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国家自然科学基金(69876004)

作品数：3 被引量：2H指数：1
相关作者：陈建新沈光地邹德恕徐晨杜金玉更多>>
相关机构：北京工业大学中国科学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 4篇SIGE/S...
  • 4篇HBT
  • 3篇异质结
  • 3篇晶体管
  • 2篇异质结双极晶...
  • 2篇双极晶体管
  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延
  • 1篇低温电子学
  • 1篇异质结构材料
  • 1篇异质结晶体管
  • 1篇气态源分子束...
  • 1篇PN
  • 1篇SIGE/S...
  • 1篇SIGE/S...
  • 1篇CURREN...
  • 1篇DEVELO...
  • 1篇GE/SI
  • 1篇GSMBE生...
  • 1篇IDEAL

机构

  • 3篇北京工业大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 3篇徐晨
  • 3篇邹德恕
  • 3篇沈光地
  • 3篇陈建新
  • 2篇高国
  • 2篇杜金玉
  • 2篇魏欢
  • 1篇林兰英
  • 1篇史辰
  • 1篇李建平
  • 1篇黄大定
  • 1篇邓军

传媒

  • 2篇电子学报
  • 1篇Journa...

年份

  • 4篇2001
  • 1篇2000
共 3 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
Development of SiGe/Si HBT
＜正＞The development of SiGe/Si HBT in the world isbriefly reviewed and our recent research progress in highfreq...
Guangdi SHEN
文献传递
SiGe/SiHBT异质界面与pn结界面的相对位移的影响
2000年
从模拟和实验两方面研究了SiGe/SiHBT发射结中pn结界面和SiGe/Si界面的相对位置对器件的电流增益和频率特性的影响 .发现两界面偏离时器件性能会变差 .尤其是当pn结位于SiGe/Si界面之前仅几十 就足以产生相当高的电子寄生势垒 ,严重恶化器件的性能 .据此分析了基区B杂质的偏析和外扩对器件的影响以及SiGe/Si隔离层的作用 .
徐晨沈光地邹德恕陈建新李建军罗辑魏欢周静董欣
关键词：SIGE/SI异质结双极晶体管
GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料被引量：1
2001年
用 GSMBE法生长了 Si/ Si Ge/ Si异质结构材料 .采用双台面结构制造了 Si Ge/ Si NPN异质结晶体管 .在发射结条宽为 4μm,面积为 4μm× 1 8μm的条件下 ,其共发射极直流放大倍数为 75,截止频率为 2 0 GHz.给出了结构设计。
邹德恕徐晨陈建新史辰杜金玉高国沈光地黄大定李建平林兰英
关键词：气态源分子束外延异质结晶体管GSMBE生长HBT异质结构材料
Non ideal current in SiGe/Si HBT
＜正＞The non-ideal current in the Ib and Ic of the SiGe/SiHBT were studied.At low temperature it shown tunnelcha...
Chen XU
文献传递
低温SiGe/Si HBT的研制及性能分析被引量：1
2001年
用MBE(分子束外延 ,MolecularBeamEpitaxy)生长的材料研制了在低温工作的SiGe/SiHBT(异质结双极型晶体管 ,HeterojunctionBipolarTransistor) .其在液氮下的直流增益hfe(Ic/Ib)为 16 0 0 0 ,交流增益 β(ΔIc/ΔIb)为 2 6 0 0 0 ,分别比室温增益提高 5 1和 73倍 .测试了该HBT直流特性从室温到液氮范围内随温度的变化 ,并作了分析讨论 .
徐晨沈光地邹德恕陈建新邓军魏欢杜金玉高国
关键词：SIGE/SIHBT分子束外延异质结双极晶体管低温电子学
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