陕西省教育厅科研计划项目(12JK0434)
- 作品数：3 被引量：14H指数：2
- 相关作者：成鹏飞李盛涛王辉李建英曹壮更多>>
- 相关机构：西安工程大学西安交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金陕西省教育厅科研计划项目博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程化学工程更多>>
- K掺杂优化CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷介电性能的研究被引量：1
- 2019年
- 使用固相反应法制备了不同浓度K^+掺杂的CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO)陶瓷试样,采用XRD、SEM、EDS、XPS、宽频介电谱仪对掺杂后的CCTO陶瓷的相结构、显微结构、晶粒与晶界内阳离子分布、阳离子氧化态、介电性能进行了表征,结果表明:K^+优先替代了Ca^(2+)形成受主掺杂。根据电荷守恒,晶粒内以生成氧空位为主,金属离子析出被抑制,此时晶粒尺寸趋于减小。当掺杂浓度超过6 mol%时,晶胞膨胀形成了Cu空位。介电性能的变化与点缺陷和显微结构的变化有关,K^+掺杂后,晶粒尺寸先减小,然后随掺杂浓度的增加而增大。掺杂使晶界与晶粒比例的变化或阻抗的改变,导致了晶粒尺寸或阻抗的变化,从而影响CCTO介电性能。因此,点缺陷调控是改善CCTO介电性能的有效方式。
- 曹壮成鹏飞宋江
- 关键词：CACU3TI4O12掺杂介电性能
- Zno压敏陶瓷的介电谱被引量：5
- 2012年
- 在-160℃—200℃温度范围内、0.1 Hz—0.1 MHz频率范围内测量了ZnO压敏陶瓷的介电频谱,发现可以采用电导率谱低频端的类直流特性来表征晶界Schottky势垒的电子输运过程,获得的Schottky势垒高度为0.77 eV.基于背靠背双Schottky势垒模型,提出当存在直流偏压时,势垒高度将随直流偏压线性增大.基于此势垒模型计算了ZnO压敏陶瓷单晶界的直流偏压大小,进而计算出晶粒平均尺寸为6.8μm,该理论值与通过扫描电子显微镜断面照片获得的测量值的偏差在5%以内.可见采用介电谱不但可以获得势垒高度实现电气性能的表征,还能获得晶粒尺寸实现显微结构的表征.
- 成鹏飞李盛涛李建英
- CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的介电特性与弛豫机理被引量：8
- 2013年
- 本文采用Novocontrol宽频介电谱仪在100℃—100℃温度范围内、0.1Hz—10MHz频率范围内测量了表面层打磨前后CaCu3Ti4O12陶瓷的介电特性,分析了CaCu3Ti4O12陶瓷的介电弛豫机理.首先,基于对宏观"壳-心"结构的定量分析,排除了巨介电常数起源于表面层效应的可能性;其次,基于经典Maxwell-Wagner夹层极化及其活化能物理本质的分析,排除了巨介电常数起源于经典Maxwell-Wagner极化的可能性;最后,依据晶界Schottky势垒与本征点缺陷的本质联系,提出了巨介电常数起源于Schottky势垒边界陷阱电子弛豫的新机理.陷阱电子弛豫机理反映了CaCu3Ti4O12陶瓷本征点缺陷、电导、介电常数之间的本质关系.
- 成鹏飞王辉李盛涛
- 关键词：CACU3TI4O12介电弛豫点缺陷
- CaCu3Ti4O12巨介电常数陶瓷掺杂改性研究
- CaCuTiO(以下简称CCTO)陶瓷是一种具有钙钛矿结构的材料,其介电常数在100Hz的频率范围内几乎不变。除了具有典型的TiO八面体外,CCTO具有的刚性CuO正方形结构能够有效抑制钙钛矿结构的铁电相变,使得CCTO...
- 曹壮
- 关键词：CACU3TI4O12巨介电常数氧空位介电损耗掺杂
- 文献传递
