山东省高等学校科技计划项目(J08LI04)
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
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- 氧等离子体环境下退火温度和时间对多孔硅发光特性的影响
- 2011年
- 多孔硅(porous silicon,PS)样品在氧等离子体环境中退火,探究了退火温度和时间对PS光学特性的影响,通过光致发光(photoluminescence,PL)光谱和傅里叶变换红外光谱对样品进行了分析.高斯拟合结果显示样品的PL谱由三个中心峰位分别在2.16,2.06和1.95 eV的高斯峰叠加而成,样品在200℃退火10—180 min后,峰位在2.16 eV高斯峰的发光强度增强,同时峰位在2.06和1.95 eV的高斯峰发光强度逐渐减小直至最终消失.随退火时间的延长,多孔硅的纳米结晶硅颗粒尺寸减小,180 min退火时间下,硅颗粒尺寸减小了0.1—0.45 nm;样品在100℃—600℃退火后,PL谱强度呈减弱趋势,600℃退火后,PL谱淬灭.
- 李平李清山张世玉马自侠张志峰
- 关键词：多孔硅退火量子限制效应
- ZnO纳米结构/多孔硅复合体系的结构和发光特性研究被引量：1
- 2011年
- 利用脉冲激光沉积的方法分别在硅片和多孔硅衬底上沉积ZnO薄膜作为种子层,随后用溶液法生长了ZnO纳米棒,考察了衬底对纳米棒结构和发光性能的影响.XRD和SEM测量表明,制备的ZnO纳米棒为六角纤锌矿结构,有较好的c轴择优生长趋势,ZnO纳米棒顶端为平顶状.不同衬底生长ZnO纳米棒阵列的结构有很大差异.光致发光谱显示,多孔硅的橙红光和ZnO的发光叠加在一起,ZnO纳米结构/多孔硅复合体系在可见光区有很强的光致发光现象.
- 张世玉李清山李平马自侠
- 关键词：多孔硅ZNO薄膜ZNO纳米棒白光发射
