国家自然科学基金(90207027)
- 作品数：6 被引量：9H指数：2
- 相关作者：朱劲松李伟顾骏陈爱平吴晓波更多>>
- 相关机构：南京大学南京医科大学更多>>
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- 相关领域：理学一般工业技术电气工程更多>>
- 复合材料LiNbO_3/Terfenol-D的磁电效应被引量：1
- 2005年
- 制备了2-2型复合磁电材料Li NbO3/Terfenol-D,研究了其在不同频率交流激励磁场和直流偏磁场下的磁电耦合效应.为了充分利用Li NbO3晶体大的压电系数d15和d22使其在横场长度伸缩振动模式和厚度伸缩振动模式中获得较大的压电效应,本文选择了(xzt)41°切型的Li NbO3晶体作为复合材料Li NbO3/Terfenol-D的压电相,通过计算其压电系数从理论上得出了与实验比较一致的结果,即该材料具有较大的磁电耦合系数,在频率为114kHz交流磁场的激励下,当直流磁偏场达到1.9kOe时,获得磁电耦合系数的最大值2.1V/cm.Oe.另外还发现一定频率范围内该材料出现了独特的多个最优化直流磁偏场现象.本文对以上现象进行了讨论.
- 杨盼尹媛赵可朱劲松
- 关键词：磁电效应压电系数
- B位掺杂Bi_4Ti_3O_(12)的研究被引量：3
- 2005年
- 制备了不同半径和价数的离子B位掺杂的BTNb,BTV,BTZr,BTHf陶瓷,并且对其性能进行了测量.发现B位掺杂可以显著增加陶瓷的2Pr,同时可以改善抗疲劳性能.研究结果表明掺杂离子半径和价数都对剩余极化有一定影响,此外掺杂离子和氧离子的电子轨道杂化也会影响材料的剩余极化.
- 顾骏李伟吕笑梅朱劲松
- 关键词：铁电钛酸铋
- Ge_2Sb_2Te_5薄膜相变的内耗
- 2010年
- 采用脉冲激光沉积法在Si衬底制备了Ge2Sb2Te5合金薄膜,利用双端夹持音频簧振动技术在kHz范围内研究其由相变所引起的内耗谱,并通过电阻率测量加以验证.结果表明:在Ge2Sb2Te5薄膜的非晶相到立方相、立方相到六方相转变的温度范围内,出现了与相变有关的内耗峰P1和P2,其峰位置与升温速率有关且满足Kissinger关系;内耗峰P1和P2的相变激活能分别为(1.91±0.19)和(3.38±0.33)eV.
- 胡大治薛若时吕笑梅朱劲松
- 关键词：GE2SB2TE5薄膜相变内耗
- 高介电材料CaCu_3Ti_4O_(12)薄膜光学性能的研究被引量：1
- 2005年
- 作者用脉冲激光沉积方法制备了CaCu_3Ti_4O_(12)薄膜,并用光学透射谱和Z扫描测量技术表征了CCTO薄膜的线性和非线性系数.结果发现,薄膜在600nm以上区域都具有很好的透光性,粗略估算出的光学带隙在3eV左右.在开孔Z扫描实验曲线中,透过样品的能量不随样品的位置而改变,说明该材料在弱光强下没有非线性吸收.而闭孔Z扫描曲线具有明显的先谷后峰形状,表明样品是自聚焦材料,非线性折射系数为正值.此外,由闭孔Z扫描曲线可得归一化曲线的峰谷差值ΔTyv=0.14,从而非线性折射系数为γ=5.0×10-13m2/W.
- 陈爱平李伟顾骏朱劲松
- 关键词：透射谱
- Ge2Sb2Te5薄膜相变的内耗
- 采用脉冲激光沉积法在Si衬底制备了Ge2Sb2Te5合金薄膜,利用双端夹持音频簧振动技术在kHz范围内研究其由相变所引起的内耗谱,并通过电阻率测量加以验证.结果表明:在Ge2Sb2Te5薄膜的非晶相到立方相、立方相到六方...
- 胡大治薛若时吕笑梅朱劲松
- 关键词：GE2SB2TE5薄膜相变内耗
- 文献传递
- 高价B位掺杂Bi_4Ti_3O_(12)陶瓷的铁电性能研究被引量：2
- 2004年
- 用传统的固相反应方法制备了高价V掺杂的Bi4Ti3O12陶瓷样品,用X射线衍射对其结构进行了分析,并测量了样品的铁电和介电性能.结果发现,随着V的掺入,由氧空位引起的样品介电损耗峰的峰高被极大压制.氧空位的减少,使得样品中的畴钉扎效应减弱,从而提高了样品的抗疲劳特性和剩余极化.同时V的掺入,降低了材料的居里温度.
- 吴晓波陈爱平顾骏唐磊李伟
- 关键词：介电损耗BI4TI3O12铁电性陶瓷材料
- 竹材内耗和介电的研究被引量：2
- 2005年
- 用葛氏倒扭摆仪测量了竹材样品在153K到523K温度范围内的低频下的内耗(IF)行为,在173K2、28K3、23K和489K观察到4个内耗峰,对323K内耗峰的机理进行了较为详细地研究,利用多功能摆研究了其对频率的依赖性,发现该峰峰温不随测量频率变化,而峰高与测量频率及升温速率有关,呈现相变内耗峰的特征.介电测量表明:在323K附近同样存在一介电损耗峰.为了探讨该峰的机理,进一步研究了竹材含水量对该损耗峰的影响.实验结果表明该峰与水在竹材中的某种转变有关.
- 陈爱平李伟吴晓波吴秀梅尹媛朱劲松王业宁
- 关键词：竹材内耗介电损耗
