热法研究玻纤布对聚四氟乙烯的热行为影响。采用矢量网络分析仪对聚四氟乙烯/玻纤布复合基板介电性能进行测试,发现370℃热压的样品具有较低的介电常数与介电损耗（εr=2.2,tanδ=8.7×10-4）。采用热机械分析法（TMA）测量不同热压温度制备的聚四氟乙烯/玻纤布复合介质基板z轴的热膨胀系数,发现370℃时热压制备的复合介质板具有最低的热膨胀系数（CTE=160.1×10-6/℃,1～100℃）。
- 杨熙杨俊于丁丁尹玉婷袁颖许绍俊
- 关键词：聚四氟乙烯玻纤布热压温度
- 复配偶联剂对SiO_2/聚四氟乙烯复合材料性能的影响被引量：13
- 2015年
- 制备了不同组分配比的氨丙基三乙氧基硅烷(KH550)-苯基三甲氧基硅烷(Z6124)复配偶联剂(KH550-Z6124)改性SiO2/聚四氟乙烯(PTFE)复合材料,系统地研究了KH550-Z6124组分配比对复合材料介电性能、吸水率和导热性能的影响。采用Lichtenecker模型计算了SiO2/PTFE复合材料的介电常数和介电损耗理论值,并与实验值进行对比。结果表明:当KH550、Z6124的含量(以SiO2的质量为基准)分别为0.3wt%和1.7wt%时,KH550-Z6124改性SiO2/PTFE复合材料的介电损耗由Z6124改性SiO2/PTFE复合材料的1.7×10-3降低至1.0×10-3,吸水率由0.082 6wt%降低至0.020 3wt%,导热率提高66%;SEM形貌分析发现KH550-Z6124改性SiO2颗粒在PTFE基体中均匀分散,界面连接更紧密;KH550-Z6124改性SiO2/PTFE复合材料的介电常数和介电损耗实验值更接近其理论值。
- 游媛媛袁颖
- 关键词：复合材料SIO2聚四氟乙烯偶联剂介电损耗
- SiO_2-TiO_2/聚四氟乙烯复合材料的制备及热膨胀性能被引量：27
- 2013年
- 为了使微波基板材料与Cu金属衬底的热膨胀性能匹配，对陶瓷/聚四氟乙烯（PTFE）微波复合基板材料的热膨胀性能进行了研究。采用湿法工艺制备了以SiO2和TiO2为填料的SiO2-TiO2/PTFE复合材料，研究了复合材料密度、填料粒度和填料体积分数对SiO2-TiO2/PTFE复合材料热膨胀性能的影响。结果表明，当SiO2的体积分数由0增至40%（TiO2 ：34%~26%）时，SiO2-TiO2/PTFE复合材料的线膨胀系数（CTE）由50.13×10-6 K-1减小至10.03×10-6K-1。陶瓷粉体粒径和复合材料密度减小会导致CTE减小。通过ROM、Turner和Kerner模型计算CTE发现，ROM和Kerner模型与实验数据较相符，而实验值与Turner模型预测值之间的差异随PTFE含量的升高而逐渐增大。
- 闫翔宇袁颖张树人吴开拓崔毓仁
- 关键词：复合材料聚四氟乙烯TIO2SIO2线膨胀系数
- 烧结工艺对SiO_2-TiO_2/PTFE复合材料性能的影响被引量：3
- 2014年
- 采用湿法工艺,并通过马弗炉烧结与热压烧结,制备了SiO2与TiO2共同填充的聚四氟乙烯(PTFE)复合材料。系统研究了两种填料不同掺杂比及不同烧结工艺对复合材料密度、显微结构、介电性能和热膨胀性能的影响。结果表明,与马弗炉烧结相比,热压烧结工艺制备的复合材料具有更稳定的密度和较小的吸水率,但介电损耗较高;ROM和Kerner模型能较好地对线膨胀系数进行预测,其理论值与实验值的变化规律一致。对于用2种烧结方法制备的复合材料,通过Lichtenecker对数法则计算所得介电常数与实验值均较吻合。
- 闫翔宇袁颖吴开拓崔毓仁
- 关键词：复合材料TIO2SIO2热压烧结
- 低损耗ZrTi_2O_6填充PTFE复合基板性能被引量：7
- 2013年
- 采用热压成型工艺，制备了一种低损耗ZrTi2O6陶瓷填充聚四氟乙烯（PTFE）的新型微波复合基板材料。采用介质谐振器法研究了ZrTi2O6/PTFE复合材料的微波介电性能（8~12 GHz）。结果表明，ZrTi2O6/PTFE复合材料的相对介电常数（ε r）和介电损耗（tanδ）随着ZrTi2O6陶瓷体积分数（0~46%）的增加而增大，介电常数实验值与Lichtenecker模型预测值最吻合。ZrTi2O6/PTFE复合材料的热膨胀系数和介电常数温度系数随着ZrTi2O6陶瓷体积分数的增加而减小。46%的ZrTi2O6为较优填料比例，ZrTi2O6/PTFE的相对介电常数为7.42，介电损耗为0.0022（10 GHz）。
- 吴开拓袁颖张树人闫翔宇崔毓仁
- 关键词：复合材料聚四氟乙烯介电特性基板
