北京市自然科学基金(H030630010120)
- 作品数：5 被引量：22H指数：3
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- 直流磁控反应溅射法制备大面积AZO薄膜的实验研究被引量：7
- 2009年
- 用锌铝合金靶在苏打玻璃上制备大面积AZO半导体透明薄膜,降低了靶材费用。实验中采用靶体旋转的直流磁控溅射工艺,提高了靶材利用率,实现了大面积均匀镀膜,并能获得定向生长的薄膜。文章介绍了采用该方法制备大面积薄膜的实验,并用X射线衍射仪、扫描电子显微镜等多种分析方法对大面积薄膜的结构、形貌、电学性能及光学性能进行分析,实验结果表明,采用合金靶做靶源,氩作工作气体,控制好氧气分压,大功率溅射可以获得定向性好、致密、均匀、透射率高、电阻率低的优质大面积(300 mm×300mm)AZO薄膜。
- 焦飞廖成韩俊峰周震
- 关键词：ZNO反应溅射
- 两步法制备CIGS薄膜的工艺研究被引量：4
- 2011年
- 本文主要研究了"预制层硒化法"制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜的工艺。采用磁控溅射的方式制备In、Cu-Ga金属预制层,然后进行硒化(450℃)以及退火处理(550℃)。SEM结果表明,在室温下溅射沉积In薄膜,并且采用Mo/Cu-Ga/In/Cu-Ga/In的叠层顺序,可以获得平整致密的CIGS薄膜。XRD和SEM测量显示,以单质硒作为硒源,在450℃的硒化之后生成分离的CIS和CGS相,惰性氛围的高温退火可以使分离的CIS和CGS相互融合,形成均一化的CIGS四元化合物。在此基础上,最终完成的CIGS电池光电转换效率为7.5%。
- 廖成韩俊峰江涛谢华木焦飞赵夔
- 关键词：铜铟镓硒退火
- 硒蒸气浓度对制备CIGS薄膜的影响被引量：2
- 2011年
- 采用"预制层硒化法"制备CuIn1-xGaxSe2(CIGS)薄膜.基于自主设计的"双层管式硒化装置",通过控制硒蒸气浓度优化退火工艺,研究硒蒸气浓度对薄膜光电性能的影响.利用俄歇电子能谱(AES)和X射线衍射分析(XRD)等手段对不同硒浓度氛围下生成的CIGS薄膜的成分和物相进行表征,并在AM1.5、1000W·m-2的标准光照条件下比较相应CIGS电池器件的输出性能.实验结果表明:饱和硒蒸气下退火得到的样品,基底钼膜遭到严重腐蚀破坏,失去背电极功能;在低浓度硒气氛下退火不能有效消除CIGS薄膜的偏析和缺陷,以致光电转换效率低;而在无硒惰性氛围下退火的样品,生成了物相均一化的CIGS薄膜,由此制备的CIGS电池取得了8.5%的转换效率.
- 廖成韩俊峰江涛谢华木焦飞赵夔
- 关键词：退火偏析
- CdS薄膜的制备及其在CdTe电池中的应用被引量：6
- 2011年
- CdTe薄膜电池是发展最快、应用前景最好的一类太阳能电池。CdS层是CdTe电池的窗口层材料,其薄膜质量直接影响电池的转换效率。本文介绍了化学水浴沉积(CBD)和闭空间升华(CSS)两种方法沉积CdS薄膜,并完成单电池器件的制备和测试。CSS方法制备的薄膜结晶较大,光学和电学性能好于CBD方法制备的薄膜,太阳能电池的光电转换效率达到10.9%。CSS方法镀膜速度快,真空环境工作,有利于大规模产业化应用。
- 韩俊峰廖成江涛赵夔
- 关键词：硫化镉薄膜太阳能电池
- 以溅射为主的叠层硒化法制备大面积铜铟镓硒薄膜被引量：3
- 2008年
- 本文采用基于溅射为主的四元叠层硒化法制备大面积铜铟镓硒薄膜.分别利用SEM与EDX对四元叠层这一新方法制备的薄膜进行微观结构分析与成分分布分析。结果发现,在采用四元叠层发制备CIGS薄膜中,提高衬底温度,控制Se源温度即控制预置层中Se的含量可以有效的改善薄膜的微观结构,对已经制备完毕的薄膜进行二次退火,不但可以获得比较好的微观结构,同时还可以有效的控制Ga在薄膜内部沿深度方向的分布。
- 焦飞廖成周震韩俊峰谢华木赵夔
