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广东省重大科技专项([2012]129)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：石磊张燕峰郭春生李睿冯士维更多>>
相关机构：北京工业大学更多>>
发文基金：广东省重大科技专项国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇栅电流
  • 1篇肖特基
  • 1篇肖特基接触
  • 1篇PHEMT
  • 1篇ALGAAS

机构

  • 1篇北京工业大学

作者

  • 1篇万宁
  • 1篇熊聪
  • 1篇马卫东
  • 1篇冯士维
  • 1篇李睿
  • 1篇郭春生
  • 1篇张燕峰
  • 1篇石磊

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
AlGaAs/InGaAs PHEMT栅电流参数退化模型研究被引量：1
2013年
为定量研究在PHEMT栅电流退化过程中,不同失效机理对应的参数退化时间常数及退化比例,本文基于退化过程中物理化学反应中反应量浓度与反应速率的关系,建立了PHEMT栅电流参数退化模型.利用在线实验的方法获得PHEMT电学参数的退化规律,分析参数随时间的退化规律,得到不同时间段内影响栅电流退化的失效机理,并基于栅电流参数退化模型,得到了不同的失效机理对应的参数退化时间常数及退化比例.
万宁郭春生张燕峰熊聪马卫东石磊李睿冯士维
关键词：PHEMT栅电流肖特基接触
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共1页<1>
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