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半导体光放大器端面镀膜的实验与研究被引量：3: 2004年; 在中心波长为1310nm的InGaAsP半导体激光器的端面镀制了剩余反射率<10-4的3层减反射膜,得到了自发辐射谱波纹<0.5dB的半导体光放大器.; 常进黄德修; 关键词：半导体光放大器

1550nm偏振不灵敏半导体光放大器的研制: 2006年; 研制了有源区为InGaAs张应变体材料的1.55μm偏振不灵敏半导体光放大器(SOA)。采用束传播法计算了偏离镜面垂直方向7°的埋层波导结构模式场分布,并用平面波展开法设计了多层抗反射膜,在TE模和TM模反射率同时小于10-4时膜厚允许误差为3%。对放大自发发射谱(ASE)和增益谱的分析表明,他们具有基本一致的偏振灵敏度。对一腔长800μm的SOA在注入电流250 mA时,测量得出TE模和TM模的ASE谱偏振灵敏度小于0.5 dB,增益谱3 dB带宽为63 nm,1 550 nm处光纤到光纤增益为11.9 dB,3 dB饱和输出功率为5.6 dB,在1 570 nm处的噪声指数为7.8 dB。而一腔长1 000μm SOA耦合封装后得到的最大增益为15 dB。; 黄永箴胡永红于丽娟陈沁谭满清马骁宇; 关键词：INGAASP 增益抗反射膜

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国家高技术研究发展计划(2002AA312090)