博士科研启动基金(XY10BS02)
- 作品数：7 被引量：6H指数：2
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- 耗散介观RLC串联电路在热真空态下的量子涨落
- 2015年
- 利用阻尼谐振子正则量子化方法,实现了耗散介观RLC串联电路的量子化,并在此基础上,研究了基于热场动力学(TFD)理论的热真空态下的电压和电流的量子涨落。结果表明,在热真空态下耗散介观RLC串联电路中的电压和电流存在着各自的量子涨落,且量子涨落及量子涨落积的大小不仅与电路中的器件参数有关,还与时间和温度有关。
- 孔令杰
- 关键词：量子化热真空态量子涨落
- 有源介观二阶RLC串并联电路的量子效应
- 2015年
- 借鉴阻尼谐振子正则量子化方法,实现了对有源介观二阶RLC串并联电路的量子化,在此基础上研究了真空态下电路中电荷和自感磁通链、电压和电流的量子涨落.结果表明,对于有源介观二阶RLC串并联电路,其在真空态下电荷和自感磁通链、电压和电流都存在着各自的量子涨落,且量子涨落及量子涨落积的大小皆与电路中的器件参数有关,并随时间按指数规律衰减.
- 孔令杰
- 关键词：阻尼谐振子正则量子化
- 耗散介观RLC串并联电路在热真空态下的量子涨落
- 2015年
- 利用阻尼谐振子正则量子化方法,实现了对耗散介观RLC串并联电路的量子化,并在此基础上,研究了基于热场动力学(TFD)理论的热真空态下的电荷和自感磁通链、电压和电流的量子涨落.结果表明,在热真空态下电荷和自感磁通链、电压和电流都存在着各自的量子涨落,且量子涨落及量子涨落积不仅与电路中的器件参数有关,而且还与时间和温度有关.
- 孔令杰
- 关键词：热真空态量子涨落
- 耗散介观RLC串并联电路的量子涨落
- 2015年
- 借鉴阻尼谐振子正则量子化的方法,实现了对耗散介观RLC串并联电路的量子化,并在此基础上,研究了真空态下电路中电荷和自感磁通链、电压和电流的量子涨落。结果表明,电路中电荷和自感磁通链、电压和电流在真空态下都具有各自的量子涨落,且量子涨落及量子涨落积的大小皆与电路中的器件参数有关,并随时间按指数规律衰减。
- 孔令杰
- 关键词：真空态量子涨落
- Pb离子辐照注碳a-SiO_2薄膜的光致发光性能
- 2011年
- 用湿氧化法在单晶硅表面生长了非晶态SiO2薄膜,进行120 keV C离子注入和950 MeV Pb离子辐照,用荧光光谱分析样品发光特性的改变。结果发现,C离子注入和高能Pb离子辐照均能显著影响样品的发光特性,且荧光光谱的改变强烈依赖于注入和辐照剂量,预示不同注入和辐照剂量将导致不同的发光结构形成。对注入和辐照造成薄膜发光的可能来源及发光改变的机制进行了讨论。
- 刘纯宝赵志明王志光
- 关键词：光致发光谱重离子辐照离子注入
- 快重离子辐照对非晶态SiO_2薄膜光致发光谱的影响被引量：4
- 2011年
- 用湿氧化法在单晶硅表面生长了非晶态SiO2薄膜,再用高能Pb和Xe离子对薄膜进行辐照,最后用荧光光谱分析了辐照参数(剂量、电子能损值)与发光特性改变的相关性。研究发现,快重离子辐照能显著影响薄膜的发光特性,进一步分析显示,辐照导致了SiO2薄膜内O—Si—O缺陷、缺氧缺陷和非桥式氧空位缺陷的产生,且缺氧缺陷和非桥式氧空位缺陷的数量会随Pb离子辐照剂量的增加而增多,而O—Si—O缺陷和缺氧缺陷的形成需要较高的电子能损值。
- 刘纯宝王志光
- 关键词：光致发光谱重离子辐照
- C离子注入对SiO_2薄膜光致发光特性的影响被引量：2
- 2012年
- 先用湿氧化法在单晶硅表面生长了非晶态SiO2薄膜,再用不同能量的C离子对薄膜进行注入,然后用荧光光谱分析了注入参数(注入能量、剂量)与发光特性改变的关联。研究发现,C离子注入能显著影响薄膜的发光特性,并且薄膜发光特性的改变强烈依赖于C离子的注入能量和注入剂量。对C离子注入SiO2薄膜引起发光特性改变的可能机理进行了简单讨论。
- 刘纯宝王志光
- 关键词：光致发光谱离子注入
