国家自然科学基金(59972104)
- 作品数：4 被引量：29H指数：3
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- 相关领域：一般工业技术化学工程理学电气工程更多>>
- TiO_2含量对微波介质瓷Zr_xTi_(1-x)O_2致密化、微结构及介电性能的影响被引量：1
- 2001年
- 制备了一系列ZrxTi1-xO2(x=0.40～0.60)微波介质瓷,对其致密化、微结构及介电性能进行了研究.XRD物相分析样品为单一均相的ZrTiO4.在相同的烧结温度下,TiO2含量越高,样品越不易致密,相对密度越低,晶粒越易长大.样品的相对密度越高,其介电常数和品质因数越大.相对密度高于90%时,对样品介电性能的影响可以忽略,成份起主导作用.随着TiO2含量增加,样品的介电常数增大,品质因数降低.
- 张淑霞李建保曹俊张波翟华嶂
- 关键词：致密化微结构介电性能
- 晶粒原位异向生长与自增韧陶瓷材料被引量：14
- 2002年
- 增韧技术对于脆性陶瓷材料来说是一个重要的课题。一种将细长晶粒比如晶须、晶板等分散于陶瓷块体材料中以提高其韧性的方法已经取得了巨大的成功。详细叙述了陶瓷块体材料中晶粒原位异向生长的新近研究成果 ,主要包括晶粒生长机制、晶粒形貌、显微结构及原位复合陶瓷材料的性能。
- 戴金辉李建保
- 关键词：原位增韧陶瓷复合材料
- 不同形貌TaC_x晶须的制备及生长机理被引量：7
- 2002年
- 通过不同的原料体系在合适的工艺条件下成功制备出碳化钽晶须 (Ta Cx)。由 Ta2 O5- Na Cl- C- Ni和 Ta2 O5- Na F-C- C1 2 H2 2 O1 1 (蔗糖 )体系制备的晶须呈平直的纤维形态 ,其生长机理为气 -液 -固 (VL S)机制。由 Ta2 O5- KCl- C- Ni体系制备的晶须一部分通过 VL S机理生长 ,而另一部分则通过 L S机理生长 ,前者呈四方柱状 ,后者呈具有锥状柱体和之字形端部的特殊形貌。所有的原料体系均是在相近的工艺条件下进行 ,即反应温度 115 0～ 135 0℃ ,氮气气氛保护。本工作对晶须的化学成分、形貌。
- 陈拥军李建保魏强民翟华嶂
- 关键词：形貌碳化钽晶体结构
- 钛酸锆固溶体微波介电瓷的制备与性能被引量：7
- 2002年
- 用共沉淀的方法制备了一系列 Zrx Ti1 - x O4(0 .4≤ x≤ 0 .6 )纳米粉 ,XRD物相分析为 Zr Ti O4固溶体 ,TEM观察粒子粒径为 2 0～ 30 nm。通过制陶实验对该系列固溶体的烧结特性、形貌及介电性能进行了研究。结果表明 ,Ti O2含量影响固溶体的最佳烧结温度 ,在相同的烧结温度下 ,Ti O2 含量越高 ,瓷体的相对密度越低 ,晶粒越大。该材料有很好的频率、温度稳定性 ,其介电性能与组成和瓷体的相对密度有关。介电常数和品质因数随瓷体相对密度增大而增大。当材料的相对密度高于 90 %时 ,随着 Ti O2 含量增加 ,其介电常数增大 。
- 张淑霞李建保曹俊翟华嶂张波
- 关键词：固溶体介电性能微波介电陶瓷烧结性能
