浙江省自然科学基金(Z6100117)
- 作品数：6 被引量：13H指数：2
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- 相关机构：浙江大学浙江师范大学中国科学院更多>>
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- 分子束外延生长[111]晶向CdTe的研究被引量：2
- 2012年
- 本文采用分子束外延(MBE)方法在BaF_2衬底上直接外延生长了CdTe(111)薄膜.反射高能电子衍射(RHEED)实时监控生长表面,衍射图样揭示了CdTe(111)在BaF_2表面由二维生长向三维生长的变化过程.XRD表征验证了外延生长的CdTe薄膜的单晶性质.由红外透射光谱测量和理论拟合相结合,得到了CdTe外延薄膜室温带隙宽度E_g=1.511 eV.
- 张兵坡蔡春锋才玺坤吴惠桢王淼
- 关键词：CDTERHEED
- 氧化锌锡薄膜晶体管的研究被引量：2
- 2011年
- 在ITO玻璃基底上用射频磁控溅射技术生长氧化锌锡(ZnSnO)沟道有源层、用PECVD生长SiO2薄膜作为薄膜晶体管的栅绝缘层研制了薄膜晶体管(TFT),器件的场效应迁移率最高达到μn=9.1cm2/(V·s),阈值电压-2V,电流开关比为104.
- 王雄才玺坤原子健朱夏明邱东江吴惠桢
- 关键词：薄膜晶体管场效应迁移率
- 磁控溅射气体参数对氧化铟薄膜特性的影响被引量：3
- 2011年
- 采用射频磁控溅射法生长氧化铟薄膜,研究了溅射气压和溅射气体对氧化铟薄膜结构及光电特性的影响。X射线衍射结果表明制得的薄膜为立方结构的多晶体,随着溅射气压的升高,薄膜晶粒尺寸变大。1 Pa下沉积的氧化铟薄膜具有最大的迁移率和最小的载流子浓度,分别为15.2 cm^2/V.s和1.19×10^19cm^-3。用O2溅射的氧化铟薄膜载流子浓度降至4.39×1013cm^-3,在红外区（1.5-5.5μm）的平均透射率为85%,高于Ar溅射的薄膜,这可能是由于O2的加入减少了氧空位,降低了载流子浓度,使得自由载流子对红外光的吸收减弱。
- 才玺坤原子健朱夏明张兵坡邱东江吴惠桢
- 关键词：IN2O3磁控溅射溅射气压电学特性氧空位
- PbTe中红外光伏探测器被引量：2
- 2011年
- 利用自主的分子束外延(MBE)技术在CdZnTe(111)基底上生长PbTe半导体探测器材料,通过在PbTe薄膜上沉积In2O3透明导电薄膜、ZnS绝缘保护层和In薄膜做电极,制成PbTe结型中红外光伏探测器.在77 K温度下,器件响应波长为1.5～5.5μm,实验测量的探测率为2×1010 cm.Hz1/2W-1,由R0A值计算的探测器峰值探测率达到4.35×1010 cm.Hz1/2W-1.随着温度的升高,截止波长发生蓝移,探测率降低.分析了影响探测器探测率和R0A值的主要因素.
- 魏晓东蔡春峰张兵坡胡炼吴惠桢张永刚冯靖文林加木林春方维政戴宁
- 关键词：PBTE光伏探测器中红外
- CdSe胶质量子点的电致发光特性研究被引量：3
- 2012年
- 采用胶体化学法合成硒化镉(CdSe)胶质量子点,在此基础上制成了以CdSe胶质量子点为有源层,结构为ITO/ZnS/CdSe/ZnS/Al的电致发光(EL)器件.透射电镜测量表明量子点的尺寸为4.3 nm,扫描电子显微镜测量ZnS薄膜和Al薄膜结果显示表面均较为平整,由器件结构的X射线衍射分析观察到了CdSe(111)、ZnS(111)等晶面的衍射,表明器件中包含了CdSe量子点和ZnS绝缘层材料.光致发光谱表征胶质量子点的室温发光峰位于614 nm,电致发光测量得到器件在室温下的发光波长位于450～850 nm,峰值在800 nm附近.本文对电致发光机制及其与光致发光谱的区别进行了讨论.
- 楼腾刚胡炼吴东锴杜凌霄蔡春锋斯剑霄吴惠桢
- 关键词：CDSE量子点电致发光光致发光
- 微腔中CdSe量子点荧光增强效应被引量：1
- 2011年
- 文章主要研究了CdSe量子点微腔结构,微腔结构包括上下分布式布拉格反射镜(DBR),中间的有源层为溶解在聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)中的CdSe胶体量子点.采用传递矩阵法模拟微腔的反射光谱,对实验测试曲线进行较好的拟合.通过测试微腔结构的光致荧光(PL)光谱,其半峰宽(FWHM)由未加入微腔的CdSe量子点样品的27.9nm,减小到微腔结构的7.5nm,在微腔中的量子点,由于腔模式的出现,其发光谱的品质因数增加了3.6倍,达到了荧光增强的效果.
- 杜凌霄胡炼张兵坡才玺坤楼腾刚吴惠桢
- 关键词：CDSE量子点微腔效应荧光增强
