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微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室基金(51491050105DZ0201)

作品数:7 被引量:16H指数:3
相关作者:叶玉堂焦世龙陈堂胜李拂晓蒋幼泉更多>>
相关机构:电子科技大学南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路国家级 重点实验室更多>>
发文基金:微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室基金国家自然科学基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 7篇电子电信

主题

  • 5篇放大器
  • 4篇眼图
  • 4篇GAAS_P...
  • 3篇前置放大器
  • 3篇接收机
  • 3篇光接收
  • 3篇光接收机
  • 3篇光接收机前端
  • 3篇分布放大器
  • 2篇单片
  • 2篇单片集成
  • 2篇PHEMT
  • 2篇PREAMP...
  • 1篇电路
  • 1篇噪声系数
  • 1篇阻抗
  • 1篇跨阻前置放大...
  • 1篇宽带
  • 1篇集成电路
  • 1篇光电

机构

  • 7篇电子科技大学
  • 7篇南京电子器件...
  • 5篇微波毫米波单...

作者

  • 7篇焦世龙
  • 7篇叶玉堂
  • 6篇陈堂胜
  • 5篇蒋幼泉
  • 5篇李拂晓
  • 4篇冯欧
  • 3篇邵凯
  • 2篇杨立杰
  • 2篇冯忠
  • 2篇范超
  • 2篇钱峰
  • 1篇杨先明
  • 1篇陈镇龙
  • 1篇李辉
  • 1篇赵亮
  • 1篇陈辰
  • 1篇冯暐

传媒

  • 3篇Journa...
  • 2篇电子学报
  • 2篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2008
  • 5篇2007
  • 1篇2006
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
10Gb/s GaAs PHEMT Current Mode Transimpedance Preamplifier for Optical Receiver
2007年
A single power supply common-gate (CG) current mode transimpedance preamplifier (TIA) is developed with a 0.5μm GaAs PHEMT process. The amplifier has a measured - 3dB bandwidth of 7. 5GHz and a transimpedance gain of 45dBΩ. Both the input and output voltage standing wave ratios (VSWR) are less than 2 within the bandwidth. The equivalent input noise current spectral density varies from 14.3 to 22pA/√Hz, with an average value of 17. 2pA/√Hz. Having a timing jitter of 14ps and eye amplitude of about 138mV,the measured output eye diagram for 10Gb/s NRZ pseudorandom binary sequence (PRBS) is clear and satisfactory.
焦世龙叶玉堂陈堂胜冯欧蒋幼泉范超李拂晓
关键词:PREAMPLIFIER
20GHz宽带GaAs PHEMT分布式前置放大器被引量:7
2007年
采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制了一种光接收机分布式前置放大器.该放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz^16GHz范围内,输入、输出电压驻波比(VSWR)均小于2;带内噪声系数在3.03~6.5dB之间,平均等效输入噪声电流密度约为14.6pA/Hz;在输入10Gb/s非归零(NRZ)伪随机二进制序列(PRBS)信号下,放大器输出眼图清晰,具有12ps的定时抖动和166mV峰峰电压.
焦世龙陈堂胜蒋幼泉钱峰李拂晓邵凯叶玉堂
关键词:分布放大器噪声系数眼图
A 10Gb/s GaAs PHEMT High Gain Preamplifier for Optical Receivers被引量:2
2007年
A high gain cascade connected preamplifier for optical receivers is developed with 0.5μm GaAs PHEMT technology from the Nanjing Electronic Devices Institute. To begin with, the transimpedance amplifier has a -3dB bandwidth of 10GHz, with a small signal gain of around 9dB. The post-stage distributed amplifier (DA) has a -3dB bandwidth of close to 20GHz,with a small signal gain of around 12dB. As a whole,the cascade preamplifier has a measured small signal gain of 21.3dB and a transimpedance of 55.3dBΩ in a 50Ω system. With a higher signal-to-noise ratio than that of the TIA and a markedly improved waveform distortion compared with that of the DA, the measured output eye diagram for 10Gb/s NRZ pseudorandom binary sequence is clear and symmetric.
焦世龙杨先明赵亮李辉陈镇龙陈堂胜邵凯叶玉堂
关键词:PREAMPLIFIERCASCADE
一种850nm单片集成光接收机前端
2007年
采用0.5μm GaAs PHEMT工艺和台面光刻互连工艺研制了一种850nm光接收机前端单片电路,包括金属-半导体-金属光探测器和跨阻前置放大器。探测器光敏面积约2000μm2,电容小于0.15pF,4V偏压下的暗电流小于14nA。跨阻前置放大器-3dB带宽接近10GHz,跨阻增益约43dBΩ。光接收机前端在输入2.5Gb/s非归零伪随机二进制序列调制的850nm光信号下得到较为清晰的输出眼图。
冯欧冯忠杨立杰焦世龙蒋幼泉陈堂胜李拂晓叶玉堂
关键词:跨阻前置放大器光电集成电路眼图
单片集成GaAsPIN/PHEMT光接收机前端工艺研究被引量:2
2008年
利用0.5μm GaAs PHEMT技术研究了适用于单片集成GaAs PIN/PHEMT光接收机前端的关键工艺,解决了台面工艺和PHEMT平面工艺的兼容性问题,包括不同浓度磷酸系腐蚀液对台面腐蚀均匀性的影响、台面与平面共有金属化工艺对光刻技术的要求。结果表明,工艺技术完全满足单片设计要求,研制得到的单片集成光接收机前端在输入1Gb/s和2.5Gb/s非归零(NRZ)伪随机二进制序列(PRBS)调制的光信号下得到较为清晰的输出眼图。
冯忠焦世龙冯欧杨立杰蒋幼泉陈堂胜陈辰叶玉堂
关键词:单片集成分布放大器光接收机眼图
5Gb/s单片集成GaAs MSM/PHEMT 850nm光接收机前端被引量:3
2007年
采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制出了一种单片集成850nm光接收机前端,它包括金属-半导体-金属(MSM)光探测器和分布放大器.探测器光敏面积为50μm×50μm,电容为0.17pF,4V偏压下的暗电流小于17nA.分布放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz^16GHz范围内,输入、输出电压驻波比均小于2;噪声系数在3.03~6.5dB之间.光接收机前端在输入2.5和5Gb/s非归零伪随机二进制序列调制的光信号下,得到较为清晰的输出眼图.
焦世龙陈堂胜钱峰冯欧蒋幼泉李拂晓邵凯叶玉堂
关键词:分布放大器光接收机眼图
12 Gb/s GaAs PHEMT跨阻抗前置放大器被引量:3
2006年
采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制了一种单电源偏置光接收机跨阻抗前置放大器.放大器-3dB带宽约为9.5GHz;在50MHz^7.5GHz范围内,跨阻增益为43.5±1.5dBΩ,输入输出回波损耗均小于-10dB;带内噪声系数在4dB^6.5dB之间,由此得到的最小等效输入噪声电流密度约为17.6pA/Hz;输入12Gb/s NRI伪随机序列时,放大器输出眼图清晰,眼开良好.
焦世龙冯暐陈堂胜范超李拂晓叶玉堂
关键词:PHEMT前置放大器
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