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国家重点基础研究发展计划(613550101)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：林鑫李国强杨慧更多>>
相关机构：华南理工大学西北工业大学更多>>
发文基金：国家重点实验室开放基金广东省重大科技专项国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇衍射仪
  • 1篇原子力显微镜
  • 1篇中位
  • 1篇位错
  • 1篇化学腐蚀
  • 1篇X射线衍射仪
  • 1篇GAN薄膜

机构

  • 1篇西北工业大学
  • 1篇华南理工大学

作者

  • 1篇杨慧
  • 1篇李国强
  • 1篇林鑫

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
选择性腐蚀确定GaN薄膜中位错类型被引量：1
2012年
提出了一种确定GaN外延薄膜中位错种类的方法。通过化学试剂对GaN薄膜表面进行选择性腐蚀,并用X射线衍射仪(XRD)及原子力显微镜(AFM)对腐蚀前后的薄膜进行了表征,确立了GaN薄膜表面的蚀坑形貌与位错类型之间的对应关系。XRD测试结果表明,GaN薄膜中的位错密度并不随着腐蚀时间延长而发生变化。采用AFM对蚀坑形貌进行深度剖析,发现了四种不同的位错蚀坑:倒六角锥型蚀坑、倒六角平台型蚀坑、倒双六角平台型蚀坑以及混合型蚀坑。进一步研究表明,这四种不同的位错蚀坑分别对应于四种不同的位错种类,所有蚀坑基本都可以沿着这四种腐蚀路线演化而来。同时用扫描电镜(SEM)观察到的蚀坑形貌与AFM测试结果基本一致。
杨慧林鑫李国强
关键词：化学腐蚀X射线衍射仪原子力显微镜
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