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国家重点基础研究发展计划(2006202601)

作品数:1 被引量:0H指数:0
相关作者:张丽伟卢景霄李红菊张宇翔李瑞更多>>
相关机构:河南工业大学郑州大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇扫描电子显微...
  • 1篇退火
  • 1篇热退火
  • 1篇快速热退火
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇RTP

机构

  • 1篇郑州大学
  • 1篇河南工业大学

作者

  • 1篇王新昌
  • 1篇李瑞
  • 1篇张宇翔
  • 1篇李红菊
  • 1篇卢景霄
  • 1篇张丽伟

传媒

  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2007
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
用改进的RTP低温制备柱状硅薄膜
2007年
用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)系统在普通玻璃衬底上制备了氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H),用改进的快速光热退火炉(RTP)对薄膜进行了低温下的退火处理。借助于扫描电子显微镜(SEM)对薄膜表面形貌的分析得知:本实验在600℃下成功制备了柱状结构多晶硅薄膜;相对来说,550℃退火60 s的柱晶效果最好;最大柱晶宽度达到了240 nm;结晶次序为从表面到内部。对实验结果进行了解释。
张丽伟李红菊李瑞卢景霄张宇翔王新昌
关键词:硅薄膜快速热退火扫描电子显微镜
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