国家自然科学基金(20073037)
- 作品数：11 被引量：206H指数：9
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- 纳米晶Ni-Mo-Co合金镀层的结构与析氢行为被引量：16
- 2001年
- 用电沉积方法制备了纳米 Ni-Mo-Co合金沉积层 ,用 XRD、XPS方法对沉积层的结构进行了表征 ,结果表明 ,Ni-Mo-Co合金出现较大的晶格畸变 ,纳米合金各物种的结合能发生不同程度的位移 .在 3 0 %的KOH溶液中的阴极极化曲线表明 ,Ni-Mo-Co合金电极具有良好的析氢电催化活性 .电化学的交流阻抗谱表明 ,低过电位时该合金电极上析氢过程为 Volmer-Tafel机理 ,即吸附态的氢经化学脱附形成氢气 ,速率决定步骤是 Volmer反应 ;在较高过电位时析氢反应表现为 Volmer-Heyrovsky机理 。
- 黄令杨防阻许书楷周绍民
- 关键词：电沉积析氢反应镀层电催化活性
- 玻碳电极上铜电沉积初期行为研究被引量：12
- 2002年
- 运用循环伏安和计时安培法研究酸性镀铜溶液中硫酸和 2_巯基苯骈咪唑对铜电沉积初期行为的影响 .实验表明铜的电沉积经历了晶核形成过程 ,其电结晶按瞬时成核三维生长方式进行 ,硫酸对铜的电沉积具有加速作用 ,而 2_巯基苯骈咪唑对铜的电沉积起阻化作用 。
- 黄令张睿辜敏杨防阻许书楷周绍民
- 关键词：玻碳电极铜电沉积电结晶循环伏安
- 添加剂作用下钯电沉积行为研究被引量：12
- 2004年
- 在含有4g·L-1Pd(NH3)2Cl2和104g·L-1NH4H2PO4的闪镀钯基础电解液中,采用极化曲线、循环伏安法和计时安培法研究添加剂作用下钯在玻璃碳电极上的电沉积和电结晶行为.结果表明,添加剂阻化钯的电沉积;钯在玻碳电极上的交换电流密度很低;钯电沉积过程经历了晶核形成过程,其电结晶机理在不含添加剂时接近于三维连续成核,含添加剂时接近于三维瞬时成核.
- 杨防祖黄令许书楷周绍民
- 关键词：添加剂钯电沉积行为电结晶玻璃碳电极
- 搅拌条件下电流密度对Cu镀层的织构和表面形貌的影响被引量：31
- 2002年
- 研究了 H2 SO4 +Cu SO4 电解液分别在静止、机械搅拌和空气搅拌作用下 ,电流密度对所获得的铜电沉积层晶体取向和表面形貌的影响 .XRD和 SEM实验结果都表明 ,电流密度是造成 Cu镀层织构和表面形貌变化的主要原因 .电流密度低于 6.0 A/dm2 时 ,Cu镀层呈现 (1 1 0 )晶面择优 ;高于 1 5 .0 A/dm2 时 ,呈现(1 1 1 )晶面择优 .随电流密度提高 ,Cu电结晶由侧向生长模式转向向上生长模式 .搅拌作用的加强有利于晶体的生长 .
- 辜敏黄令黄令杨防祖姚士冰
- 关键词：电沉积晶体取向表面形貌电流密度织构
- 高择优取向Cu电沉积层的XRD研究被引量：41
- 2002年
- 采用电化学和XRD方法在CuSO4 +H2 SO4 电解液中获得Cu电沉积层并研究其结构 .结果表明 ,在 4 .0A/dm2 和 15 .0A/dm2 电流密度下可分别获得 (2 2 0 )和 (111)晶面高择优取向Cu镀层 ;Cu镀层晶面织构度随厚度提高而增大 ,获得 (111)晶面高择优Cu镀层的厚度约是 (2 2 0 )晶面的 7倍 ,说明Cu(2 2 0 )晶面比 (111)晶面是更易保留的晶面 ,且低电流密度下铜的电结晶更容易受电沉积条件控制 ;较高的沉积电流密度有利于晶核的形成 ;
- 辜敏杨防祖黄令姚士冰周绍民
- 关键词：CU电沉积层XRD电沉积铜镀层
- 烟酸对酸性硫酸盐体系铜电沉积的影响被引量：11
- 2002年
- 对溶液A:0.8mol·L-1硫酸铜,0.6mol·L-1硫酸,5.0×10-5mol·L-1氯离子,1.0×10-4mol·L-1聚乙二醇的溶液,溶液B:在溶液A中加入2.0×10-2mol·L-1烟酸,pH为0.5,运用循环伏安和计时安培法研究玻碳电极上铜的电沉积行为.结果表明,铜的电沉积过程经历了晶核形成过程,其电结晶按瞬时成核和三维生长方式进行.烟酸的加入对铜的电沉积具有阻化作用,但不改变铜的电结晶机理.沉积层的X射线衍射表明Cu为面心立方结构,在烟酸存在下沉积层出现(220)高择优取向,这可能是烟酸在Cu(220)晶面上发生强烈吸附作用的结果.
- 黄令张睿辜敏杨防祖许书楷周绍民
- 关键词：铜电沉积电结晶烟酸镀铜
- 高择优取向铜镀层的电化学形成及其表面形貌被引量：54
- 2002年
- 采用电化学方法在H2SO4-CuSO4电解液中获得高择优取向的Cu电沉积层.XRD结果表明,在1.0～6.0和15.0A·dm-2的电流密度下可分别获得(220)和(111)晶面高择优取向的Cu镀层.在同一电流密度下获得的Cu电沉积层织构度随镀层厚度增大而提高.SEM结果表明,在4.0和15.0A·dm-2的电流密度下可分别获得(220)和(111)织构Cu沉积层,其表面形貌在(220)晶面取向时呈现为细长晶粒连结成的网状,在(111)取向时则呈六棱锥状.提出了可能的机理,认为电流密度变化引起的Cu镀层择优取向晶面的转化归因于电结晶晶面生长方向及生长速度竞争的结果.
- 辜敏杨防祖黄令姚士冰周绍民
- 关键词：铜镀层电沉积表面形貌镀铜
- 氯离子对铜在玻碳电极上电结晶的影响被引量：32
- 2002年
- 采用线性扫描伏安法和计时安培法研究了硫酸铜溶液中铜在玻碳电极上电结晶的初期行为 .在含与不含氯离子的 0 0 5mol·L-1CuSO4 0 5mol·L-1H2 SO4电解液中 ,循环伏安实验结果表明铜在玻碳基体上的沉积没有经过UPD过程 ;氯离子明显使Cu的沉积和氧化峰变得尖锐 ,促进Cu的沉积速度 .计时安培实验结果表明 ,Cu的电结晶按瞬时成核和三维生长方式进行 .氯离子不改变Cu的电结晶机理 ,但在I～t曲线中 ,导致电流达最大 (Im)所需的时间tm 减小、晶核数密度和生长速度增大 ,从而明显改变Cu沉积层的质量 .当Cl-浓度在 10～ 2 0mg·L-1范围内 ,成核的晶核数密度达较大 ,即氯离子的最适宜添加量 .
- 辜敏杨防祖黄令姚士冰周绍民
- 关键词：玻碳电极铜电结晶镀铜线性扫描伏安法
- 添加剂的整平能力及其对Cu电沉积层结构的影响被引量：8
- 2003年
- 采用电化学、X射线衍射和扫描电镜方法研究酸性镀铜过程中添加剂的整平能力及其对Cu电沉积层结构和表面形貌的影响.结果表明,采用本文所研制的添加剂,可以获得光亮、致密且整平能力可达到100%的Cu电沉积层;所获得的Cu镀层均不存在明显的晶面择优取向现象.镀液中光亮剂单独存在及其与整平剂共存时,镀层表面分别呈现晶粒细小致密形貌和网状结构.
- 杨防祖黄令许书楷姚士冰陈秉彝周绍民
- 关键词：电沉积层添加剂整平能力镀层结构
- 碱性介质中高择优取向(220)镍电极上乙醇的电氧化被引量：9
- 2005年
- 采用循环伏安法和现场红外反射光谱研究了1.0mol/LNaOH溶液中高择优取向镍电极上乙醇的电催化氧化活性及机理。结果表明,高择优取向镍电极对乙醇的电氧化有较高的催化作用,氧化的产物为CH3COO-;采用稳态法推导出乙醇的电氧化动力学方程,运用稳态极化曲线测定了其电氧化过程的动力学参数,高择优取向(220)镍电极在碱性溶液中形成的Ni(Ⅲ)与乙醇的反应速率常数k2=5.7×10-6L/(mol·s),Ni(Ⅱ)氧化为Ni(Ⅲ)的反应速度常数k1=4.9×10-13exp(0.52FE/RT),Ni(Ⅲ)还原为Ni(Ⅱ)的反应速度常数k-1=3.7×10-4exp(-0.48FE/RT)。
- 黄令杨防祖许书楷周绍民
- 关键词：电沉积乙醇电氧化
