国家高技术研究发展计划(2007AA03Z404)
- 作品数：7 被引量：4H指数：1
- 相关作者：朱顺明顾书林吴孔平陈慧汤琨更多>>
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- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
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- O_2流量对ZnO薄膜生长及性质的影响
- 讨论了MOCVD生长ZnO薄膜各种性质随氧流量的变化规律。固定锌源(DEZn)流量改变氧源(O_2)流量,采用低压MOCVD在石英衬底上生长一组ZnO薄膜样品。由厚度测量、Raman散射、XRD表征表明,随O_2流量增加...
- 周茂峰顾书林朱顺明
- 关键词：氧化锌薄膜金属有机物化学气相淀积锌源
- 文献传递
- 真空退火对ZnMnO：N物理特性影响的研究
- 2012年
- 利用金属有机源化学气相沉积(MOCVD)技术,在蓝宝石上外延了Mn-N共掺ZnO薄膜,同时,将得到的ZnMnO:N样品分别在700,900和1100°C的温度下进行真空退火处理.X射线衍射(XRD)显示真空退火使薄膜样品的晶格质量变差,但样品都具有良好的单轴取向.ZnMnO:N样品的拉曼光谱(Raman)和光致发光谱(PL)光学表征显示真空退火使得样品中氧空位(VO)增多.对NT,Mn共掺ZnO晶体的第一性原理模拟计算揭示了N,Mn共掺ZnO的态密度存在较强的p-d相互作用,产生磁矩.一旦引入氧空位(VO)后,费米能级上移,p-d相互作用消失,磁矩减小甚至消失.实验表征分析与模拟计算结果一致:对于N,Mn共掺ZnO薄膜样品,引入氧空位(VO)后,铁磁性减弱.因此,Mn3d电子与N2p局域束缚的电子形成的磁性束缚激子(BMP)决定了磁性相互作用的产生.
- 孙霞吴孔平顾书林黄时敏朱顺明
- 关键词：磁化
- p型N掺杂ZnO薄膜的MOCVD生长与电学性质被引量：1
- 2008年
- 通过采用O2与N2O按照一定的流量比作为反应气源,利用MOCVD方法实现了较低电阻率的N掺杂ZnO薄膜。实验分别研究了改变O2与N2O流量比和改变衬底温度对于薄膜电学性质的影响,并利用Raman光谱与Hall测试结果的比较分析了MOCVD系统中非故意掺杂碳元素及其相关杂质对薄膜的作用。实验结果和讨论为解决ZnO的p型掺杂难题提供了一条途径。
- 汤琨顾书林朱顺明
- 关键词：金属有机物化学气相沉积P型
- Ga和Mn共掺ZnO薄膜的结构和光学特性被引量：1
- 2008年
- 研究了高质量的Ga、Mn共掺ZnO外延薄膜的电子结构和光学特性,这些薄膜通过MOCVD沉积在蓝宝石(0001)面上。结果显示单Mn掺杂时的样品呈现高阻p型,Ga和Mn共掺时呈现n型,而载流子浓度出现一个最大值,然后随着Ga的掺杂量增大而下降,反映了高浓度掺杂Ga会出现Ga代O位的补偿效应。光致发光谱(PL)带边和吸收谱发生红移,并且衍射峰向大角度偏移,可能Ga的掺杂会导致带隙变窄。应用第一性原理软件对Ga、Mn共掺的ZnO体系的电子结构进行理论计算,结果表明共掺杂样品相比单Mn掺杂的ZnO体现出了半金属特性。
- 吴孔平顾书林朱顺明
- 关键词：化合物半导体稀磁半导体半金属
- O_2流量对ZnO薄膜生长及性质的影响
- 2008年
- 讨论了MOCVD生长ZnO薄膜各种性质随氧流量的变化规律。固定锌源(DEZn)流量改变氧源(O2)流量,采用低压MOCVD在石英衬底上生长一组ZnO薄膜样品。由厚度测量、Raman散射、XRD表征表明,随O2流量增加,ZnO薄膜生长速率先提高后降低,碳杂质有所减少,晶体质量先提高后降低。PL显示,随O2流量增大带内深能级发光带强度逐步增强,带边发光峰强度也有较大变化,薄膜光学质量先提高后退化。霍尔测量表明,随氧流量增大,薄膜电阻率逐渐增加。实验表明不同氧流量对MOCVD生长的ZnO薄膜多种性质都有规律性影响。
- 周茂峰顾书林朱顺明
- 关键词：氧化锌薄膜金属有机物化学气相淀积锌源
- 非故意掺杂碳对ZnMnO:N磁性影响的实验与理论研究
- 2012年
- 利用金属有机源化学气相沉积技术,通过改变受主掺杂源和导入氢气并提高生长压力来逐步抑制C的办法,在蓝宝石上外延了Mn,N共掺ZnO薄膜.X射线衍射显示所有样品都具有良好的单轴取向.ZnMnO:N样品的Raman光谱中C元素相关的振动模明显消失.同时van der Pauw法Hall效应测量表明,通过逐步对C的抑制,样品由n型导电转变成p型导电,这主要是由于C与N形成复合体取代O位(CN)_O,具有最低形成能且充当浅施主.对N,Mn共掺ZnO晶体的第一性原理模拟计算显示了N,Mn共掺ZnO的态密度在Fermi能级处存在较强的自旋极化,表明N 2p电子与Mn 3d电子之间存在较强的p-d相互作用,形成磁性束缚激子产生磁矩.一旦引入C后,C,N形成复合体取代O位,导致体系磁性减弱或者消失.模拟计算结果与实验表征分析结果一致表明:对于Mn,N共掺ZnO薄膜样品,引入C与N形成复合体取代O位,Mn,N共掺ZnO薄膜磁性减弱或消失.因此,Mn 3d电子与N 2p局域束缚的电子形成的磁性束缚激子决定了Mn,N共掺ZnO薄膜室温铁磁信号的产生.
- 吴孔平顾书林朱顺明黄友锐周孟然
- 关键词：稀磁半导体铁磁性第一性原理
- ZnMgO生长中压强和衬底对薄膜性质的影响被引量：2
- 2011年
- 利用金属有机源化学气相沉积(MOCVD)生长方法,在2.5kPa和5kPa生长压强下,分别以sapphire(Al_2O_3)和ZnO为衬底生长ZnMgO薄膜。研究分析了样品的晶体结构、表面形貌、光电学性质。结果表明,衬底和生长压强对ZnMgO薄膜的生长有重要影响。5kPa高压生长和以ZnO为衬底均有利于ZnMgO薄膜中Mg的掺入。
- 陈慧顾书林朱顺明
- 关键词：ZNMGO薄膜衬底
- P型N掺杂ZnO薄膜的MOCVD生长与电学性质
- 通过采用O与NO按照一定的流量比作为反应气源,利用MOCVD方法实现了较低电阻率的N掺杂ZnO薄膜。实验分别研究了改变O与NO流量比和改变衬底温度对于薄膜电学性质的影响,并利用Raman光谱与Hall测试结果的比较分析了...
- 汤琨顾书林朱顺明
- 关键词：金属有机物化学气相沉积P型
- 文献传递
- Zn_(1-x)Mg_xO合金的MOCVD生长及其紫外探测器的研究
- 2008年
- 以MOCVD系统生长Zn1-xMgxO合金,通过改变Mg、Zn气相比调制得到了不同组分含量的Zn1-xMgxO合金,其中Mg的固态含量从0变化到0.49,其对应的禁带宽度从3.31eV覆盖到5.02eV。以所生长的Zn1-xMgxO/蓝宝石为衬底,制备MSM结构的紫外探测器,在特定的偏压下,Ti/ZnO基紫外探测器在380nm具有最高响应度0.14A/W,Ni/Mg0.36Zn0.64O基深紫外探测器在327nm具有最高响应度1.9×10-4A/W,并且其在紫外波长的峰值响应度均比可见光450nm处的响应度高出两个数量级。
- 单正平顾书林朱顺明
- 关键词：MOCVDZNMGO紫外探测器
- Zn_(1-x)Mg_xO合金的MOCVD生长及其紫外探测器的研究
- 以MOCVD系统生长Zn_(1-x)Mg-xO合金,通过改变Mg、Zn气相比调制得到了不同组分含量的Zn_(1-x)Mg_xO合金,其中Mg的固态含量从0变化到0.49,其对应的禁带宽度从3.31 eV覆盖到5.02 e...
- 单正平顾书林朱顺明
- 关键词：MOCVDZNMGO紫外探测器
- 文献传递
