国家自然科学基金(60306001)
- 作品数：4 被引量：9H指数：2
- 相关作者：刘爱民方思麟于书文刘维峰胡增权更多>>
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- 相关领域：电子电信电气工程理学更多>>
- 电化学刻蚀制备多孔InP
- 利用扫描电子显微镜(SEM)对电化学刻蚀多孔InP的形貌进行了表征,用耗尽层模型和场强化效应模型讨论了多孔InP刻蚀的机制。
- 翁占坤申慧娟刘爱民刘艳红徐峰罗慧晶
- 关键词：电化学刻蚀
- 文献传递
- 电化学刻蚀方法制备半导体材料纳米阵列
- 2004年
- 电化学刻蚀方法是一种非常简单实用的制备规则纳米阵列结构的方法.本文简述了用电化学刻蚀方法制备InP以及Si规则纳米阵列的方法.SEM图像给出了这些规则纳米阵列的结构.
- 李国庆刘爱民潘萌杜晓书郭凡
- 关键词：电化学刻蚀多孔硅SEM
- GaSb中Zn扩散的理论与实验的研究进展
- GaSb以其在光伏和热光伏电池上的广泛应用,越来越受到人们的关注。Zn扩散是制备GaSb (热)光伏电池的基本工艺之一。它比其它的制造方法要简单可行。本文系统介绍了制备GaSb(热)光伏电池的Zn扩散的原理和基本工艺,对...
- 罗慧晶刘爱民徐峰翁占坤
- 关键词：ZN扩散
- 文献传递
- 低电压并五苯晶体管的制备
- 介绍了利用物理气相沉积的技术制备有机物并五苯场效应晶体管(OTFT)的方法.通过扫描电镜(SEM)和X射线衍射谱(XRD)对并五苯薄膜的分析,发现并五苯薄膜具有良好的表面形貌和晶体特性.其载流子迁移率迭0.3cm2/Vs...
- 王东盛吴萃婷刘爱民
- 关键词：有机场效应晶体管并五苯物理气相沉积
- 文献传递
- 基于Ⅲ-V族半导体材料的热光伏电池研究进展被引量：6
- 2008年
- 部分Ⅲ-V族化合物半导体具有较窄的禁带宽度,对红外发射体的温度要求较低,非常适宜制备热光伏(TPV)电池。简要介绍热光伏系统的基本结构,讨论了基于GaSb、InGaAsSb、InGaAs、InAsSbP几种主要窄带隙Ⅲ-V族化合物半导体的热光伏电池的研究情况,对它们的制备方法和主要性能参数进行了比较,分析了各自的优缺点,指出了我国热光伏技术的发展趋势。
- 方思麟于书文刘维峰刘爱民
- 关键词：窄带
- 电化学刻蚀方法制备半导体材料纳米阵列
- 电化学刻蚀方法是一种非常简单实用的制备规则纳米阵列结构的方法。本文简述了用电化学刻蚀方法制备InP以及Si规则纳米阵列的方法。SEM图像给出了这些规则纳米阵列的结构。
- 李国庆刘爱民潘萌杜晓书郭凡
- 关键词：电化学刻蚀多孔硅SEM
- 文献传递
- 用于热光伏发电系统的发射体材料的研究进展
- 热光伏(Thermophotovoltaic-TPV)发电技术是通过热光伏电池将发射体的热辐射能转换成电能的技术。发射体的发光性能取决于发射体材料的种类及其表面结构,它在很大程度上决定热光伏发电系统的效率。本文综述了用于...
- 徐峰刘爱民罗慧晶翁占坤
- 文献传递
- n型InP(100)衬底上电沉积氧化锌薄膜的制备及光致发光(英文)被引量：3
- 2008年
- 采用电化学沉积方法在n型InP(100)(1016)衬底上制备了氧化锌薄膜。探索线性扫描伏安法确定InP与0.1mol/LZn(NO3)2电解液的体系中沉积氧化锌的极化电势,在20℃溶液中,相对于甘汞电极(SCE)的极化电势为-1.1877V。扫描电镜照片显示:随着应用电势的降低,氧化锌薄膜变得紧密平滑;狭窄的X射线衍射峰也说明低电势下薄膜的结晶质量较好。光荧光表征发现低电势下制备的氧化锌薄膜具有良好的发光特性。
- 翁占坤刘爱民刘艳红胡增权
- 关键词：氧化锌薄膜电沉积X射线衍射光致发光
- 低电压并五苯晶体管的制北
- 2004年
- 介绍了利用物理气相沉积的技术制备有机物并五苯场效应晶体管(OTFT)的方法.通过扫描电镜(SEM)和X射线衍射谱(XRD)对并五苯薄膜的分析,发现并五苯薄膜具有良好的表面形貌和晶体特性.其载流子迁移率达0.3cm2/Vs,并五苯晶体管具有低电压特性.
- 王东盛吴萃婷刘爱民
- 关键词：有机场效应晶体管并五苯物理气相沉积
