教育部重点实验室开放基金(DP1050901)
- 作品数:2 被引量:9H指数:2
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- 相关机构:大连交通大学埼玉工业大学大连理工大学更多>>
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- 相关领域:一般工业技术理学更多>>
- O_2流量对磁控溅射N掺杂TiO_2薄膜成分及晶体结构的影响被引量:4
- 2011年
- 利用直流脉冲磁控溅射方法在室温下通过改变O2流量制备具有不同晶体结构的N掺杂TiO2薄膜,利用台阶仪、X射线光电子能谱仪、X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计等设备对薄膜沉积速率、化学成分、晶体结构、禁带宽度等进行分析.结果表明:所制备的薄膜元素配比约为TiO1.68±0.06N0.11±0.01,N为替位掺杂,所有样品退火前后均未形成Ti—N相结构,N掺杂TiO2薄膜的沉积速率、晶体结构等主要依赖于O2流量.在O2流量为2sccm时,N掺杂TiO2薄膜沉积速率相对较高,薄膜为非晶态结构,但薄膜内含有锐钛矿(anatase)和金红石(rutile)相晶核,退火后薄膜呈anatase和rutile相混合结构,禁带宽度仅为2.86eV.随着O2流量的增加,薄膜沉积速率单调下降,退火后样品禁带宽度逐渐增加.当O2流量为12sccm时,薄膜为anatase相择优生长,退火后呈anatase相结构,禁带宽度为3.2eV.综合本实验的分析结果,要在室温条件下制备晶态N掺杂TiO2薄膜,需在高O2流量(>10sccn)条件下制备.
- 丁万昱王华林巨东英柴卫平
- 关键词:磁控溅射晶体结构
- 直流脉冲磁控溅射制备ITO薄膜及其光电性能被引量:5
- 2010年
- 利用直流脉冲磁控溅射法在室温下制备ITO薄膜.通过台阶仪、紫外-可见分光光度计、四探针仪等表征技术,研究了沉积气压、溅射功率,以及Ar/O2流量比等对ITO薄膜沉积速率、光学性能,以及电学性能的影响.研究结果表明,薄膜沉积速率随沉积气压的增大而减小,随功率的增大而增大;方块电阻随气压的增大而增大,随功率的增大而减小;可见光平均透过率主要受O2流量的影响.在沉积气压为0.5 Pa,Ar/O2流量比为20∶0,溅射功率为250 W,膜厚为200 nm时,薄膜的方块电阻为27Ω/□,可见光平均透过率为84.1%.
- 柴卫平赵景训王华林丁万昱
- 关键词:ITO薄膜磁控溅射方块电阻