公共文化服务平台

共 9 条记录，以下是 1-9

全选清除导出

排序方式：

ATO包覆型导电纤维的制备被引量：11: 2007年; 以莫来石纤维为基体,采用共沉淀法在其表面沉积一层锑掺杂氧化锡(ATO),制得导电纤维,并研究了制备工艺对导电纤维电阻率和颜色的影响.结果表明:热处理温度为600～1 000℃时制备的导电纤维的电阻率低于50Ω.cm,与同条件下制备的ATO的电阻率相差不大;热处理温度为1 000℃以上时,由于莫来石纤维中的部分A l3+进入氧化锡晶格出现补偿效应,致使导电纤维的电阻率急剧下降;导电纤维的亮度L*大于同温度下制备的ATO的亮度,而且差值都在10个单位以上;导电纤维与硫酸钡标准样品的色差ΔE小于10个NBS.; 吴建青颜东亮汪永清卢振亚; 关键词：锑掺杂氧化锡导电纤维包覆

高可见光吸收红外辐射陶瓷的制备和性能被引量：9: 2006年; 选择高红外辐射率的堇青石和对可见光吸收率很大的尖晶石型铁氧体FeMnCuO4为主要组分,制备出高可见光吸收的高效红外辐射陶瓷。用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外-可见分光光度计和红外辐射测量仪分别对合成粉体的相组成、显微结构、可见光吸收性能以及红外辐射性能进行了研究。结果表明:在铁氧体掺杂量为25%,1200℃保温2h烧成的陶瓷在400nm-900nm波段的吸收率为0.92,远红外辐射率为0.94。; 李艳吴建青; 关键词：红外陶瓷堇青石铁

导电纤维的制备及在防静电陶瓷中的应用被引量：8: 2010年; 以氧化硅玻璃纤维为载体,采用非均匀成核法在其表面包覆一层锑掺杂二氧化锡(ATO)制备了导电纤维。导电纤维的电阻率随热处理温度升高的变化趋势与ATO基本一致,包覆物加入率为100%、75%、50%、25%和12.5%的ATO包覆氧化硅纤维在500～1200℃处理后的电阻率全部低于200?·cm。由于较大的长径比所导致的桥联效应,少量的导电纤维在陶瓷中就能形成完善的导电网络,同时也能极大减少防静电陶瓷中ATO的用量,包覆物加入率为12.5%的ATO包覆纤维作为导电填料时,能节省约77.8%的ATO。; 颜东亮吴建青陈林; 关键词：导电纤维 ATO 锑掺杂二氧化锡温度升高导电填料长径比

包覆型导电填料的制备及在防静电陶瓷中的应用被引量：6: 2008年; 以氧化硅粉体为载体,采用非均匀成核法制备了ATO包覆氧化硅导电粉。对比了该导电粉与ATO在防静电陶瓷中的应用效果。结果表明:以包覆型导电粉作为导电填料制备防静电陶瓷能够大大地减少ATO的用量,其中包覆物加入率为12.5%、25%、50%、75%和100%的ATO包覆氧化硅粉体加入陶瓷后分别能节省大约66%、40%、35%、30%和25%的ATO用量。; 颜东亮吴建青钟燚; 关键词：ATO 包覆导电填料

工艺参数对包覆型导电纤维电性能的影响被引量：3: 2012年; 以氧化硅玻璃纤维为载体,采用非均匀成核法制备了ATO包覆导电纤维。正交实验结果表明:影响ATO包覆纤维效果的因素依次是:包覆悬浮液中被包覆物固含量、包覆层溶液离子浓度、反应过程的pH值、包覆时反应温度及包覆离子溶液加入速度。通过正交实验所确定的ATO包覆氧化硅纤维的合理工艺参数为:悬浮液中氧化硅纤维的浓度保持在0.4 g/mL、包覆溶液的pH值控制在2.0左右、包覆层离子浓度选取0.6 mol/L、包覆离子溶液加入速度定为0.5 mL/min、反应温度为50℃。另外,对各工艺参数对导电纤维包覆的影响进行了理论分析。; 颜东亮李仕超陈林吴建青; 关键词：导电纤维工艺参数电性能

制备条件对ATO包覆氧化硅导电粉电性能的影响被引量：1: 2012年; 采用非均匀成核法制备了ATO包覆氧化硅导电粉体。正交实验的结果表明,各因素对ATO包覆纤维效果的影响从大到小依次是包覆悬过程中氧化硅的用量、包覆层溶液离子浓度、反应过程的pH值、包覆时反应温度及包覆离子溶液加入速度。通过正交实验所确定ATO包覆氧化硅粉体的合理工艺参数:包覆悬过程中氧化硅的用量保持在0.4g/mL、包覆过程的pH值控制为2.0、包覆层离子浓度为0.6mol/L、包覆离子溶液加入速度为0.5mL/min、反应温度为50℃。通过正交实验所确定的合成参数所得的复合导电粉体的电阻率只有108.1Ω.cm。; 颜东亮郭子龙陈林吴建青; 关键词：正交实验

ZnO半导体粉体制备工艺与电阻率的关系被引量：5: 2007年; 采用固相合成法制备了氧化铝掺杂的氧化锌半导体粉体,通过X-射线衍射分析,探讨了掺杂量、煅烧温度和保温时间对粉体导电性能的影响.实验发现:Al2O3的掺杂量高于0.5%(摩尔比)时,会生成ZnAl2O4尖晶石相,降低ZnO的电导率;在一定的温度和保温时间下,才能保证有足够的Al3+进入ZnO的晶格,从而获得电阻率比较低的ZnO半导体粉体;温度过高和保温时间过长都会导致Al2O3与ZnO反应生成尖晶石,减少Al3+对Zn2+的置换率,并对电子产生散射,从而导致ZnO半导体粉体的电阻率升高;当Al2O3掺杂量为ZnO的0.5%(摩尔比)时,在1300℃下保温3h所得到的ZnO粉体的电阻率为18kΩ.cm.; 吴建青钟燚颜东亮; 关键词：氧化锌氧化铝掺杂电阻率

石英对瓷质抛光砖防污性能的影响被引量：4: 2007年; 实验研究了瓷质抛光砖坯体中石英晶相对防污性能的影响。采用XRD和SEM等方法分析了石英晶相的含量与防污性能的关系,并从显微结构出发讨论了影响瓷质抛光砖防污性能的根本原因。结果表明:减少原料中SiO的引入量或其粒度均可降低烧结成瓷后坯体中SiO晶相的残留量,从而有效改善瓷质抛光砖的防污性能。; 李勇汪永清吴建青郑树龙唐奇周小明; 关键词：抛光砖防污性能

锑掺杂氧化锡包覆氧化硅导电粉的制备及电性能被引量：8: 2009年; 以氧化硅粉体为载体,用非均匀成核法制备了锑掺杂氧化锡(antimony-doped tin oxide,ATO)包覆氧化硅导电粉。用电阻测试仪、场发射扫描电镜和能谱仪对粉体进行了表征。结果表明:包覆物加入量由二氧化硅用量的12.5%增加到100%时,包覆层厚度也从110nm增加到600nm。ATO包覆氧化硅粉体的电阻率随处理温度升高的变化趋势与同条件下制备的ATO基本一致,其中包覆物加入量为100%,75%,50%的ATO包覆氧化硅粉在500～1200℃热处理后的电阻率低于200Ω·cm,1100℃热处理后的25%包覆物加入量粉体的电阻率仅为99.9Ω·cm。包覆物加入量为12.5%的包覆粉体的电阻率由1100℃处理后的120.6Ω·cm上升到1200℃处理后的超过20MΩ·cm,这是因为包覆层较薄,在高温处理过程中包覆层上颗粒长大并收缩而使包覆层受到破坏。; 颜东亮吴建青钟燚; 关键词：锑掺杂氧化锡包覆导电粉电阻率

全选清除导出

共1页<1>

广东省自然科学基金(05006564)