贵州省科技攻关计划(GY[2011]3015)
- 作品数：16 被引量：63H指数：5
- 相关作者：谢泉肖清泉廖杨芳黄晋马瑞更多>>
- 相关机构：贵州大学贵州师范大学北京道冲泰科科技有限公司更多>>
- 发文基金：贵州省科技攻关计划国家自然科学基金贵州省国际科技合作计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学金属学及工艺自动化与计算机技术更多>>
- 光敏电阻的特性研究被引量：2
- 2016年
- 光敏电阻作为一种重要的光电转换元件,在自动控制、工业测量、家用电器等领域得到了广泛应用。本文介绍了光敏电阻的特性和主要参数,通过对不同实验条件下得到的特性数据进行分析,验证了光敏电阻的光照特性、伏安特性、光谱特性和延时特性。
- 刘栋谢泉房迪
- 关键词：光敏电阻伏安特性光谱特性延时特性
- 厚膜电阻浆料的研究现状与发展趋势被引量：8
- 2016年
- 针对厚膜电阻浆料的研究现状,探讨厚膜电阻浆料中功能相的种类和粒度,玻璃相、有机载体的成分及含量等因素对厚膜电阻浆料的印刷性能和电性能的影响,简述了添加剂的种类对厚膜电阻的电导率等电性能的影响。因此,厚膜电阻浆料的性能参数是各因素相互作用的结果,通过改变各组分的成分、含量等,获得高性能厚膜电阻浆料配方。
- 李娟谢泉黄晋吴良庆贺晓金
- 关键词：玻璃相添加剂
- 冷速对液态Ti_3Al合金快速凝固过程中微观结构变化的影响
- 2013年
- 采用分子动力学方法模拟研究了不同冷速条件下液态Ti3Al合金的凝固过程。采用对相关函数法、原子团类型指数法(CTIM)对凝固过程中团簇结构的变化进行了分析。结果表明:在以1×1012K/s,1×1013K/s,1×1014K/s三种不同冷速条件下,系统都形成了以(12 0 12 0)基本原子团为主的非晶态结构,冷速对于Ti3Al合金凝固过程微观结构的影响主要是通过(12 0 12 0)基本原子团数目变化体现出来,(12 0 12 0)基本原子团在Ti3Al合金快速凝固过程团簇结构演变中起了主要作用。冷速越低,Ti3Al合金的玻璃态转化温度越低,体统形成的(12 0 12 0)基本原子团数目越多,非晶体的结构越稳定。
- 秦云翔谢泉高廷红闫万珺郭笑天范梦慧
- 关键词：凝固过程团簇结构
- Si衬底上低真空热处理制备单一相Mg_2Si半导体薄膜被引量：4
- 2013年
- 采用磁控溅射沉积方法制备Mg2Si半导体薄膜。首先在Si衬底上沉积Mg膜,随后低真空热处理。采用X射线衍射、扫描电镜、拉曼光谱对Mg2Si薄膜的结构进行表征。研究了在低真空(10-1～10-2Pa)条件下热处理温度(350～550℃)和热处理时间(3～7h)对Mg2Si薄膜形成的影响。结果表明,低真空热处理条件下制备了单一相Mg2Si半导体薄膜,400～550℃热处理4～5h是最佳的热处理条件。在拉曼谱中256和690cm-1处观察到两个散射峰,这与Mg2Si的拉曼特征峰峰位一致。
- 肖清泉谢泉沈向前张晋敏陈茜
- 关键词：半导体薄膜MG2SI磁控溅射
- 机械合金化制备Fe_3Si金属间化合物的研究进展被引量：4
- 2016年
- 综述了用机械合金化法制备金属间化合物Fe_3Si的研究现状和发展情况。介绍了球磨时间、球料比、分散剂等球磨参数对Fe_3Si机械合金化过程的影响,同时还介绍了热处理工艺对Fe_3Si合金的影响,以及Fe_3Si机械合金化后粉体的成形烧结工艺及性能。讨论了制备金属间化合物Fe_3Si机械合金化的发展前景。
- 马瑞谢泉万明攀黄晋
- 关键词：FE3SI金属间化合物机械合金化
- 基于Mg2Si薄膜的异质结研究现状
- 2016年
- 1.前言在半导体材料的应用范围越来越广的同时,由于其含有大量的有毒有害物质而被广泛关注,这时作为环境友好型材料的Mg2Si薄膜就应运而生了。Mg2Si由于其储量丰富且廉价,还具备了耐腐蚀、无污染、抗氧化、无毒无害、能与传统的Si工艺兼容等优势,被广而深地分析研究,经过了近几年的努力研究,不断地有新的研究成果出现,如在其光学特性和电子结构的计算领域。因此,对Mg2Si薄膜异质结等内容进行研究。
- 念刘飞余宏周筑文徐林谢泉
- 关键词：异质结MG2SI光学特性热蒸发法电子结构电池材料
- 环境半导体Fe_3Si的制备及性能研究
- 2016年
- Fe-Si化合物一直作为环境半导体领域热点之一,深受人们的关注,这主要是因为它们在热电,光电,电磁学等各个领域有着广泛并且非常深入的应用,由于它们具有各种各样的电磁学方面的性质,Fe-Si合金化合物是被作为在热量稳定性接触,环保型太阳能电池,冷光光源,磁阻性转换器件和自旋电子器件等相关领域具有非常美好应用前景的明星材料之一,本文主要根据它的优良性质以及Fe_3Si的常见科研制备方法,有针对性地对其进行深入、系统的研究。
- 吴良庆
- 关键词：FE3SI功能材料
- Mg膜厚度对Mg_2Si半导体薄膜结构及方块电阻的影响
- 2015年
- 采用射频磁控溅射系统和热处理系统制备了Mg2Si半导体薄膜。首先在Si衬底上溅射不同厚度的Mg膜,然后在真空退火炉中进行低真空热处理4 h制备一系列Mg2Si半导体薄膜。采用台阶仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对Mg2Si薄膜样品的结构、表面形貌、剖面进行表征,研究了Mg膜厚度对Mg2Si半导体薄膜生成的影响。结果表明,在Si衬底上制备出以Mg2Si(220)为主的单一相Mg2Si薄膜,且Mg2Si(220)的衍射峰强度随着Mg膜厚度的增加先增大后减小,Mg膜为2.52μm时,制备的Mg2Si薄膜表现出了良好的结晶度和平整度。最后,研究了Mg膜厚度对Mg2Si薄膜方块电阻的影响。
- 杨云良廖杨芳姚震震肖清泉张宝晖章竞予谢泉
- 关键词：磁控溅射薄膜厚度方块电阻
- SiC基稀磁半导体材料的研究进展被引量：1
- 2017年
- 稀磁半导体材料(DMS)是一种新型的磁性半导体材料,它同时利用了电子的电荷和自旋属性,兼有铁磁性能和半导体性能,在自旋电子器件领域有着重要的研究价值。主要介绍了DMS的发展过程,总结了最近几年SiC基稀磁半导体材料的研究进展,包括制备方法、性质研究和存在的主要问题,并展望了今后的研究方向。
- 王凯谢泉范梦慧
- 关键词：居里温度铁磁性
- Mg_2Si半导体薄膜的热蒸发制备被引量：10
- 2013年
- 采用电阻式热蒸发方法和退火工艺制备出了Mg2Si半导体薄膜。研究了退火时间对Mg2Si薄膜的形成和结构的影响。首先在Si(111)衬底上沉积380nm Mg膜,然后在退火炉低真空10-1～10-2Pa氛围400℃退火,退火时间分别为3、4、5、6和7h。通过X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)和拉曼光谱仪对薄膜的结构、形貌和光学性质进行了表征。结果表明,采用电阻式热蒸发方法成功地制备了半导体Mg2Si薄膜,Mg2Si薄膜具有Mg2Si(220)的择优生长特性。最强衍射峰出现在40.12°位置,随着退火时间的延长,Mg2Si(220)衍射峰强度先逐渐变强后变弱,退火4h时该峰强度最强。在256和690cm-1附近有两个Mg2Si拉曼特征峰,退火时间为4和7h时,256cm-1附近Mg2Si拉曼特征峰较强。
- 余宏谢泉肖清泉陈茜
- 关键词：热蒸发退火时间
