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基于PD SOI工艺的8Kb抗辐照静态存储器: 2009年; SOI工艺具有内在的抗辐照能力,因此被广泛地应用于航天、军事等高可靠领域。本文基于我国目前最先进的0.5μm的PD SOI工艺设计了8Kb的SRAM,并且采用体引出、环形栅等多种技术对其进行了抗辐射加固。模拟表明该SRAM的读写时间小于20ns,50MHz下平均功耗小于55.8mW。; 刘必慰陈书明梁斌陈川徐再林; 关键词：抗辐照 PD SOI 静态存储器

SET无衰减传播临界脉冲宽度的建模: 2009年; 本文利用SPICE电路模拟手段研究了SET在不同扇出反相器链中的传播。结果发现能够在反相器链中无衰减传播的临界脉冲宽度与反相器的传播延迟之间具有良好的线性关系,并以此为基础提出了一种估计数字电路中无衰减传播临界脉冲宽度的模型。在不同的晶体管尺寸设计、不同工作条件以及不同电路类型下的模拟结果表明,本文提出的模型能够在保证较高估计精度的条件下有效地减小实验代价。; 梁斌陈书明赵振宇刘征; 关键词：电路模拟 SET

基准电路中重汇聚导致的SET脉冲展宽效应: 2009年; 本文采用电路模拟手段对典型基准组合电路中的SET传播特性进行了研究,发现了一类新的导致脉冲展宽效应的机理——扇出重汇聚。根据重汇聚点逻辑门类型和输入脉冲特征的不同,重汇聚可以引发两种类型的脉冲。这两类脉冲具有截然不同的特征,一类脉冲的宽度与原始SET脉冲宽度无关,而另一类脉冲的宽度与原始SET脉冲宽度基本成线性关系,并在原始SET脉冲宽度的基础上存在净的展宽或者压缩。当空间重离子在电路的输入端附近轰击产生一个宽度为200ps的脉冲时,传播到输出端的脉冲宽度可达690ps,被后续时序单元俘获的概率从5%升高到29.5%,整整提高了近6倍。; 陈建军陈跃跃梁斌; 关键词：电路模拟 SET

高可靠锁相环设计技术研究被引量：3: 2009年; 单粒子瞬变(SET)现象对高性能计算的影响日益严重,本文对高性能微处理器中锁相环(PLL)的RHBD(Radia-tion-Hardened-By-Design)加固方法进行了分析和总结,从系统级和电路级两个方面对PLL的SET加固方法进行了分类研究。分析结果表明,设计加固方法可以在较高的层次上考虑加固问题,降低了工艺依赖性,可以有效地提高PLL可靠性。; 赵振宇赵学谦张民选郭斌秦军瑞; 关键词：软错误 SET 锁相环

Temperature dependence of charge sharing and MBU sensitivity induced by a heavy ion被引量：1: 2009年; The temperature dependence of charge sharing in a 130 nm CMOS technology has been investigated over a temperature range of 200 to 420 K.Device simulation results show that the charge sharing collection increases by 66%-325% when the temperature rises.The LETth of a MBU in two SRAM cells and one DICE cell is also quantified.Besides charge sharing, the circuit response＇s temperature dependence also has a significant influence on the LETth.; 刘必慰陈书明梁斌

超深亚微米工艺下的电路级耦合SET脉冲注入被引量：1: 2008年; 超深亚微米工艺下在电路模拟器中使用独立电流源方法的单粒子瞬态(single event transient,SET)脉冲注入与实验结果有很大误差.作者提出了一种基于二维查找表的耦合电流源注入的方法,并且基于开源的SPICE代码实现.该方法的计算结果与器件/电路混合模拟接近,而其计算时间远小于混合模拟.该法与SPICE集成,可以引入实验测量数据,适合于大规模组合电路的SET错误率分析.; 刘必慰陈书明梁斌刘征

差分压控振荡器中单粒子瞬变的研究被引量：5: 2009年; 压控振荡器(VCO)是锁相环(PLL)中对于单粒子瞬变(SET)最为敏感的部件之一。基于180nm体硅CMOS工艺设计了一款经典的对称负载结构差分VCO电路,并利用电流源表征单粒子效应中电荷沉积和收集的过程,模拟了VCO电路的SET响应。模拟和分析表明,SET响应不仅取决于入射能量、振荡频率,还受到轰击时刻的制约,不同轰击时刻产生的最大相位差可以相差300°以上。此外,偏置电路某些结点最为敏感,可以放大SET的影响,导致时钟失效长达7个周期。; 赵振宇蒋仁杰张民选胡军李少青; 关键词：单粒子效应压控振荡器

一款0.18μm CMOS辐射加固差分压控振荡器被引量：3: 2009年; 基于对称负载压控振荡器(VCO)的单粒子瞬变(SET)失效机理,应用设计加固(RHBD)技术分别改进了偏置电路和环形振荡器,设计和实现了一款0.18μm CMOS辐射加固差分VCO。模拟结果表明:加固VCO的SET敏感性大幅降低,同时还降低了抖动对于电源噪声的敏感性。虽然电路结构变化会导致频率下降,但可以通过调整电路尺寸而解决。此外,加固VCO面积开销有所降低,优于其他加固方法。; 赵振宇郭斌张民选刘衡竹; 关键词：单粒子效应压控振荡器

单粒子瞬变中的双极放大效应研究被引量：5: 2010年; 采用三维数值模拟的方法对比研究了单个NMOS晶体管和反相器链中的单粒子瞬变(single event transient,SET)电流脉冲,发现深亚微米工艺下双极放大电流在单管的SET电流脉冲中占主要成分,而在反相器链的SET模拟中不明显,分析二者的区别解释了源/体结偏压的形成过程和放大机理,并证明了双极放大效应受源/体结偏压影响的结论.在此基础上分析了NMOS管中源极的正向电流及其机理,发现台阶区的源极正向电流主要是由扩散作用形成的.; 刘征陈书明梁斌刘必慰赵振宇; 关键词：混合模拟

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