吉林省科技发展计划基金(20010305)
- 作品数：6 被引量：69H指数：4
- 相关作者：付国柱荆海廖燕平黄金英郜峰利更多>>
- 相关机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所北方液晶工程研究开发中心长春光学精密机械学院更多>>
- 发文基金：吉林省科技发展计划基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- LCOS技术的发展被引量：25
- 2002年
- 介绍了LCOS器件结构 ,应用中的关键问题。描述了投影显示关键参数 (分辨率、对比度、投影光学、系统的光通量、彩色化、灯及屏幕 )及优化方法。讨论了有待于研究开发的问题 。
- 黄锡珉
- 关键词：LCOS液晶显示大屏幕显示
- 氢原子在Cat-CVD法制备多晶硅薄膜中的作用被引量：7
- 2004年
- 采用钨丝催化化学气相沉积(Cat CVD)方法制备多晶硅(p Si)薄膜,研究氢气稀释率(FR(H2)/(FR(H2)+FR(SiH4))对制备多晶硅薄膜的影响。XRD和喇曼光谱分析分别显示(111)面取向的多晶硅峰及喇曼频移为520cm-1多晶硅峰的强度随氢气稀释率的增加而增强,由喇曼光谱计算的结晶度也有同样的趋势。通过分析测试结果得出,氢原子以表面脱氢、刻蚀弱的Si—Si键,及进入晶格内部进行深度脱氢等方式改善薄膜材料的结晶度。
- 邝俊峰付国柱高博高文涛黄金英廖燕平荆海
- 关键词：多晶硅薄膜氢原子催化化学气相沉积
- Cat-CVD法制备硅薄膜及在TFT中的应用进展被引量：1
- 2006年
- 目前有源平板显示领域主要采用PECVD法制备TFT用硅薄膜,但是由于PECVD中等离子对Si薄膜的损伤以及淀积薄膜的温度很高的缺点,使其在制备高迁移率TFT的应用中受到了限制。新出现的催化化学气相淀积法(Cat-CVD)与PECVD法相比,具有淀积速率高、原料气体利用效率高、衬底温度低、生长的薄膜致密、电学特性好等优点,将更有希望成为TFT用硅薄膜制备的新技术。文章对Cat-CVD法的工作机理及其在TFT中的应用进展进行了详细总结,归纳了各种催化丝材料,并对当前Cat-CVD技术研究中的不足及其以后的研究发展进行了讨论。
- 刘少林邹兆一庞春霖付国柱邱法斌
- 关键词：硅薄膜薄膜晶体管
- TFT LCD应用发展趋势被引量：9
- 2002年
- 杨虹
- 关键词：TFTLCD
- 多晶硅薄膜晶体管工艺中的反应性离子刻蚀被引量：2
- 2002年
- 对多晶硅薄膜晶体管器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行研究 ,给出了Ta、p Si等多晶硅薄膜晶体管器件中常见薄膜的刻蚀速率 ,通过工艺参数的优化 ,使薄膜间的选择比在 2～ 2 0可选择 ;并通过气体掺杂 ,实现了SiNx 对 p Si的选择比从 - 1到
- 王大海李轶华孙艳吴渊陈国军付国柱荆海万春明
- 关键词：多晶硅薄膜晶体管刻蚀速率选择比有源矩阵液晶显示器
- 激光晶化多晶硅的制备与XRD谱被引量：26
- 2004年
- 对氢化非晶硅(a-Si:H)进行了脱氢和不同能量密度的准分子激光晶化多晶硅的实验,对所得样品用X射线衍射表征.针对多晶硅(111)面特征峰的强度、晶面间距和宽化信息,分析了激光功率密度对晶化多晶硅结晶度和应力的影响,根据谢乐公式(Scherrer)估算了晶粒的大小,得到用准分子激光晶化多晶硅的较佳工艺参数,并且验证了激光辐射对薄膜材料作用的3种情况.
- 廖燕平黄金英郜峰利邵喜斌付国柱荆海缪国庆
- 关键词：氢化非晶硅脱氢激光晶化多晶硅X射线衍射半宽度
