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浙江省重点科技创新团队项目(GK110908002-1)

作品数：1 被引量：2H指数：1
相关作者：汪洁刘军孙玲玲更多>>
相关机构：浙江大学杭州电子科技大学更多>>
发文基金：浙江省重点科技创新团队项目国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇费米
  • 1篇GAN
  • 1篇HEMT
  • 1篇表面势

机构

  • 1篇杭州电子科技...
  • 1篇浙江大学

作者

  • 1篇孙玲玲
  • 1篇刘军
  • 1篇汪洁

传媒

  • 1篇微波学报

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
基于表面势的GaN HEMT集约内核模型被引量：2
2012年
从器件表面势机理出发,考虑载流子浓度升高时费米势的变化,首次在二维泊松方程中引入新的费米势近似式,重构表面势源头方程,提出了一种直接基于表面势建立氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)器件模型的方法,建立了包括积累区和过渡区的物理基集约内核模型。表面势引入模型突破了现有的建模技术,给集约模型的建立提供可信的内核模型方程和理论基础。模型采用解析近似求解获得表面势,Pao-Sah模型验证可行性,I-V、C-V特性曲线与TCAD软件仿真的结果有很好的拟合,能准确描述各种偏置条件下GaN HEMT的电流、电荷特性。
汪洁孙玲玲刘军
关键词：表面势
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