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磁学与磁性材料教育部重点实验室开放课题基金(MMM200811)
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彭应全
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基于肖特基接触IV分析法的有机半导体迁移率确定方法
2010年
载流子迁移率的测量对有机半导体材料及器件的研究极为重要。在总结目前有机半导体迁移率测量方法优缺点的基础之上,本文提出了一种测量有机半导体中载流子迁移率的新方法:用真空蒸镀法制作结构为"金属-有机半导体-金属"的肖特基接触有机半导体器件,通过选取适当的理论模型进行数值计算,然后用理论计算的结果对实验测得的该器件IV特性进行数值拟合,从而得到该有机半导体材料中载流子的迁移率,以及该材料的其他输运参数,如陷阱密度、陷阱特征深度等。本文利用这种方法测量了酞菁铜(CuPc)的空穴迁移率,并得到了CuPc的陷阱密度、陷阱特征深度等参数。
谢宏伟
李训栓
王颖
马朝柱
汪润生
李荣华
宋长安
彭应全
关键词:
有机半导体
迁移率
酞菁铜
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