福建省自然科学基金(2010J05026) 作品数:5 被引量:7 H指数:2 相关作者: 庄贞静 许瑞安 肖丹 张曼曼 王立强 更多>> 相关机构: 华侨大学 四川大学 更多>> 发文基金: 福建省自然科学基金 国家自然科学基金 厦门市科技计划项目 更多>> 相关领域: 医药卫生 理学 一般工业技术 更多>>
表达Kallistatin的9型重组腺相关病毒的制备及其体外表达效率 被引量:1 2013年 采用三质粒磷酸钙共转染生产系统,制备出可以表达内源性抗肿瘤血管生成因子(Kallistatin)的9型重组腺相关病毒(rAAV2/9)和2型重组腺相关病毒(rAAV2/2).rAAV经银染法鉴定其纯度;采用WesternBlotting法比较rAAV2/9和rAAV2/2外壳蛋白的大小;qPCR方法检测rAAV的滴度.使用rAAV2/9-Kal-listatin和rAAV2/2-Kallistatin分别感染人脐静脉血管内皮细胞(HUVEC)后,RT-PCR和ELISA法分别检测Kallistatin的mRNA和蛋白表达水平.结果表明:纯化的病毒纯度达到98%以上;rAAV9外壳蛋白比rAAV2的大.感染HUVEC后,rAAV2/9介导Kallistatin在mRNA和蛋白表达水平都要比rAAV2/2高. 王峰 许瑞安关键词:KALLISTATIN 人脐静脉血管内皮细胞 Kallistatin结构功能与信号通路 被引量:2 2012年 Kallistatin是一种丝氨酸蛋白酶抑制剂.早期研究发现,它能与组织激肽释放酶结合并抑制其活性,随后kallistatin的抗血管生成、抗炎、抗肿瘤、抗氧化等功能也逐步被发现.Kallistatin有2个主要功能结构域:反应中心环和肝素结合结构域,各自发挥不同的作用.Kallistatin通过肝素结合结构域竞争性抑制血管内皮生长因子(VEGF)和肿瘤坏死因子与它们的受体结合,进而起到抗血管生成和抗炎作用.近年研究发现,kallistatin的多种功能由不同信号通路介导,主要为PI3K-Akt信号通路和TNF-α-NF-κB信号通路.此外,kallistatin还通过丝裂原活化激酶(mitogen-activated protein kinase,MAPK)等信号通路发挥作用.本文就目前研究的kallistatin的结构功能及其在PI3K-Akt、TNF-α等多种信号通路中的调节功能和作用机制进行阐述. 陈思伊 庄贞静 许瑞安关键词:KALLISTATIN 信号通路 二氧化硅室温磷光纳米材料的制备及其细胞成像应用 被引量:3 2014年 利用溶胶-凝胶法制备了非金属掺杂的二氧化硅室温磷光纳米材料,探讨了这种纳米材料的可控制备、光谱性质、细胞毒性和细胞成像。通过TEM和XRD对此材料的形貌和结构进行表征。结果表明,所制备材料为二氧化硅非晶材料,粒径约为50 nm。通过荧光分光光度计对此材料的荧光和磷光光谱进行表征,结果表明,此材料最大激发峰处于280 nm,最大荧光发射峰处于335 nm,最大磷光发射峰处于440 nm。此材料还具有良好的环境稳定性,在空气中放置3个月,其磷光强度基本不发生变化,表明其具有良好的长期稳定性。MTT及激光共聚焦显微成像分析结果表明,此材料具有良好的生物相容性且可顺利进入细胞,并定位在溶酶体,因此有望作为新型溶酶体纳米探针在生物医学领域得以广泛应用。 张曼曼 王立强 肖丹 庄贞静关键词:二氧化硅 溶胶-凝胶法 室温磷光 细胞毒性 细胞成像 咖啡酸苯乙酯在玻碳电极上的电化学行为研究 被引量:1 2012年 采用循环伏安法和差分脉冲伏安法研究了咖啡酸苯乙酯(CAPE)在玻碳电极表面上的电化学行为。在0.05 mol.dm-3磷酸盐缓冲溶液(PBS,pH=7.6)中,CAPE在0.229 V和0.214 V处呈现一对明显的氧化还原峰。考察了溶液pH值和扫描速率等因素对CAPE电化学行为的影响,结果表明,电化学过程中CAPE的电子转移数为2,参与反应的质子数也为2,且为吸附控制过程。在0.05 mol.dm-3磷酸盐缓冲溶液(PBS,pH=7.6)中,CAPE的氧化峰电流与其浓度在0.34~3.40μmol.dm-3范围内成线性关系,其响应灵敏度为0.88μA/μmol.dm-3,检出限为60 nmol.dm-3(S/N=3)。本研究建立了一种简单、快速、可灵敏测定CAPE的方法。同时对CAPE在玻碳电极上的电化学行为进行了较为详细的研究。 庄贞静 曾庆友关键词:玻碳电极 伏安法 差分脉冲伏安法 咖啡酸苯乙酯 电化学 不同溶剂下制备B_2O_3/SiO_2纳米复合材料对其室温磷光的影响 2014年 本文通过对比不同溶剂制备的B2O3/SiO2纳米复合材料室温磷光光谱,并结合FTIR及XRD的表征结果,研究溶剂对该材料磷光性能的影响。结果表明,不管用何种溶剂制备B2O3/SiO2室温磷光材料,均存在两个磷光发射峰,一个是位于520-540nm之间,该发光可能是与氧化硼有关的二氧化硅杂质缺陷发光,另一个位于470-780nm处,该磷光峰推测是二氧化硅的结构缺陷发光。但是在制备过程中溶剂将影响氧化硼在二氧化硅结构中的掺杂,进而影响其发光中心的相对发光强度。 庄贞静 肖丹关键词:室温磷光 二氧化硅 掺杂 硼