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国家科技部科技人员服务企业行动项目(2009GJF20021)

作品数：2 被引量：6H指数：2
相关作者：陈雨青王代强刘桥徐希嫔徐稀嫔更多>>
相关机构：贵阳学院贵州大学贵州省微纳电子与软件技术重点实验室更多>>
发文基金：国家科技部科技人员服务企业行动项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇带通
  • 1篇带通滤波
  • 1篇带通滤波器
  • 1篇直流磁控
  • 1篇直流磁控反应...
  • 1篇滤波器
  • 1篇溅射
  • 1篇硅基
  • 1篇反应溅射
  • 1篇SAW滤波器
  • 1篇氮
  • 1篇氩
  • 1篇ALN薄膜
  • 1篇插入损耗
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控反应溅射
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 2篇贵州大学
  • 2篇贵阳学院
  • 1篇贵州省微纳电...

作者

  • 2篇刘桥
  • 2篇王代强
  • 2篇陈雨青
  • 1篇杨发顺
  • 1篇徐稀嫔
  • 1篇徐希嫔

传媒

  • 1篇压电与声光
  • 1篇西南大学学报...

年份

  • 2篇2011
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
变迹加权三角形IDT结构的SAW滤波器设计与实现被引量：3
2011年
利用改进的δ函数模型对变迹加权三角形的IDT结构进行建模仿真,根据仿真结果设计SAW带通滤波器版图,并在实验室制作了中心频率为200 MHz、带内插损为6 dB的SAW带通滤波器样品,结果表明其仿真结果与试验结果的一致性较好.
王代强陈雨青徐稀嫔刘桥
关键词：插入损耗带通滤波器
磁控溅射硅基AlN薄膜的氮-氩气体流量比研究被引量：3
2011年
反应磁控溅射制备AlN薄膜时,薄膜的质量与众多实验参数有关。靶基距、溅射功率、工作气体总压及N2气分压等实验参数影响薄膜质量的报道很多,因此,研究N2/Ar流量比对磁控溅射硅基AlN薄膜元素种类与含量的影响很有实用意义。实验表明,在其他参数一定的情况下,N2/Ar流量比对AlN薄膜元素种类与含量有很大影响。通过实验验证,选择N2/Ar流量比约为1.525可获得高质量的AlN薄膜(100取向)。
王代强杨发顺徐希嫔陈雨青刘桥
关键词：ALN薄膜直流磁控反应溅射
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