2024年12月26日
星期四
|
欢迎来到佛山市图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
国家重点基础研究发展计划(10321003)
作品数:
1
被引量:8
H指数:1
相关作者:
谭永胜
方泽波
陈圣
朱燕艳
蒋最敏
更多>>
相关机构:
绍兴文理学院
复旦大学
更多>>
发文基金:
国家重点基础研究发展计划
更多>>
相关领域:
理学
更多>>
相关作品
相关人物
相关机构
相关资助
相关领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
1篇
中文期刊文章
领域
1篇
理学
主题
1篇
栅介质
1篇
非晶
1篇
高K栅介质
机构
1篇
复旦大学
1篇
绍兴文理学院
作者
1篇
蒋最敏
1篇
朱燕艳
1篇
陈圣
1篇
方泽波
1篇
谭永胜
传媒
1篇
无机材料学报
年份
1篇
2008
共
1
条 记 录,以下是 1-1
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
非晶Er2O3高k栅介质薄膜的制备及结构特性研究
被引量:8
2008年
采用高真空反应蒸发法在未加热的p型Si(100)衬底上实现了非晶Er_2O_3高k栅介质薄膜的生长.俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学剂量比.X射线衍射、反射式高能电子衍射和高分辨透射电子显微镜测量表明,不但原位沉积的薄膜是非晶结构,而且高真空700℃退火30min后样品仍保持了良好的非晶稳定性.原子力显微镜检测显示高真空退火有利于改善薄膜的表面形貌.退火后,Er_2O_3薄膜获得了平整的表面.电容一电压测试得到薄膜的有效介电常数为12.6,EOT为1.4nm,在1MV/cm时漏电流密度为8×10^(-4)A/cm^2.这些特征表明非晶Er_2O_3薄膜是一种较好的高k栅介质候选材料.
方泽波
谭永胜
朱燕艳
陈圣
蒋最敏
关键词:
高K栅介质
全选
清除
导出
共1页
<
1
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张