国家自然科学基金(50601005)
- 作品数:8 被引量:59H指数:5
- 相关作者:邓龙江唐武徐可为翁小龙李海霞更多>>
- 相关机构:电子科技大学西安交通大学更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域:一般工业技术理学电气工程金属学及工艺更多>>
- 柔性衬底上WO_x薄膜的制备及特性研究被引量:2
- 2007年
- 采用射频磁控溅射工艺,在柔性PET衬底上低温制备电致变色WOx/ITO/PET多层薄膜。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)分析所制备薄膜的原始态、着色态和退色态的微观结构、表面形貌及W元素的化合价态。结果表明:原始态、着色态及退色态的WOx薄膜均为非晶态;原始态薄膜表面存在较多孔洞,薄膜在LiClO4的乙腈溶液中进行电致变色反应,实验发现着退色态薄膜颜色可发生可逆变化,随Li+的注入和抽出,薄膜表面形貌发生明显变化;XPS分析进一步表明WOx薄膜在原始态中W元素的化合价为W6+,着色态存在W6+和W5+的混合价态。
- 李海霞唐武翁小龙邓龙江
- 关键词:电致变色磁控溅射
- 金属薄膜结合性能的评价方法研究被引量:10
- 2007年
- 针对Al2O3基体上磁控溅射沉积的Au/NiCr/Ta多层金属薄膜,用压痕法、滚动接触疲劳法、摩擦力和声发射两种模式同时监测的划痕法,对比研究了金属薄膜与基体的结合性能。结果表明:压痕试验从压痕形貌上很难判断薄膜与基体是否发生剥离,压入过程中也没有诱发裂纹的产生,更无法分辨薄膜层间的分离;由于金属薄膜的塑性变形,滚动接触疲劳法很难应用于金属薄膜结合性能的表征;划痕法可应用于多层金属薄膜的特异划擦行为研究,其中摩擦力模式能反映压头进入不同金属膜层时的变化,层间声发射信号的灵敏度不如摩擦力信号,对应试验条件,摩擦力曲线存在若干以拐点为特征的载荷,摩擦力曲线上出现的拐点及拐点特征载荷值可以在一定程度上反映多层膜的层数和层厚,并可刻划出该膜/基体系承受压入载荷而不发生剥落的能力。
- 唐武邓龙江徐可为
- 关键词:金属薄膜压痕法划痕法
- 缓冲层对Au膜电阻率的影响
- 采用磁控溅射方法,在Al2O3基体上沉积纯Au膜和具有缓冲层的Au/NiCr/Ta多层金属膜。利用四点探针法测试退火前后纯Au膜及有缓冲层的Au/NiCr/Ta多层金属膜表面电阻率的变化。结果表明,对于纯Au膜来说,在沉...
- 唐武殷学松邓龙江
- 关键词:缓冲层电阻率
- 文献传递
- 氧分量对WOx薄膜红外光谱性能的影响
- 采用射频磁控溅射工艺,在ITO/PET柔性衬底上低温制备氧化钨电致变色薄膜。利用傅立叶红外光谱仪及其附件分析了不同氧分量条件下氧化钨薄膜着色态和退色态的红外特性。实验结果表明:在500~3000 cm区域,氧分量对薄膜的...
- 范芸唐武翁小龙邓龙江
- 关键词:红外光谱磁控溅射
- 文献传递
- 不同氮分压制备纳米复合Zr-Si-N薄膜的组织与性能研究(英文)被引量:1
- 2009年
- 利用射频反应磁控溅射设备在不同N2分压下制备了Zr-Si-N纳米复合薄膜。研究了N2分压对薄膜组织和性能的影响。结果表明:随着N2分压的增加,薄膜中Zr、Si元素含量比降低,且薄膜方电阻增加;Zr–Si–N薄膜的微观组织由纳米晶ZrN嵌入SiNx非晶基体构成,在低N2分压条件下,有少量Zr2Si形成。Zr2Si的形成与低N反应活性相关。在0.03PaN2分压条件下,Zr-Si-N薄膜硬度达到22.5GPa的最大值。高N2分压制备薄膜硬度较低可能与Si原子造成的晶格畸变相关。
- 王剑锋马大衍宋忠孝唐武徐可为
- 关键词:磁控溅射
- 氧化钨电致变色薄膜的XPS分析被引量:7
- 2008年
- 采用射频磁控溅射工艺,在柔性PET衬底上低温制备电致变色WOx/ITO/PET多层薄膜;利用X射线光电子能谱(XPS)分析所制备薄膜的着、退色态中W元素的价态以及O元素的化合环境。结果表明:WOx薄膜着色态中存在W6+和W5+的混合价态,而在退色态中W元素的化合价仅为W6+;钨离子的不同价态和氧离子的不同化合环境的变化与WOx薄膜的电致变色机制密切相关。
- 李海霞唐武翁小龙邓龙江孔占兴
- 关键词:电致变色磁控溅射
- 柔性衬底WO_x-Mo薄膜电致变色性能研究被引量:8
- 2009年
- 采用射频磁控溅射工艺,在镀有ITO薄膜的柔性PET衬底上低温制备WOx-Mo薄膜,利用电化学工作站测试薄膜的循环伏安曲线和计时电流曲线来分析薄膜的电致变色性能。结果表明:随Mo掺杂量的增加,薄膜的氧化峰峰位往电压正方向移动,并且氧化峰电流峰值增加,薄膜着色响应时间缩短,退色时间延长。当Mo掺杂量为15.4%时,着色时间最短达到4.53s,退色时间最长达到9.8s。薄膜的可逆性与电荷在薄膜中的滞留量有关,在Mo掺杂量为7.6%时,薄膜可逆性最好,达到51.2%左右,电荷滞留量为2.4E-3C。
- 范芸唐武翁小龙邓龙江
- 关键词:电致变色磁控溅射
- 溶胶-凝胶法制备WO3薄膜及电致变色性能研究
- 采用溶胶-凝胶法在FTO透明玻璃基底上制备WO电致变色薄膜,通过在150~400℃不同温度对薄膜进行热处理。用XRD分析WO薄膜的晶体结构,电化学工作站以及分光光度计测试了薄膜在1.5mol/L的LiClO+乙二醇液体电...
- 刘贵发唐武翁小龙邓龙江
- 关键词:溶胶-凝胶电致变色WO3
- 文献传递
- 纳米晶(FeCo)_(78)Nb_6B_(15)Cu_1合金晶化过程及其磁特性研究被引量:6
- 2010年
- 采用熔体快淬法制备(FeCo)78Nb6B15Cu1非晶薄带,通过DSC测试薄带的晶化特性,并据此在400,500,700和750℃进行1h退火处理。用XRD和SEM分析薄带在不同退火温度下的晶化行为,并用VSM测试薄带与粉体的静态磁参数。结果表明:对于固定成分的Hitperm合金,选择合适的退火温度,可控制晶粒大小和晶相比例。由于晶粒表面无序磁矩含量的变化,导致材料比饱和磁化强度发生变化,同时更小的纳米晶粒对降低矫顽力有利。由于淬态引入的微量结晶,薄带存在表面晶化现象,这在一定程度上会恶化材料的静态磁特性。
- 王昕余志海周佩珩梁迪飞邓龙江
- 关键词:薄带晶化
- 金属薄膜电阻率与表面粗糙度、残余应力的关系被引量:24
- 2008年
- 针对磁控溅射Au金属薄膜,从实验角度研究了该薄膜电阻率与表面粗糙度、残余应力的关系,并对结果进行了分析。结果表明:薄膜电阻率随着表面粗糙度及残余应力的增加而增大。分析认为,晶体取向可能在金属薄膜力学性能和功能性之间有某种联系,并从应变能角度给予了解释。该结果为进一步探讨薄膜力学性能和功能特性的内在关系提供了研究基础。
- 唐武邓龙江徐可为Jian LU
- 关键词:金属薄膜电阻率表面粗糙度残余应力