您的位置： 专家智库 > >

国家重点基础研究发展计划(G1999064605)

作品数：3 被引量：7H指数：2
相关作者：袁冠森胡广勇王晓华杨坚刘慧舟更多>>
相关机构：北京有色金属研究总院西北有色金属研究院更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：一般工业技术电气工程理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇织构
  • 2篇立方织构
  • 1篇导体
  • 1篇导体材料
  • 1篇体积
  • 1篇体积分数
  • 1篇缓冲层
  • 1篇基带
  • 1篇积分
  • 1篇YBCO
  • 1篇超导
  • 1篇超导体
  • 1篇超导体材料

机构

  • 1篇北京有色金属...
  • 1篇西北有色金属...

作者

  • 1篇冯勇
  • 1篇吴晓祖
  • 1篇舒勇华
  • 1篇史锴
  • 1篇刘慧舟
  • 1篇周廉
  • 1篇杨坚
  • 1篇王晓华
  • 1篇张平祥
  • 1篇胡广勇
  • 1篇刘春芳
  • 1篇吴宣
  • 1篇袁冠森
  • 1篇王飞云

传媒

  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇稀有金属

年份

  • 1篇2002
  • 1篇2000
共 3 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
YBCO厚膜Ni基带中立方织构的体积分数被引量：1
2000年
刘春芳吴宣王飞云庞赢冯勇张平祥吴晓祖周廉
关键词：YBCO立方织构体积分数
立方织构Cu-Ni基带及缓冲层的研究被引量：4
2002年
系统研究了Cu Ni合金基带和纯Ni基带的织构形成及转变规律 ,重复地获得了稳定的再结晶 { 0 0 1}<10 0 >立方织构。用表面氧化外延 (SOE)法生成了NiO(2 0 0 )薄膜。轧制总加工率、轧制道次和轧制方向对轧制织构的形成起主要作用 ;再结晶温度、时间是立方织构形成的主要影响因素。在获得了强立方织构Cu Ni合金基底上(其中Φ扫描曲线的半高宽 (FWHM)≤ 10°) ,通过SOE方法得到了取向良好NiO(2 0 0 )
史锴杨坚刘慧舟胡广勇舒勇华王晓华袁冠森
关键词：立方织构缓冲层超导体材料
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0