江苏省“333工程”科研项目(BRA2011115)
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 相关作者：于宗光吴俊陈珍海邹家轩季惠才更多>>
- 相关机构：中国电子科技集团第五十八研究所江南大学西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：江苏省“333工程”科研项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- ULSI后端设计低功耗技术研究被引量：1
- 2014年
- 提出一种新的ULSI后端设计低功耗流程,重点分析了版图压焊点位置摆放、宏单元位置规划、电源网络布局及物理综合功率优化设计等四项关键技术。采用SMIC 0.18μm 1P6M自对准硅化物CMOS工艺,设计了一种新型雷达SoC芯片,电路版图尺寸为7.825mm×7.820mm,规模为200万门,工作频率为100MHz。实验结果表明,采用低功耗物理设计技术后,芯片功耗降低12.77%,满足350mW功耗的设计要求。该电路已通过用户的应用验证,满足系统小型化和低功耗需求。
- 杨兵张玲魏敬和于宗光
- 关键词：低功耗技术后端设计SOCCMOS
- 一种基于伪随机动态补偿的12位250 MS/s流水线ADC被引量：2
- 2014年
- 提出了一种基于伪随机补偿技术的流水线模数转换器(ADC)子级电路.该子级电路能够对比较器失调和电容失配误差进行实时动态补偿.误差补偿采用伪随机序列控制比较器阵列中参考比较电压的方式实现.比较器的高低位被随机分配,以消除各比较器固有失调对量化精度的影响,同时子ADC输出的温度计码具有伪随机特性,可进一步消除MDAC电容失配误差对余量输出的影响.基于该子级电路设计了一种12位250 MS/s流水线ADC,电路采用0.18μm 1P5M1.8 V CMOS工艺实现,面积为2.5 mm2.测试结果表明,该ADC在全速采样条件下对20 MHz输入信号的信噪比(SNR)为69.92 dB,无杂散动态范围(SFDR)为81.17 dB,积分非线性误差(INL)为-0.4^+0.65 LSB,微分非线性误差(DNL)为-0.2^+0.15 LSB,功耗为320 mW.
- 于宗光陈珍海吴俊邹家轩季惠才
- 关键词：流水线模数转换器动态补偿伪随机码
- 与ONO反熔丝FPGA匹配的高压器件设计
- 2012年
- 描述了一种与ONO反熔丝现场可编程门阵列(FPGA)匹配的高压nMOSFET的设计.该器件采用中国电子科技集团公司第五十八研究所晶圆的1.0μm 2P2M ONO反熔丝工艺生产实现.该工艺中,通过一次离子注入和高温推进实现了深结HVNwell;通过将高压注入与栅极多晶保持0.2μm的间距解决了增加结深、提高速度与降低穿通击穿电压的矛盾;通过一次离子注入实现了高压nMOSFET阈值电压的调整.测试结果表明:高压nMOSFET的击穿电压达到21～23 V,远大于ONO反熔丝13.5 V的编程电压;饱和电流为4.32 mA,与工艺改进前相比饱和电流明显增大,工作速度得到提升,满足反熔丝FPGA工作频率的要求;阈值电压为0.78 V,与常压器件兼容.
- 周云波于宗光封晴胡凯
- 关键词：高压器件FPGA
