公共文化服务平台

共 2 条记录，以下是 1-2

全选清除导出

排序方式：

ITO掩膜干法粗化GaP提高红光LED的提取效率被引量：5: 2010年; 采用氧化铟锡(ITO)颗粒掩膜,经感应耦合等离子体(ICP)刻蚀后制作了表面粗化的红光发光二极管(LED),并且研究了ITO腐蚀时间对粗化表面形貌的影响。测试结果表明,当粗化颗粒的大小为200～500 nm、腐蚀深度约200～400 nm时,能使制作的表面粗化红光LED在20 mA注入电流下光提取效率提高30%以上。并且,表面粗化不会影响LED的发光强度角度分布。; 巩海波郝霄鹏夏伟吴拥中徐现刚; 关键词：表面粗化干法刻蚀发光二极管(LED)

6H-SiC成核表面形貌与缺陷产生的研究被引量：5: 2009年; 利用光学显微镜观察了6H-SiC晶体成核表面形貌,并使用高分辨X射线衍射法检测了不同区域的结晶质量。根据表面形貌的不同将成核表面分为三个区域:平台区、斜坡区、凹坑区。平台区的结晶质量最好,斜坡区和凹坑区由于缺陷(例如微管、小角晶界和多型夹杂等)的存在导致结晶质量变差。依据温场分布以及籽晶的固定分析了凹坑产生的可能原因。根据观察纵切片发现源于斜坡区以及凹坑区的缺陷随着晶体的生长继承到晶体内部导致后期生长的晶体质量变差。最后我们提出了通过优化成核温场分布以及改善籽晶固定方法来提高晶体成核质量的思路。; 王英民宁丽娜彭燕徐化勇胡小波徐现刚; 关键词：6H-SIC 成核表面形貌

全选清除导出

共1页<1>

国家高技术研究发展计划(2007AA03Z405)