甘肃省科技重大专项计划(0702GKDA024)
- 作品数：28 被引量：147H指数：7
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- 相关领域：金属学及工艺一般工业技术电子电信更多>>
- 影响AZ91D镁合金微弧氧化热损耗率的因素被引量：1
- 2010年
- 测量并分析了电解液中NaOH的浓度、电源频率和反应时间对AZ91D镁合金微弧氧化过程中溶液单位发热量和热损耗率的影响,提出了降低电解液热损耗率的技术途径。结果表明,控制NaOH的浓度在2.0 g/L以内、适当降低电源频率、反应时间在20-25 min之内可以显著降低热损耗率。
- 樊康乐阎峰云黄旺陈基东
- 关键词：微弧氧化镁合金
- 镁合金微弧氧化过程控制与监测系统被引量：2
- 2012年
- 为提高微弧氧化效率,建立适应工业化生产的电源参数数据库,以自行研制的大功率微弧氧化电源为平台开发一套过程监控系统,实现对实验过程中各个过程的准确控制及详细的参数设置.以提出的微弧氧化3阶段和微弧放电的4过程理论为基础,分别在恒电压增量和恒定电流2种模式下进行工艺试验,给出一组能够适合多数型号镁合金微弧氧化的工艺参数.VB编写的控制软件利用串口与硬件通讯,实现对硬件的控制及对实验过程数据的采集、处理并实时动态显示.
- 马跃洲杨亮王鹏彭飞
- 关键词：微弧氧化镁合金
- 触摸屏技术在微弧氧化过程控制中的应用
- 2013年
- 为了更好地显示和处理微弧氧化过程参数,采用工业触摸屏,代替现有以旋钮、按钮、指示灯和数码管组成的传统人机界面。应用触摸屏技术,实现过程参数的实时储存和图像化显示,方便地调用和下载历史数据。通过MODBUS协议,实现触摸屏与电源控制系统的通信。应用组态软件MT8000,开发图像化显示及USB数据下载等工作界面。试验表明,本文设计的触摸屏软件和硬件电路,能够满足微弧氧化过程控制的各种要求,拓宽微弧氧化电源功能,提高生产应用能力。
- 杨珂马跃洲李承文孙永涛
- 关键词：80C196KBMODBUS
- 不同电解液浓度下镁合金微弧氧化的比较研究被引量：3
- 2013年
- 为了适应镁合金微弧氧化工艺的工业化应用要求,针对AZ91D镁合金在硅酸盐系电解液环境下,用单位表面积生长单位膜层厚度的电能消耗(kW.h/μm.m2)作为参考指标,研究了不同电解液浓度对成膜速率、膜层表面形貌和耐蚀性及电能消耗的影响。利用自制的具有多种输出脉冲形式的电源,在带放电回路的输出模式下,开展镁合金微弧氧化试验。结果表明,随电解液浓度的升高,起弧电压降低,膜层的成膜速率变大,厚度增大,单位膜层的能耗降低,但膜层的粗糙度增加,孔径及孔隙率增大,耐蚀性变差。综合考虑各方面的因素得出,2倍标准电解液浓度下生成的膜层最优。
- 孙永涛陈克选马跃洲杨珂李承文
- 关键词：镁合金微弧氧化电能消耗
- 镁合金微弧氧化的负载模型及仿真分析
- 2012年
- 为了确定镁合金微弧氧化负载对电源形式及参数的要求,基于电化学和电弧物理理论,对单极性和双极性脉冲输出方式下的负载波形进行分析,建立了负载等效电路模型。微弧氧化负载呈现极强的电容性,其负载模型可简化为1个电容和2个电阻等效的一阶RC系统。通过构造电阻可调的强制放电回路,用matlab软件对负载波形曲线进行参数拟合,对等效电路简化模型参数进行了定量分析。所得模型中电容和电阻的数值与计算机仿真结果相符。
- 王鹏马跃洲杨亮彭飞
- 关键词：计算机仿真微弧氧化镁合金
- 不同电压下镁合金的微弧氧化行为被引量：7
- 2011年
- 为了解电压在镁合金微弧氧化中的作用,本工作在双极性脉冲电源的恒流加载方式下,通过考察电压对氧化时间、膜层厚度及表面形貌的影响,研究电压对微弧氧化机理的影响。结果发现,当负电压为零,占空比20%和30%时,电压低于380V时所需的氧化时间要短于电压高于380V时的氧化时间。当占空比30%,负电压为零和40V时,电压低于340V的氧化时间和膜层增长速率都小于电压高于340V的;电压低于340V时的膜层表面形貌优于340V以上膜层。可见,微弧氧化过程中存在一个临界电压,微弧氧化过程分成两种情况,两种情况的微弧氧化机理不尽相同。
- 王蕊马跃洲陈明田庆涛
- 关键词：镁合金微弧氧化脉冲电源临界电压
- 电压增幅对镁合金微弧氧化膜层性能的影响被引量：14
- 2010年
- 研究了硅酸盐体系微弧氧化过程中,电源电压增幅对放电火花形态及AZ91D镁合金膜层的厚度、表面形貌和耐蚀性有影响。结果表明,随着脉冲电压增加,电弧的弧斑亮度增强、尺寸变大,但数目减少,大弧倾向增加;微弧氧化膜层的厚度增厚,但成膜速率降低;膜层表面熔融物颗粒增大,表面孔径增加,粗糙度增加;腐蚀率呈现出先减小后增加的趋势。当电压增幅为100～150V时,其过程稳定性、成膜速率、膜层外观质量和耐蚀性等方面的综合性能相对最优。
- 陈明马跃洲马颖郝远
- 关键词：脉冲电压镁合金微弧氧化膜层性能MAGNESIUM微弧氧化膜层AZ91D镁合金
- 冷却时间对AZ91D镁合金微弧氧化的影响
- 2011年
- 在新型带放电回路脉冲电源下研究冷却时间对AZ91D镁合金微弧氧化的影响。结果表明,随着冷却时间的延长,起弧电压逐渐升高,膜层的成膜速率先增加后减小,腐蚀率先减小后增加;随着冷却时间的延长,膜层表面大尺寸的熔融物数量减少,孔隙增加,表面粗糙度增加;随着冷却时间的延长,孔隙率下降,膜层的耐腐蚀性提高。因此,镁合金微弧氧化过程中冷却时间要控制在2.5~3 ms,即频率取333~350 Hz,占空比14%~17%。
- 王蕊马跃洲陈明贾金龙
- 关键词：镁合金微弧氧化
- 基于微弧氧化技术的复合涂层的研究现状被引量：7
- 2014年
- 介绍了直接复合技术和二次复合技术即微弧氧化与后处理技术(溶胶凝胶技术、化学镀、电泳涂装、热喷涂、磁控溅射技术等)相结合的研究现状。综述了两种方式对形成的复合膜层微观形貌、力学性能、耐蚀性能等方面的影响。对膜层直接进行复合处理,添加颗粒直接参与了反应过程,成为复合膜层中的一部分,对膜层微观结构和形貌都产生了一定程度的影响。在减小孔隙率和微裂纹使致密度增加的同时,膜层的耐蚀性和耐磨性均得到了提高;而对膜层进行二次复合处理,增加耐蚀性的同时也可能会造成力学性能下降。
- 樊志斌阎峰云邵敬涛吴东旭
- 关键词：微弧氧化陶瓷层力学性能耐蚀性
- 脉冲宽度对镁合金微弧氧化的影响被引量：7
- 2009年
- 为了研究双极性脉冲微弧氧化电源脉冲宽度对镁合金微弧氧化的影响,在恒流、一定频率,占空比10%～30%对应的脉冲宽度140～430μs条件下对镁合金微弧氧化进行了研究。结果发现:随着脉冲宽度的增加,起弧电压逐渐降低,膜层的成膜速率随着脉冲宽度的增加先增大,到一定值后开始减小;随着脉冲宽度的增加,膜层表面的孔洞数量减少,但孔洞尺寸增加。因此,镁合金微弧氧化过程中脉冲宽度要控制在200～300μs范围内。
- 王巧霞马跃洲姜钧涛李泽
- 关键词：镁合金微弧氧化脉冲宽度
