国家重点实验室开放基金(2010KFB001)
- 作品数：2 被引量：9H指数：2
- 相关作者：陈涛梁继然胡明后顺保吕志军更多>>
- 相关机构：天津大学中国科学院更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金天津市应用基础与前沿技术研究计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学机械工程更多>>
- 快速热处理对磁控溅射VO_2薄膜光电特性的影响被引量：6
- 2012年
- 采用反应磁控溅射法制备二氧化钒(VO2)薄膜,并对其进行快速热处理(RTP)。主要研究500℃快速热处理10、15、20s工艺条件下VO2薄膜结晶状况和光电性能的变化。在20℃～80℃温区内,应用四探针薄膜电阻测试方法和太赫兹时域频谱技术(THz-TDS)测量了各样品的电学相变特性和光学相变特性。结果表明,经过快速热处理的样品电学相变幅度均达到了2个数量级以上;THz波的透射率在半导体-金属相变前后的最大变化达到了57.9%。同时发现,热处理500℃,10s时VO2的电学和光学相变幅度相对要大,当热处理时间达到15s左右时薄膜的相变幅度变化不再明显。快速热处理时间的长短对热致相变温度点的影响较小,但热致电学相变和光学相变的相变温度点不同:光学相变的温度为60℃左右,电学相变温度则在56℃附近。
- 后顺保胡明吕志军梁继然陈涛
- 关键词：二氧化钒相变
- 射频磁控溅射功率对氧化钒薄膜相变特性的影响被引量：3
- 2011年
- 采用射频磁控溅射方法,结合氮气氛退火处理工艺制备二氧化钒薄膜,研究溅射功率对氧化钒薄膜电阻温度性能的影响.利用X射线衍射仪和X射线光电子能谱仪对薄膜的结晶结构和成分进行了分析,利用四探针测试仪测试了样品的电阻温度特性.实验结果表明,在保持优化氧分压和热处理工艺条件不变的情况下,氧化钒薄膜的方块电阻随溅射功率的升高逐渐下降;经450,℃热处理后,氧化钒薄膜出现了明显的半导体-金属相变特性,相变的幅度随溅射功率的增加而逐渐下降;在溅射功率为150,W时,获得了相变幅度接近3个数量级的高性能二氧化钒薄膜.
- 梁继然胡明梁秀琴阚强陈涛陈弘达
- 关键词：二氧化钒溅射功率磁控溅射
