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上海市青年科技启明星计划(04QMX1419)

作品数:4 被引量:7H指数:1
相关作者:石艳玲陈寿面赵宇航朱骏唐深群更多>>
相关机构:华东师范大学上海集成电路研发中心更多>>
发文基金:上海市青年科技启明星计划国家自然科学基金“上海-应用材料研究与发展”基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 1篇电感
  • 1篇电感值
  • 1篇电荷
  • 1篇电路
  • 1篇片上螺旋电感
  • 1篇平面螺旋电感
  • 1篇螺旋电感
  • 1篇晶体管
  • 1篇集成电路
  • 1篇高压集成电路
  • 1篇高阻
  • 1篇共平面波导
  • 1篇硅基
  • 1篇分析技术
  • 1篇PERFOR...
  • 1篇SPACE
  • 1篇SPICE
  • 1篇WIDTH
  • 1篇BSI
  • 1篇BSIM3模...

机构

  • 4篇华东师范大学
  • 3篇上海集成电路...

作者

  • 4篇石艳玲
  • 3篇朱骏
  • 3篇赵宇航
  • 3篇陈寿面
  • 2篇丁艳芳
  • 2篇唐深群
  • 1篇蒋菱
  • 1篇忻佩胜
  • 1篇徐钰
  • 1篇刘贇
  • 1篇胡少坚
  • 1篇任铮
  • 1篇罗天星
  • 1篇沈迪
  • 1篇朱荣锦
  • 1篇刘赟
  • 1篇金蒙
  • 1篇胡红梅
  • 1篇王勇
  • 1篇王勇

传媒

  • 3篇Journa...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2007
  • 2篇2006
  • 1篇2005
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
高压集成电路中的HV MOS晶体管BSI M3 I-V模型改进被引量:1
2006年
针对SPICEBSIM3模型在对大量应用于高压集成电路中的轻掺杂漏高压MOS(简称HVMOS)晶体管建模上的不足,提出了基于BSIM3的高压MOS晶体管I V模型改进.研究中使用AgilentICCAP测量系统对HV MOS晶体管进行数据采集,并分析其源漏电阻受栅源、源漏和衬底电压的影响及与标准工艺低压MOS晶体管的差异,针对BSIM3模型源代码中源漏电阻Rds的相关参数算法进行了改进,保留BSIM3v3原有参数的同时增加了Rds的二次栅压调制因子Prwg2和有效Vds参数δ的栅压调制因子δ1,δ2,在开放的SPICE和BSIM3v3源代码上对模型库文件进行修改并实现了优化.仿真结果表明采用改进后的模型,在ICCAP下的测量曲线与参数提取后的I V仿真曲线十分吻合,该模型大大提高了BSIM3I V模型模拟HVMOS晶体管时的精确度,对于高压集成电路的设计与仿真有着极其重要的意义.
任铮石艳玲胡少坚金蒙朱骏陈寿面赵宇航
关键词:BSIM3模型SPICEHVMOS晶体管
Performance Analysis of RF Spiral Inductor with Gradually Changed Metal Width and Space被引量:4
2005年
To decrease the metal losses of RF spiral inductor,a novel layout structure with gradually reduced metal line width and space from outside to inside is presented. This gradual changed inductor has less eddy-current effect than the conventional inductor of fixed metal width and space. So the series resistance can be reduced and the quality (Q) factor of the inductor relating to metal losses is increased. The obtained experimental results corroborate the validity of the proposed method. For a 6nH inductor on high-resistivity silicon at 2.46GHz,Q factor of 14.25 is 11.3% higher than the conventional inductor with the same layout size. This inductor can be integrated with radio frequency integrated circuits to gain better performance in RF front end of a wireless communication system.
王勇石艳玲刘斌贝丁艳芳唐深群朱骏陈寿面赵宇航
精确高效的渐变结构片上螺旋电感的电感值分析技术被引量:1
2006年
与传统的金属线宽和间距固定不变的无源片上螺旋电感相比,线宽和间距由外圈到内圈渐变的新型结构电感能有效提高电感品质因子.这种新结构电感的出现使得Jenei等人提出的闭合电感公式已不再适用于其电感值的计算,而改进的Wheeler公式计算误差又较大.针对这种情况,文中提出了一种以圈为单位分圈迭代求自感,用整体平均法计算互感的平面螺旋电感的电感值计算方法.该算法分析值与HFSS仿真值相比,误差小于3%,与样品测量值相比,误差小于4%.因此该算法具有计算速度快、精度高的特点,能用于渐变结构片上螺旋电感的高效设计,并可缩短设计周期.
罗天星石艳玲丁艳芳唐深群刘贇王勇朱骏陈寿面赵宇航
关键词:平面螺旋电感
Si/SiO_2系统电荷对高阻硅基CPW传输损耗的影响被引量:1
2007年
通过高频C-V测试得到实验制备的共平面波导(CPW)下方的Si/SiO2系统电荷主要表现为正电荷,其密度约为4.8×1010/cm2。三种不同衬底上50Ω共平面波导分别为直接制备于高阻硅上、高阻硅氧化层上、去除信号线与地线间的高阻硅氧化层上。20GHz时,测得上述三种CPW的微波传输损耗分别为-0.88dB、-2.50dB及-1.06dB,因此去除线间氧化层使得传输线损耗降低了1.44dB。此外还测试了高阻硅氧化层和除去线间氧化层的高阻硅氧化层上的两种CPW的传输损耗随外加偏压的变化。
徐钰石艳玲沈迪胡红梅忻佩胜朱荣锦刘赟蒋菱
关键词:共平面波导
共1页<1>
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