广东省粤港关键领域重点突破项目(ZB2003A07)
- 作品数：5 被引量：194H指数：3
- 相关作者：徐剑潘跃晓张新民郭崇峰吴昊更多>>
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- SrAl2O4:Eu2+的发光性质及其在近紫外LED上的应用
- 吴占超石建新吴昊龚孟濂苏锵
- 文献传递
- 结温与热阻制约大功率LED发展被引量：82
- 2005年
- LED结温高低直接影响到LED出光效率、器件寿命、可靠性、发射波长等。保持LED结温在允许的范围内,是大功率LED芯片制备、器件封装和器件应用等每个环节都必须重点研究的关键因素,尤其是LED器件封装和器件应用设计必须着重解决的核心问题。首先介绍pn结结温对LED器件性能的影响,接着分析大功率LED结温与器件热阻的关系。基于对器件热阻的分析,得出了结温与热阻已经制约大功率LED进一步向更大功率发展的结论,并提出了如下两个观点:1.要在保持低成本和自然散热方式下提高LED器件的功率,根本的出路是提高光转换效率;2.在目前没有提高光转换效率的情况下,发展超过5 W的大功率器件对工程应用没有实质意义。
- 余彬海王浩
- 关键词：大功率LED结温热阻
- 过渡层结构和生长工艺条件对S i基G aN的影响被引量：2
- 2005年
- 为了提高MOCVD外延硅基GaN材料的质量,在硅(111)衬底上以HT-A lN为缓冲层,在缓冲层上再生长变组份过渡层后外延生长GaN。过渡层为多层复合结构,分为高温变组分A lGaN、GaN、低温A lN、高温变组分A lGaN。在高温生长A lGaN和GaN层中插入一层低温生长A lN以缓解降温过程中应力对厚GaN层的影响,为了缓慢释放热应力、采用合适的慢降温工艺。当外延层的厚度小于1.7微米时GaN外延层无龟裂,而厚度不断增加时,GaN外延层产生龟裂。本文研究了A lN缓冲层生长温度、高温变组分A lGaN生长过程中生长时间的变化对所生长GaN材料的影响。采用三维视频显微镜、高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和室温光致荧光光谱(RT-PL)对样品进行了测试分析。测试结果表明所研制的硅基GaN表面光亮、平整,过渡层的引入有利于降低外延层中应力,提高GaN结晶质量。
- 冯玉春胡加辉张建宝王文欣朱军山杨建文郭宝平
- 关键词：SI(111)CANALNALGAN
- 应用于在近紫外InGaN基LED的Eu(III)三元有机配合物
- 李嘉航
- 文献传递
- 低温AlN插入层降低硅基GaN膜微裂
- 2006年
- 为了降低MOCVD外延硅基GaN膜层中的应力、减少硅基厚GaN层的微裂;在高温GaN层中插入低温A lN。低温A lN插入层可平衡HT-GaN生长和降温过程引起的张应力,降低厚膜外延层的微裂,已研制出厚度超过1.8微米无微裂GaN外延层。本文重点研究了低温A lN生长温度对HT-GaN材料的影响,给出了较佳的LT-A lN生长温度。采用扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)和高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD),对样品进行了测试分析。试验和测试结果表明低温A lN的生长温度至关重要,生长温度过低影响GaN晶体质量,甚至不能形成晶体;生长温度过高同样会影响GaN结晶质量,同时降低插入层的应力平衡作用;实验结果表明最佳的LT-A lN插入层的生长温度为680℃左右。
- 冯玉春刘晓峰王文欣彭冬生郭宝平
- 关键词：SI(111)GANAIN
- (Li1-x-yNaxKy)Eu(MoO4)2的发光性质及其在近紫外InGaN基LED上的应用
- 汪正良梁宏斌吴昊龚孟濂苏锵
- 文献传递
- 白光LED用稀土荧光粉的制备和性质被引量：47
- 2006年
- 在还原气氛保护下利用高温固相法合成了化学组分为(M1,M2)10(PO4)6X2(M1=Ca,Sr,Ba;M2=Eu,Mn;X=F,C l,B r)的可被紫光激发的蓝光、绿光和红光荧光粉,制备了紫光LED芯片+蓝光荧光粉+YAG荧光粉的二基色白光LED;紫光LED芯片+蓝光荧光粉+红光荧光粉的二基色白光LED,以及紫光LED芯片+蓝光荧光粉+绿光荧光粉+红光荧光粉的三基色白光LED。测试了所有制备的白光LED在不同的直流电驱动下的色度坐标、相关色温和显色指数。
- 吴昊潘跃晓郭崇峰张新民徐剑王垚浩余彬海李绪峰苏锵
- 关键词：白光LED稀土荧光粉色度坐标显色指数
- 稀土发光材料在固体白光LED照明中的应用
- 苏锵吴昊潘跃晓徐剑郭崇峰张新民张剑辉王静张梅
- 文献传递
- 稀土发光材料在固体白光LED照明中的应用被引量：71
- 2005年
- 固体白光发光二极管将成为21世纪新一代的节能光源。要实现白光发射的重要途径之一是利用稀土发光材料的荧光转换技术,把InGaN半导体管芯发射的460 nm蓝光或400 nm近紫外光转换成白光。分别就这两种管芯报道了我们研制的发射蓝、绿、黄、红等不同颜色的稀土发光材料:YAG∶Ce,Ca1-xSrxS∶Eu2+,Ga2S3∶Eu2+,MGa2S4∶Eu2+(M=Ca,Sr,Ba),SrGa2+xS4+y∶Eu2+,(Ca1-xSrx)Se∶Eu2+,SrLaGa3S6O∶Eu2+,(M1,M2)10(PO4)6X2,(M1=Ca,Sr,Ba;M2=Eu,Mn;X=F,Cl,Br),NaEu0.92Sm0.08(MoO4)2,并报道了由它们制成的白光发光二极管的色坐标、相关色温和显色指数等参数。
- 苏锵吴昊潘跃晓徐剑郭崇峰张新民张剑辉王静张梅
- 关键词：白光发光二极管发光稀土
