国家自然科学基金(10975035)
- 作品数：1 被引量：4H指数：1
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- 氘在碳钨共沉积层中的滞留行为研究被引量：4
- 2013年
- 运用射频磁控溅射方法,在氘氩混合气氛中制备了含氘碳钨共沉积薄膜.利用离子束分析方法[卢瑟福背散射(RBS)和弹性反冲(ERD)]对薄膜样品的厚度、成分、氘含量等进行了分析;利用拉曼光谱和扫描电子显微镜(SEM),分别分析了薄膜的结构和表面形态.离子束分析发现,氘原子更易被碳原子俘获位俘获,并且氘含量会随着沉积温度的升高而降低;其他镀膜条件固定的情况下,不同混合气体压强下薄膜样品中的氘浓度在5.0 Pa处有一个峰值;拉曼光谱分析显示,沉积温度从室温升高到725 K时,碳钨共沉积层中的类石墨化成分增加,同时,非晶化的程度也加剧;扫描电子显微镜图像表明,随着温度的升高薄膜表面被腐蚀的痕迹消失,但是由于应力的改变表面出现了多处的凸起.
- 张文钊唐兴华李嘉庆施立群
- 关键词：射频磁控溅射
