湖南省自然科学基金(10JJ9014)
- 作品数：4 被引量：6H指数：2
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- 基于蒙特卡罗方法的GaN,SiC等半导体β辐射特性研究
- 2013年
- 利用蒙特卡罗方法研究了GaN、SiC等几种宽带隙半导体材料在β源辐照下的行为。结果表明表层中沉积的β粒子数密度随材料密度的增加而增加,其最大电子数密度与物质密度间存在近似的线性关系;电子数密度随粒子入射深度成指数衰减,随横向迁移距离的增加而迅速衰减,其横向最大迁移距离在6 mm左右。相对高能电子而言,低能电子更容易发生电离作用,且电子的沉积能随入射深度逐渐减少。对于0.1500 keV的入射电子,GaN、SiC等半导体材料的背散射系数大约在0.040.38之间,其大小与材料及入射电子能量有关。β粒子在GaN、SiC等材料中的射程都比较短,对于0.5 MeV的β粒子其最大射程不超过1 mm。
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- 关键词：蒙特卡罗方法宽带隙半导体射程
- 直接充电式核电池能量转换效率提高研究被引量：3
- 2011年
- 通过分析直接充电式核电池的结构和工作原理,给出了直接充电式核电池等效电路。在此基础上,得到了直接充电式核电池的充电方程,及用于计算在不同负载阻值情况下输出功率的简化模型。简化模型最大理论输出功率及伏安特性曲线与Warren F.Windle实验符合很好。考虑到直接充电式核电池能量转换过程,提出了提高能量转换效率的途径:选择合适的负载,增大充电电流,并对影响充电电流的因素(源效率、几何因子和二次电子)进行了探讨和优化,以增大充电电流。
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- 关键词：简化模型输出功率能量转换效率
- β辐射宽带隙半导体材料的电离特性研究
- 基于蒙特卡罗方法软件MCNP模拟了GaN、SiC等几种典型宽带隙半导体材料在Srβ放射源辐照下的辐射电离特性,包括辐射电离能量沉积,自由电子空间分布及自由电子谱分布等。研究表明半导体材料中的自由电子数密度随穿透深度成指数...
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- 关键词：MCNP宽带隙半导体辐射电离
- 文献传递
- GaN放射性同位素微电池源的选取被引量：1
- 2011年
- 介绍了放射性同位素微电池的工作原理、选择GaN做为微电池能量转换材料的优势及同位素源选择的一些原则.为给GaN微电池找到一种合适的放射源,建立了Monte Carlo模拟计算模型.计算结果分析表明对于GaN放射性同位素微电池来说,最大能量为50 keV到100 keV区段的纯β放射体做源最为理想.
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- 关键词：GANMCNPX
- 直接充电式核电池理论研究
- 直接充电式核电池效率很低。为提高直接充电式核电池效率,基于其结构和工作原理,建立了直接充电式核电池理论模型并给出电池输出功率和效率的计算公式。简化理论模型的最大输出功率与实验最大输出功率符合较好,误差约为4.0%。简化理...
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- 关键词：输出功率
- 文献传递
- 放射性同位素电池的研究及进展被引量：3
- 2011年
- 放射性同位素电池在能量密度、体积、寿命等方面有其自身的优势,因而在很多领域得到广泛应用。该文对各类型放射性同位素电池的工作原理、特点、发展情况及其应用等进行了全面介绍,展望了同位素电池的发展前景和方向。
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