福建省自然科学基金(A0310012) 作品数:8 被引量:64 H指数:4 相关作者: 罗仲梓 于映 吴清鑫 陈光红 翁心桥 更多>> 相关机构: 厦门大学 福州大学 苏州市职业大学 更多>> 发文基金: 福建省自然科学基金 国家自然科学基金 国家杰出青年科学基金 更多>> 相关领域: 电子电信 电气工程 理学 机械工程 更多>>
AZ5214E反转光刻胶的性能研究及其在剥离工艺中的应用 被引量:23 2005年 研究了AZ5214E反转光刻胶的性能并选择适当的工艺可制得利于剥离的倒台面,并将其应用于射频MEMS开关的制作中剥离厚 2μm的金薄膜。用扫描电镜(SEM)测出胶的侧壁为倒台面。 陈光红 于映 罗仲梓 吴清鑫微机电系统(MEMS)中薄膜力学性能的研究 被引量:1 2007年 主要介绍微机电系统(MEMS)中几种测量薄膜力学性能的方法,如纳米压入法、单轴拉伸法、基底弯曲法、微旋转结构法,比较了各种方法的优缺点。这对MEMS器件的设计与研究具有重要意义。 陈光红 吴清鑫 于映 罗仲梓关键词:力学性能 MEMS PECVD法生长氮化硅工艺的研究 被引量:33 2007年 采用了等离子体增强化学气相沉积法(plas-ma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)在聚酰亚胺(polyimide,PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜,讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的生长速率、氮硅比、残余应力等性能的影响,得到适合制作接触式射频MEMS开关中悬梁的氮化硅薄膜的最佳工艺条件。 吴清鑫 陈光红 于映 罗仲梓关键词:PECVD 氮化硅 射频MEMS开关 悬臂梁接触式RF MEMS开关的关键工艺研究 被引量:1 2009年 采用厚度为2μm的Au制作成共平面波导(CPW)、聚酰亚胺作为牺牲层、PECVD法淀积Si3N4薄膜作为悬臂梁,制作成悬臂梁接触式RF MEMS开关。着重对开关的关键工艺-CPV的Au剥离工艺和悬臂梁制作工艺进行研究,讨论了工艺中存在的问题及其解决方法。通过实验获得较佳的工艺参数,并制作出驱动电压为12-20V的悬臂梁接触式RF MEMS开关。 吴清鑫 陈光红 于映 罗仲梓关键词:射频MEMS开关 悬臂梁 接触式串联射频MEMS开关的工艺研究 被引量:5 2004年 本文采用MEMS工艺制作接触式串联射频开关 ,射频开关采用双端固定的悬臂梁结构 ,悬梁为PECVD制作的SiN薄膜 ,溅射Au制作共平面波导 ,聚酰亚胺作为牺牲层 ,运用等离子体刻蚀法释放牺牲层。研究了悬梁、共平面波导以及电极的制作工艺 ,并分析了牺牲层的制作和刻蚀工艺对开关结构的影响。 于映 罗仲梓 翁心桥关键词:共平面波导 刻蚀工艺 射频开关 MEMS开关 PECVD PECVD法在聚酰亚胺上沉积氮化硅薄膜的工艺研究 被引量:5 2005年 采用了等离子体增强化学气相沉积法(Plasma-EnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD)在聚酰亚胺(Polyimide,PI)牺牲层上生长氮化硅薄膜;利用微旋转结构测量氮化硅薄膜的残余应力;讨论沉积温度、射频功率、反应气体流量比等工艺参数对氮化硅薄膜的残余应力的影响,并把薄膜的残余应力分为热应力和本征应力加以分析,得出适合制作射频MEMS开关器件中的桥式梁的氮化硅薄膜的最佳工艺条件. 吴清鑫 于映 罗仲梓 陈光红 张春权 杨渭2关键词:PECVD 氮化硅 聚酰亚胺 残余应力 射频MEMS开关中金属剥离工艺研究 2012年 研究用BP212正性光刻胶(浸泡氯苯)、AZP4620正性光刻胶(浸泡氯苯)、AZ5214E反转光刻胶光刻后的图形剥离金属的难易度及图形质量.用扫描电镜(SEM)观察不同光刻胶及浸泡氯苯后的侧壁图形,并分析不同侧壁图形的形成机理,找出最佳工艺参数,并应用于射频MEMS开关制作中的金属剥离. 陈光红 吴清鑫 于映 罗仲梓射频MEMS开关的研究 被引量:1 2008年 概述射频MEMS开关的研究背景及意义,介绍国内外射频MEMS开关的研究现状,列举出两种主要的射频MEMS开关:电容耦合并联式开关和金属-金属接触串联式开关的结构、工作原理、性能比较。 陈光红 吴清鑫 于映 罗仲梓关键词:射频MEMS开关