北京市优秀人才培养资助(20051D0501502)
- 作品数：5 被引量：14H指数：2
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- 相关机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市优秀人才培养资助国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 注入电流对垂直腔面发射激光器横模特性的影响被引量：6
- 2008年
- 对980nm氧化限制型垂直腔面发射激光器横模进行测试和研究,理论上从时间、空间变量的速率方程出发,利用空间积分法分析了典型电注入参数对弱折射率导引垂直腔面发射激光器(VCSELs)横模行为的影响,通过实验测试,得到VCSELs的横模光场分布情况,并与理论分析进行对比,得出相应的实验结果,在氧化孔径不变的情况下,随着注入电流的增加,载流子分布从有源区中心向边缘移动,模式从低阶基模向高阶模转变,并发生了较强的模式竞争以及载流子空间烧孔效应,最终导致基模强度的降低.另一方面,通过比较不同注入孔径下高阶模的发生时刻,得出越小的注入孔径,注入强度越低的时候,VCSELs更易实现单横模工作的实验结果.
- 杨浩郭霞关宝璐王同喜沈光地
- 关键词：横模垂直腔面发射激光器
- 表面InGaN厚度对GaN基发光二极管特性的影响
- 2008年
- 通过调整GaN基发光二极管(LED)表面InGaN层的厚度,发现在20mA电流驱动下,LED器件的正向压降有明显差距.本文考虑了极化效应的影响,通过求解InGaN/GaN三角形势阱内二维空穴气浓度以及空穴隧穿概率的变化,求得了表面InGaN层厚度不同时器件正向压降的变化趋势,发现理论结果与实验结果有很好的吻合.同时得到了获得最低正向压降的表面InGaN厚度.
- 顾晓玲郭霞吴迪李一博沈光地
- 关键词：极化
- 宽调谐范围垂直腔面发射激光器特性分析及设计被引量：4
- 2007年
- 运用光学传输矩阵和有限元方法对波长可调谐垂直腔面发射激光器(VCSELs)的波长调谐范围进行了研究.对中心波长为980nm的可调谐VCSELs的波长调谐特性和微电子机械系统(MEMS)悬臂梁结构进行了设计,并进行了实验研究.结果表明,MEMS可调谐VCSELs调谐特性同时受到光波谐振腔结构和悬臂梁最大位移的共同影响.在悬臂梁几何尺寸和激光器有源区结构一定的条件下,通过优化可调谐VCSELs的牺牲层厚度可实现大范围波长调谐.同时,对可调谐VCSELs整体结构进行了设计,计算结果显示波长调谐范围达到30nm以上,调谐效率达到0.12,调谐过程中所有激射波长都处在InGaAs/GaAs量子阱高增益区.
- 关宝璐郭霞杨浩梁庭顾晓玲郭晶邓军高国沈光地
- 关键词：悬臂梁宽调谐范围
- 可调谐微腔发光二极管微光机电系统悬臂梁的特性被引量：2
- 2008年
- 采用微机械表面加工技术,成功设计并研制出具有GaAs基微光机电系统(MOEMS)悬臂梁结构的可调谐微腔发光二极管。对其工作特性进行了分析,测量得到悬臂梁载荷-位移关系曲线,并对微光机电系统悬臂梁可调谐微腔发光二极管进行调谐光谱测量。实验结果表明,在直流电流40mA,调谐电压范围4～22V时,波长从974.5nm蓝移至956.9nm,室温下波长调谐最大达到17.6nm。在实验基础上,采用有限元方法对具有分布布拉格反射镜(DBR)结构的悬臂梁动力学特性进行了研究,模拟结果与实验结果吻合较好。当悬臂梁长度为400μm时,最大位移达到411nm,最大调谐电压达到24V。
- 关宝璐郭霞顾晓玲杨浩邓军高国沈光地
- 关键词：光学器件微光机电系统悬臂梁有限元
- 两步刻蚀法去除GaN-LED刻蚀中引入的损伤被引量：2
- 2006年
- 通过实验方法找出了去损伤刻蚀的最佳工艺参数,并研究了利用ICP两步刻蚀法去除刻蚀损伤的实验过程及结果.从实验结果可以看出,当ICP功率为750W时,刻蚀引入的损伤最小,刻蚀引起的损伤层厚度最大为25nm.去损伤刻蚀法能有效去除损伤,使采用两步刻蚀法的发光二极管的正向导通电压与反向漏电流均下降,发光亮度增大,非辐射复合比例减小,器件的发光效率和可靠性均得到了提高.
- 宋颖娉郭霞艾伟伟周跃平沈光地
- 关键词：刻蚀损伤I-V特性
