北京市教委科技发展计划(KM200710005015)
- 作品数：20 被引量：29H指数：3
- 相关作者：谢红云金冬月沈珮陈亮李佳更多>>
- 相关机构：北京工业大学中国电子科技集团公司第二十四研究所中国科学院更多>>
- 发文基金：北京市教委科技发展计划国家自然科学基金北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 多发射指分段结构功率SiGe HBT的优化设计
- 本文提出了一种有效的方法—采用多发射极指分段结构来增强功率SiGe HBT的热稳定性,并将传统的非均匀条间距技术与分段结构设计相结合,对功率SiGe HBT进行了优化设计。通过三维热模拟,我们得到了非均匀段间距设计（符合...
- 王扬张万荣谢红云金冬月张蔚何丽剑沙永萍
- 关键词：优化设计热模拟
- 文献传递
- 3～10GHz SiGe HBTs超宽带低噪声放大器的设计被引量：3
- 2009年
- 根据UWB（Ultra-wideband）无线通信标准,提出了一款超宽带低噪声放大器并进行了设计。该放大器选用高性能的SiGe HBTs,同时采用并联和串联多重反馈的两级结构,以达到超宽频带、高增益、低噪声系数以及良好的输入输出匹配的目的。仿真结果表明,放大器在3-10 GHz带宽内,增益S21高达21 dB,增益平坦度小于1.5 dB,噪声系数在2.4~3.3 dB之间,输入输出反射系数（S11和S22）均小于-9 dB,并且在整个频带内无条件稳定。所有结果表明该LNA性能良好。
- 李佳张万荣谢红云金冬月沈珮甘军宁
- 关键词：射频放大器低噪声放大器超宽带SIGEHBTS
- 能带工程对射频功率SiGe异质结双极晶体管热性能的改善被引量：5
- 2011年
- 众所周知,基区"能带工程"可以改善Si1-xGex基区异质结双极晶体管(HBT)的直流、频率和噪声等特性,但"能带工程"对HBT热学特性的影响的研究还很少。本文基于三维热电反馈模型,分析了"能带工程"对射频功率SiGeHBT热性能的影响。考虑到电流增益随温度的变化以及发射结电压负温度系数,给出了器件热稳定所需最小镇流电阻(REmin)的表达式,在此基础上给出了非均匀镇流电阻的设计,进一步提高了SiGe HBT的热稳定性。研究发现,随基区Ge组分的增加,芯片表面温度降低,这是SiGeHBT内部产生了热电负反馈效应的结果。在相同的耗散功率下,随着基区Ge组分的增加,器件热稳定所需的镇流电阻减小。这些结果对器件的热学设计具有重要的参考意义,也有利于改善器件的饱和压降、功率增益、频率特性等整体性能。
- 肖盈张万荣金冬月陈亮王任卿谢红云
- 关键词：SIGEHBT镇流电阻
- 高阻硅低损耗微波共面波导传输线
- 为满足10Gbit/s光纤通信系统光电器件的封装要求,本文给出了三种不同硅衬底上微波共面波导（Coplanar Waveguide,CPW）的设计和制备,包括普通的低阻硅（Low Resitivity Silicon,L...
- 谢红云张蔚何莉剑杨华王扬沙永萍甘军宁张万荣
- 关键词：共面波导高阻硅微波传输
- 文献传递
- 一款适用于WCDMA标准的大动态范围SiGe HBT可变增益放大器设计被引量：1
- 2009年
- 第三代移动通信标准WCDMA要求放大器增益可调,并且增益动态范围较大。根据这一要求给出了一种基于SiGeHBT具有高动态范围的可变增益放大器（VGA）设计。放大器为三级级联结构,第一级为输入缓冲级,第二级为增益控制级,最后为放大级。VGA的增益控制通过调整第二级的偏置实现。VGA在1.95 GHz频率下,在0～2.7 V增益控制电压变化下,具有44 dB增益变化范围,最大增益49 dB。在最大增益处最小噪声系数为2.584 dB,输入输出电压驻波比低于2,性能良好。
- 甘军宁张万荣谢红云金冬月沈珮李佳
- 关键词：射频放大器可变增益SIGEHBT
- 一种采用SiGe HBT的新型超宽带有源可调衰减器
- 2013年
- 提出一种以SiGe HBT为有源器件的超宽带有源可调衰减器。在超宽频带内实现了宽增益调节范围和高线性度。详细分析了有源衰减器的最小插入损耗及最大衰减量,基于Jazz 0.35μm SiGe HBT工艺,通过选择合适的SiGe HBT有源器件,完成了超宽带有源可调衰减器的设计。利用安捷伦公司的ADS仿真软件,对设计的有源可调衰减器进行仿真验证。结果表明,在3.1～10.6GHz的超宽带内,当电压在0.4～1.8V的范围内变化时,该有源可调衰减器的增益动态范围大于50dB,S11在整个电压变化范围内均低于-10dB,且输入3阶交调点(IIP3)为13dBm。
- 邢光辉张万荣谢红云丁春宝陈亮郭振杰路志义张瑜洁周永强
- 关键词：超宽带有源衰减器可调衰减器SIGEHBT
- 基于IEEE802.11a标准的SiGe HBT LNA的设计
- 2008年
- 基于IEEE802·11a标准描述了一款SiGe HBT低噪声放大器(LNA)的设计。为适应该标准的要求,给出了噪声、功率增益及稳定性的优化方法。选用SiGe HBTs作为有源元件,采用T型输入、输出匹配网络设计了电路,并用安捷伦ADS-2006A软件对噪声系数、增益等各项指标进行了仿真。最终在频率为5·2GHz下,LNA噪声系数F为1·5dB,增益S21达到12·6dB,输入、输出反射系数S11和S22较好,在工作频带内小于-10dB,LNA性能良好。
- 李佳张万荣谢红云张蔚沈珮甘军宁
- 关键词：低噪声放大器IEEE802.11A
- Ge组分分布对基区杂质非均匀分布的SiGe HBT温度特性的影响被引量：3
- 2013年
- 众所周知,双极型晶体管的设计主要是基区的设计.一般而言,基区的杂质分布是非均匀的.本文首先研究了非均匀的杂质高斯分布对器件温度分布、增益和截止频率的温度特性的影响,发现增益和截止频率具有正温度系数,体内温度较高.随后研究了基区Ge组分分布对这些器件参数的影响.均匀Ge组分分布和梯形Ge组分分布的SiGe异质结双极型晶体管增益和截止频率具有负温度系数,具有较好的体内温度分布.进一步的研究表明,具有梯形Ge组分分布的SiGe异质结双极型晶体管,由于Ge组分缓变引入了少子加速电场,不但使它的增益和截止频率具有较高的值,而且保持了较弱的温度敏感性,在增益、特征频率大小及其温度敏感性、体内温度分布达到了很好的折中.
- 张瑜洁张万荣金冬月陈亮付强郭振杰邢光辉路志义
- 关键词：温度特性GE组分分布
- 射频功率HBT热稳定性分析及镇流电阻优化被引量：1
- 2008年
- 为了有效改善射频功率HBT的热不稳定性、消除自加热效应对功率器件电学特性的影响,从热电反馈网络出发,阐述了晶体管热稳定因子S的物理意义.在考虑发射极电流正温度系数、器件能带连续性(△E_v)、重掺杂效应(△E_g)、基极和发射极加入镇流电阻(R_B和R_E)等因素的情况下。给出了功率HBT自热完全补偿(S= 0)所需最小镇流电阻(R_c)表达式.结果表明,在△E_v+△E_g>2κT时,HBT工作温度丁越大,R_c反而越小.由于R_c的减小,功率HBT将能提供更大的输出功率、功率增益和功率附加效率.
- 金冬月张万荣谢红云沈珮王扬
- 关键词：异质结双极晶体管热稳定镇流电阻
- 具有高电流处理能力的多发射极条微波功率GeSi HBT
- 本文对多发射极条(指)微波功率GeSi HBT进行了设计、制造,并对电流处理能力进行了研究。实验结果表明,对20-80指GeSi HBT,发射极单位长度的电流密度I在1.67-1.06A/cm之间变化.随发射极条数的增加...
- 沈珮张万荣谢红云金冬月邱建军王扬何莉剑张蔚沙永萍李佳甘军宁
- 关键词：锗硅异质结双极晶体管
- 文献传递
