北京市教育委员会科技发展计划面上项目(KM201210028001)
- 作品数：4 被引量：43H指数：3
- 相关作者：王国辉吴立锋关永李晓娟潘巍更多>>
- 相关机构：首都师范大学更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金国际科技合作与交流专项项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程更多>>
- 功率MOSFET寄生电容劣化对开关瞬态响应的影响被引量：4
- 2014年
- 为解决功率MOSFET寄生电容劣化影响寿命的问题,在MOSFET非线性模型基础上,深入分析MOSFET寄生电容参数和开关管瞬态响应信号之间的关系,推导了各参数和瞬态响应之间的关系表达式,并用Saber仿真实验进行验证。由于栅极对MOSFET的性能影响至关重要,所以此次实验分析了和栅极相关的栅源电容Cgs和栅漏电容Cgd。结果表明,在寄生参数相同劣化程度时,栅源电容对瞬态响应的影响达到7.08%,而栅漏电容近似只有1.6%。栅源电容的劣化更大程度上影响瞬态响应,为MOSFET劣化提供了新的研究思路。
- 戴宇晟王国辉关永吴立锋李晓娟
- 关键词：MOSFET寄生电容瞬态响应软件仿真
- 电源系统健康状态预测与管理综述被引量：2
- 2013年
- 阐述了国内外电源故障、劣化研究的进展,展望了电源系统健康状态与管理的发展趋势。指出建立电源劣化过程的非线性时变行为模型,探求能反映在线电源异常状态的特征量及其获取方法,研究动态预测电源剩余使用寿命算法,已经成为提高电源系统的可靠性、可维护性和安全性的一种新思路。
- 吴立锋关永王国辉潘巍李晓娟
- 关键词：嵌入式系统电源劣化
- 开关电源功率器件MOSFET参数辨识的研究被引量：4
- 2013年
- 功率器件MOSFET作为开关电源主电路的一个重要组成部分,其可靠性备受关注。研究表明,在开关电源电路元器件失效率统计中,MOSFET失效率达31%。而MOSFET失效主要表现为导通电阻参数漂移,为了对MOSFET导通电阻参数进行在线辨识,以Buck电路为例,基于混杂系统理论构建Buck电路混杂系统模型,采用递推最小二乘法对模型中MOSFET导通电阻参数进行辨识,并在Simulink环境下进行仿真实验。实验结果表明,该方法对MOSFET导通电阻进行了有效的在线辨识,辨识相对误差小干5%,为MOSFET参数性故障的分析提供了理论依据和方法。
- 郑学艳吴立锋关永潘巍王国辉
- 关键词：开关电源MOSFET混杂系统参数辨识
- 超级电容建模现状及展望被引量：34
- 2013年
- 介绍了超级电容的特点和工作原理,从物理结构,电气特性以及阻抗特性三个方面对现有的超级电容应用模型予以概述,给出了各类模型的建模依据;分析了各类模型的特点及其优缺点;阐述了各类模型的适用范围。最后,结合超级电容在实际应用中出现的问题,展望了未来超级电容建模的发展趋势。
- 单金生吴立锋关永王国辉李晓娟
- 关键词：超级电容电气特性阻抗特性漏电流
