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西安应用材料创新基金(XA-AM-201012)

作品数：1 被引量：1H指数：1
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇隧穿
  • 1篇泄漏电流
  • 1篇薄栅
  • 1篇LDD
  • 1篇超薄
  • 1篇超薄栅
  • 1篇超短
  • 1篇NMOSFE...

机构

  • 1篇西安邮电学院

作者

  • 1篇过立新
  • 1篇陈海峰

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
超薄栅超短沟LDD nMOSFET中栅电压对栅致漏极泄漏电流影响研究被引量：1
2012年
本文研究了90nm CMOS工艺下栅氧化层厚度为1.4 nm沟道长度为100 nm的轻掺杂漏(LDD)nMOSFET栅电压V_G对栅致漏极泄漏(GIDL)电流I_D的影响,发现不同V_G下ln(I_D/(V_(DG)-1.2))-1/(V_(DG)-1.2)曲线相比大尺寸厚栅器件时发生了分裂现象.通过比较V_G变化下ln(I_D/V_(DG)-1.2))的差值,得出V_G与这种分裂现象之间的作用机理,分裂现象的产生归因于V_G的改变影响了GIDL电流横向空穴隧穿部分所致.随着|V_G|的变小,ln(I_D/(V_(DG)-1.2))曲线的斜率的绝对值变小.进一步发现不同V_G对应的1n(I_D/(V_(DG)-1.2))曲线的斜率c及截距d与V_G呈线性关系,c,d曲线的斜率分别为3.09和-0.77.c与d定量的体现了超薄栅超短沟器件中V_G对GIDL电流的影响,基于此,提出了一个引入V_G影响的新GIDL电流关系式.
陈海峰过立新
关键词：LDDNMOSFET
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共1页<1>
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