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N离子注入富氧ZnO薄膜的p型导电及拉曼特性研究: 2013年; 采用射频磁控溅射法在富氧环境下制备ZnO薄膜,继而结合N离子注入及热退火实现薄膜的N掺杂及p型转变,借助霍尔测试和拉曼光谱研究了N离子注入富氧ZnO薄膜的p型导电及拉曼特性.结果表明,在600C温度下退火120min可获得性能较优的p-ZnO:N薄膜,其空穴浓度约为2.527×10(17)cm(-3).N离子注入ZnO引入了三个附加拉曼振动模,分别位于274.2,506.7和640.4cm(-1).结合电学及拉曼光谱的分析发现,退火过程中施主缺陷与N受主之间的相互作用对p-ZnO的形成产生重要影响.; 杨天勇孔春阳阮海波秦国平李万俊梁薇薇孟祥丹赵永红方亮崔玉亭; 关键词：离子注入拉曼光谱

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国家自然科学基金(1075314)