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国家自然科学基金(60277088)
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2008
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单片集成GaAsPIN/PHEMT光接收机前端工艺研究
被引量:2
2008年
利用0.5μm GaAs PHEMT技术研究了适用于单片集成GaAs PIN/PHEMT光接收机前端的关键工艺,解决了台面工艺和PHEMT平面工艺的兼容性问题,包括不同浓度磷酸系腐蚀液对台面腐蚀均匀性的影响、台面与平面共有金属化工艺对光刻技术的要求。结果表明,工艺技术完全满足单片设计要求,研制得到的单片集成光接收机前端在输入1Gb/s和2.5Gb/s非归零(NRZ)伪随机二进制序列(PRBS)调制的光信号下得到较为清晰的输出眼图。
冯忠
焦世龙
冯欧
杨立杰
蒋幼泉
陈堂胜
陈辰
叶玉堂
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单片集成
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