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国家重点基础研究发展计划(2006202601)
作品数:
1
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相关作者:
张丽伟
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张丽伟
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2007
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用改进的RTP低温制备柱状硅薄膜
2007年
用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)系统在普通玻璃衬底上制备了氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H),用改进的快速光热退火炉(RTP)对薄膜进行了低温下的退火处理。借助于扫描电子显微镜(SEM)对薄膜表面形貌的分析得知:本实验在600℃下成功制备了柱状结构多晶硅薄膜;相对来说,550℃退火60 s的柱晶效果最好;最大柱晶宽度达到了240 nm;结晶次序为从表面到内部。对实验结果进行了解释。
张丽伟
李红菊
李瑞
卢景霄
张宇翔
王新昌
关键词:
硅薄膜
快速热退火
扫描电子显微镜
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